公开(公告)号：CN104934476B

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201510108951.5

申请日：2015-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 蔵口雅彦 ,  斋藤尚史

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1GaN类半导体层；第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上，带隙比第1GaN类半导体层大；源极电极，设在第2GaN类半导体层上；漏极电极，设在第2GaN类半导体层上；栅极电极，在与第1GaN类半导体层之间夹着栅极绝缘膜而设在源极电极与漏极电极之间，与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚小于源极电极与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚；p型的第3GaN类半导体层，在与栅极电极之间夹着栅极绝缘膜而设在栅极电极的漏极电极侧的端部与第2GaN类半导体层之间。

公开(公告)号：CN104465742A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410376732.0

申请日：2014-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤尚史 ,  蔵口雅彦 ,  杉山仁

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/205

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/207 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7783

Abstract: 实施方式的半导体装置具备第1GaN类半导体的第1半导体层、带隙比第1GaN类半导体小的第2GaN类半导体的第2半导体层、带隙比第2GaN类半导体大的第3GaN类半导体的第3半导体层、带隙比第3GaN类半导体小的第4GaN类半导体的第4半导体层、带隙比第4GaN类半导体大的第5GaN类半导体的第5半导体层、一端位于第5半导体层且另一端位于第3半导体层的沟槽、设置在沟槽内壁上的栅极绝缘膜、设置在栅极绝缘膜上的栅极电极、设置在第5半导体层上的源极电极、以及在第5半导体层上相对于源极电极设置在栅极电极的相反侧的漏极电极。

公开(公告)号：CN113345961B

公开(公告)日：2024-12-10

申请号：CN202010950518.7

申请日：2020-09-11

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 井口智明 ,  雁木比吕 ,  小林勇介 ,  蔵口雅彦 ,  高尾和人 ,  饭岛良介 ,  清水达雄 ,  西脇达也

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/47 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供能够提高特性的半导体装置。根据实施方式，半导体装置包括第1导电部、第2导电部、第1半导体区域、第3导电部以及第1绝缘部。从第1导电部向第2导电部的方向沿着第1方向。第1半导体区域为第1导电类型。第1半导体区域包括第1部分区域、第2部分区域以及第3部分区域。从第1部分区域向第2部分区域的第2方向与第1方向交叉。第3部分区域在第1方向上处于第1部分区域与第2导电部之间。第3部分区域包括与第2导电部对置的对置面。第3部分区域与第2导电部肖特基接触。从对置面向第3导电部的方向沿着第2方向。第1绝缘部包括第1绝缘区域。第1绝缘区域中的至少一部分处于对置面与第3导电部之间。

公开(公告)号：CN111697053B

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN201911177913.X

申请日：2019-11-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 加藤大望 ,  梶原瑛祐 ,  向井章 ,  新留彩 ,  大野浩志 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/778 ,  H01L21/335

Abstract: 提供能够稳定地提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包括第1～第3电极、第1～第3氮化物区域、第1绝缘膜以及第2绝缘膜。所述第1氮化区域包含Alx1Ga1‑x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN108376645B

公开(公告)日：2022-02-22

申请号：CN201710766821.X

申请日：2017-08-31

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 上杉谦次郎 ,  新留彩 ,  加藤大望 ,  蔵口雅彦 ,  布上真也

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/3065

Abstract: 提供能够提高性能的半导体装置的制造方法。根据实施方式，半导体装置的制造方法包括通过使用了包含第1元素的气体的干蚀刻而去除设置在包含Alx1Ga1－x1N(0≤x1

公开(公告)号：CN106531807A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610772518.6

申请日：2016-08-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 斋藤尚史 ,  蔵口雅彦 ,  清水达雄 ,  中野慎太郎

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06

Abstract: 提供阈值变动得到抑制的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第1氮化物半导体层；源极电极，设置在第1氮化物半导体层上；漏极电极，设置在第1氮化物半导体层上；栅极电极，设置在源极电极与漏极电极之间；第1膜，设置在第1氮化物半导体层上的源极电极与栅极电极之间以及栅极电极与漏极电极之间，该第1膜的氢扩散系数比硅氧化膜的氢扩散系数低；以及第2膜，设置在第1膜上。

公开(公告)号：CN104934476A

公开(公告)日：2015-09-23

申请号：CN201510108951.5

申请日：2015-03-12

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 蔵口雅彦 ,  斋藤尚史

IPC: H01L29/78

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/402 ,  H01L29/404 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1GaN类半导体层；第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上，带隙比第1GaN类半导体层大；源极电极，设在第2GaN类半导体层上；漏极电极，设在第2GaN类半导体层上；栅极电极，在与第1GaN类半导体层之间夹着栅极绝缘膜而设在源极电极与漏极电极之间，与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚小于源极电极与第1GaN类半导体层之间的第2GaN类半导体层的膜厚；p型的第3GaN类半导体层，在与栅极电极之间夹着栅极绝缘膜而设在栅极电极的漏极电极侧的端部与第2GaN类半导体层之间。

公开(公告)号：CN104465655A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410376725.0

申请日：2014-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 汤元美树 ,  蔵口雅彦

IPC: H01L27/06 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7806 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/872

Abstract: 实施方式的半导体装置具备：第1导电型的第1GaN类半导体层；第1导电型的第2GaN类半导体层，设在第1GaN类半导体层上；第2导电型的第3GaN类半导体层，设在第2GaN类半导体层上的一部分区域中；第1导电型的第4GaN类半导体层，设在第3GaN类半导体层上，是外延生长层；栅极绝缘膜，设在第2GaN类半导体层、第3GaN类半导体层及第4GaN类半导体层上；栅极电极，设在栅极绝缘膜上；第1电极，设在第4GaN类半导体层上；第2电极，设在第1GaN类半导体层的与第2GaN类半导体层相反的一侧；第3电极，设在第2GaN类半导体层上。

公开(公告)号：CN104347698A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410376832.3

申请日：2014-08-01

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 蔵口雅彦

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/739 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/267 ,  H01L21/8252 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/0605 ,  H01L27/0617 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/088 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/1087 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78 ,  H01L29/808 ,  H01L29/861 ,  H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L29/7393

Abstract: 本发明提供一种半导体装置。实施方式的半导体装置具备：第一导电型的Si或者SiC的半导体基板；半导体基板表面的第二导电型的半导体区域；半导体基板上的GaN系半导体层；以及横型元件，设置于GaN系半导体层的半导体区域上方，具有与半导体区域电连接的第一电极、以及第二电极。