公开(公告)号：CN104037281A

公开(公告)日：2014-09-10

申请号：CN201410079574.2

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 桥本玲 ,  木村重哉 ,  黄钟日 ,  胜野弘 ,  斋藤真司 ,  布上真也

IPC: H01L33/02 ,  H01L33/38 ,  H01L33/10 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/504 ,  H01L25/0756 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/382 ,  H01L33/405 ,  H01L33/42 ,  H01L33/60 ,  H01L33/642 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开涉及半导体发光元件及其制造方法。根据一实施例，半导体发光元件包括光反射层、第一至第四半导体层、第一和第二发光层、以及第一光传输层。第二半导体层设置在第一半导体层和光反射层之间。第一发光层设置在第一和第二半导体层之间。第一光传输层设置在第二半导体层和光反射层之间。第三半导体层设置在第一光传输层和光反射层之间。第四半导体层设置在第三半导体层和光反射层之间。第二发光层设置在第三和第四半导体层之间。光反射层电连接到从第三和第四半导体层中选择的一个。

公开(公告)号：CN103985800A

公开(公告)日：2014-08-13

申请号：CN201410046022.1

申请日：2014-02-08

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  三木聪 ,  伊藤俊秀 ,  布上真也

IPC: H01L33/10 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/38 ,  H01L33/46 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/44

Abstract: 根据一个实施方式，一种半导体发光器件包含：第一金属层、第二金属层、第三金属层、半导体发光单元以及绝缘单元。半导体发光单元在第一方向上与第一金属层分离。第二金属层被设置在第一金属层和半导体发光单元之间以电连接到第一金属层，并且该第二金属层是反光的。第二金属层包含接触金属部分和外周金属部分。第三金属层是反光的。第三金属层包含内部分、中间部分以及外部分。绝缘单元包含第一绝缘部分、第二绝缘部分以及第三绝缘部分。

公开(公告)号：CN105990483A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201510100254.5

申请日：2015-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  石黑阳

IPC: H01L33/24 ,  H01L33/32 ,  H01L33/62 ,  H01L33/48 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/405 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32 ,  H01L33/38 ,  H01L33/382 ,  H01L33/44 ,  H01L33/62 ,  H01L33/24 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/48 ,  H01L2933/0033 ,  H01L2933/0066

Abstract: 本发明的实施方式提供一种高可靠性的半导体发光元件。根据实施方式，半导体发光元件包含积层体、第一电极、第二电极、以及第一导电层。所述积层体包含第一半导体层、第二半导体层、以及设置在所述第一半导体层与所述第二半导体层之间的第三半导体层。所述积层体包含第一区域、以及在与所述第二半导体层和所述第一半导体层积层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一区域排列的第二区域。所述第一电极与所述第一半导体层电连接。所述第二电极设置在所述第一区域与所述第二区域之间。所述第一导电层将所述第二半导体层与所述第二电极连接。所述第一导电层的外缘位于较所述积层体的外缘更靠内侧。

公开(公告)号：CN105957940A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：CN201610015618.4

申请日：2016-01-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 胜野弘 ,  石黑阳 ,  山田真嗣

IPC: H01L33/44 ,  H01L33/02

CPC classification number: H01L33/38 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/44 ,  H01L33/02

Abstract: 半导体发光元件包含基体、第1～3半导体层、第1导电层及第1、2绝缘层。第1半导体层包含第1导电型区域。第2半导体层设置在第1半导体层与基体之间，且为第2导电型。第3半导体层设置在第1半导体层与第2半导体层之间。第1导电层设置在第2半导体层的一部分与基体之间。第1导电层与第2半导体层电连接。第1绝缘层设置在第2半导体层的另一部分与基体之间以及第1导电层与基体之间。第2绝缘层设置在第1绝缘层与基体之间。第1绝缘层的第1厚度比第1绝缘层的第2厚度薄。第2绝缘层的第3厚度与第2绝缘层的第4厚度的差的第2绝对值小于第1厚度与第2厚度的差的第1绝对值。

公开(公告)号：CN105810790A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610020688.9

申请日：2016-01-13

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 加贺广持 ,  胜野弘 ,  泽野正和 ,  小池豪 ,  宫部主之

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/44 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/20 ,  H01L33/38 ,  H01L2933/0016 ,  H01L33/36 ,  H01L33/00 ,  H01L33/44

Abstract: 本发明的实施方式提供一种提高电力效率的半导体发光元件及其制造方法。实施方式的半导体发光元件具备：第1导电型的第1半导体层；发光层；第2导电型的第2半导体层，在与所述第1半导体层之间夹持所述发光层；第1导电层，与未设置所述发光层的所述第1半导体层电连接，且从连接的所述第1半导体层延伸至所述第1半导体层的外侧；第1层，设置在延伸至所述第1半导体层的外侧的所述第1导电层上，且包含金属；及焊垫电极，经由所述第1层而与所述第1导电层电连接。

公开(公告)号：CN105810789A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610016248.6

申请日：2016-01-11

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 三木聪 ,  胜野弘

IPC: H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/14 ,  H01L33/64

CPC classification number: H01L33/0008 ,  H01L33/0079 ,  H01L33/145 ,  H01L33/38 ,  H01L33/62 ,  H01L33/36 ,  H01L33/641

Abstract: 本发明的实施方式提供一种改善了发光效率的半导体发光元件。实施方式的半导体发光元件具备：半导体层，包含第1导电型的第1半导体层、第2导电型的第2半导体层、及设置在所述第1半导体层与所述第2半导体层之间的发光层；电极垫，与所述半导体层相邻而设置；第1电极，一端连接在所述电极垫，从所述电极垫线状地延伸而连接在所述第1半导体层；第2电极，与所述第2半导体层连接；以及设置在所述第1半导体层的一部分与所述第1电极的一部分之间的层，该层具有比所述第1电极的导电率低的导电率。所述第1电极随着远离所述电极垫，而与所述延伸的方向垂直的方向的长度即电极宽度变短且与所述第1电极的连接面积减少。

公开(公告)号：CN104051582A

公开(公告)日：2014-09-17

申请号：CN201410080014.9

申请日：2014-03-06

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 山田真嗣 ,  胜野弘 ,  三木聡 ,  杉山直治 ,  布上真也

IPC: H01L33/00 ,  H01L33/50 ,  H01L33/60 ,  H01L33/62

CPC classification number: H01L33/385 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L33/405 ,  H01L33/46 ,  H01L33/486 ,  H01L33/50 ,  H01L33/505 ,  H01L33/60 ,  H01L33/64 ,  H01L33/647 ,  H01L2924/12042

Abstract: 一种半导体发光元件包括层叠主体、第一金属层和第二金属层。层叠主体包括第一半导体层、第二半导体层和发光层。第二半导体层在第一方向上与第一半导体层分开。发光层被设置在第一半导体层与第二半导体层之间。第一金属层在第一方向上与层叠主体层叠，从而电连接到第一半导体层和第二半导体层当中所选的一个。第一金属层具有在第一方向上延伸的侧表面。第二金属层覆盖第一金属层的侧表面的至少一部分。第二金属层的反射率高于第一金属层的反射率。