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公开(公告)号：CN104424958A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310661321.1
申请日：2013-12-09
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/3133 , G11B5/235 , G11B5/3106 , G11B5/3136 , G11B2005/0021
Abstract: 本发明可获得即使在操作中的温度高的环境下，也可以使高频振荡元件的温度保持低且振荡无劣化的高频辅助磁记录头。实施例的磁记录头在振荡层叠体和主磁极间设置冷却发热材料，冷却发热材料包含从该振荡层叠体按顺序层叠的：具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1热电材料层；具有与振荡层叠体的截面积相同截面积的第1金属材料层；具有与主磁极相同截面积的第2金属材料层；及具有与主磁极相同截面积的第2热电材料层。
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公开(公告)号：CN101373597B
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：CN200810210004.7
申请日：2008-08-22
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/17 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B5/3133 , G11B5/3146 , G11B2005/0002 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明公开了一种磁记录头，其包括主磁极、层叠体和一对电极。所述层叠体第一磁层、第二磁层和中间层，该第一磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，该第二磁层具有低于由所述主磁极施加的磁场的矫顽力，并且该中间层设置在所述第一磁层和第二磁层之间。所述一对电极可操作地使电流通过所述层叠体。
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公开(公告)号：CN101383153A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810129877.5
申请日：2008-08-14
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/102 , G11B5/314 , G11B5/6064 , G11B5/607 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及采用高频辅助写入的磁头和磁盘驱动器。所述磁头具有磁头滑块，该磁头滑块装载着磁头单元(10)，该磁头单元包括用来控制飞行高度的加热元件和用来进行高频辅助写入的高频振荡器，在所述磁头滑块上，与磁头元件相连接的接线端子的所需数目最少。接线端子(11到15)安装在所述磁头滑块上并与所述磁头单元(10)相连。所述接线端子(11到15)包括至少一个提供电流的接线端子，其中该接线端子与所述高频振荡器和所述用来控制飞行高度的加热元件相连。
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公开(公告)号：CN114156362A
公开(公告)日：2022-03-08
申请号：CN202110211234.0
申请日：2021-02-25
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0216 , H01L31/0352 , H01L27/144 , G01S17/08 , G01S17/86
Abstract: 本发明涉及光检测器、光检测系统、激光雷达装置以及移动体，能够提高可靠性。根据实施方式，光检测器包括第1导电型的第1半导体层、第1区域、猝灭部、第2区域以及第1层。第1区域设置在第1半导体层的一部分之上。第1区域包括具有比第1半导体层高的第1导电型的杂质浓度的第1导电型的第1半导体区域、和设置在第1半导体区域之上的第2导电型的第2半导体区域。猝灭部与第2半导体区域电连接。第2区域设置在第1半导体层的另外的一部分之上。第2区域包括第2导电型的第3半导体区域、和设置在第3半导体区域的一部分之上的第1导电型的第4半导体区域。第1层设置在第2区域之上，含有吸收或者反射光的树脂。
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公开(公告)号：CN113437174A
公开(公告)日：2021-09-24
申请号：CN202010944864.4
申请日：2020-09-10
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L31/107 , H01L31/0352 , H01L31/0232 , H01L31/18 , H01L27/144 , G01S17/931 , G01S17/894 , G01S7/4865
Abstract: 本发明提供能够缩短不灵敏时间的光检测器、光检测系统、激光雷达装置及车。光检测器包括第一导电型的第一半导体区域、第一元件、第二元件、绝缘体、第一布线和第二布线。第一元件的第二半导体区域设置于第一半导体区域之上。第一元件的第三半导体区域设置于第二半导体区域之上，与第二半导体区域接触。第二元件的第四半导体区域设置于第一半导体区域之上，具有比第二半导体区域低的第一导电型的杂质浓度。第二元件的第五半导体区域设置于第四半导体区域之上，与第四半导体区域接触。绝缘体设置于第一元件与第二元件之间。第一布线与第三半导体区域电连接。第二布线与第五半导体区域电连接。
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公开(公告)号：CN107689417B
公开(公告)日：2020-09-29
申请号：CN201710123328.6
申请日：2017-03-03
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 提供能够提高存储密度的磁存储装置及其制造方法。根据实施方式，磁存储装置包括含金属层、第1磁性层、第2磁性层以及第1中间层。所述含金属层包含金属元素。所述第2磁性层设置于所述含金属层的一部分与所述第1磁性层之间。所述第1中间层包括设置于所述第1磁性层与所述第2磁性层之间的部分。所述第1中间层朝向所述含金属层成为凸状。
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公开(公告)号：CN101399046A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810215755.8
申请日：2008-09-09
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 一种磁头及磁记录装置，即使将自旋转矩振荡子设置在记录磁极的附近，也能够抑制自旋转矩振荡子的振荡频率的变动。具备记录磁极(22)、形成在记录磁极的附近的自旋转矩振荡子(26)、和对自旋转矩振荡子施加磁场的磁场施加部(28)，通过磁场施加部对自旋转矩振荡子施加的磁场与从记录磁极产生的记录磁场基本上正交。
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公开(公告)号：CN101383152A
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200810210424.5
申请日：2008-08-15
Applicant: 株式会社东芝
CPC classification number: G11B5/314 , G11B5/02 , G11B5/1278 , G11B2005/0005 , G11B2005/0024
Abstract: 本发明涉及磁盘驱动器中使用高频磁场来辅助写操作的装置。该磁盘驱动器包括一种具有旋转扭矩振荡器(20)并可以进行高频辅助写入。所述磁盘驱动器具有磁盘(1)、磁头(10)、线圈(13)、和驱动电流控制器(32)。所述驱动电流控制器(32)对提供给所述旋转扭矩振荡器(20)的驱动电流进行控制。为了在磁盘(1)上对数据进行磁记录，所述驱动电流控制器(32)为所述旋转扭矩振荡器(20)提供驱动电流Id，该电流与提供给所述线圈(13)的记录电流Iw的极性反转同步变化，其中所述线圈(13)对所述磁头(10)的记录磁极(11)进行激励。
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