成膜方法和成膜装置
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1199234C

    公开(公告)日:2005-04-27

    申请号:CN00137613.6

    申请日:2000-12-15

    CPC classification number: B05D3/02 B05D1/02 B05D1/26

    Abstract: 本发明提供一种成膜方法,对于具有校正因液状膜中所包含的溶剂挥发生成汽化热而产生的液状膜的温度分布那样温度分布的被处理衬底,采用扫描涂敷方法形成液状膜之后,除去液状膜的溶剂,形成涂敷膜。可以使采用扫描涂敷方法形成的涂敷膜膜厚分布均匀。

    成膜方法和成膜装置
    13.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1304167A

    公开(公告)日:2001-07-18

    申请号:CN00137613.6

    申请日:2000-12-15

    CPC classification number: B05D3/02 B05D1/02 B05D1/26

    Abstract: 本发明可使采用扫描涂敷方法形成的涂敷膜膜厚分布均匀。对于具有校正因液状膜中所包含的溶剂挥发生成汽化热而产生的液状膜的温度分布那样温度分布的被处理衬底,采用扫描涂敷方法形成液状膜之后,除去液状膜的溶剂,形成涂敷膜。

    成膜方法
    15.
    发明授权

    公开(公告)号:CN100582941C

    公开(公告)日:2010-01-20

    申请号:CN200610072041.7

    申请日:2003-01-30

    Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口,对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量,一边相对移动上述喷嘴和衬底,在上述衬底上留下供给的溶液,并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中,设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上,而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N),为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。

    成膜方法和成膜装置
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1184667C

    公开(公告)日:2005-01-12

    申请号:CN01140673.9

    申请日:2001-09-20

    Abstract: 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴(102)和使该保护膜滴液喷嘴(102)沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板(110)上的使被处理基板(110)沿x方向移动的被处理基板移动台构成。液状膜干燥部分由吸嘴(101)和与吸嘴(101)相连的真空泵(103)构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。

    衬底处理方法
    19.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1177354C

    公开(公告)日:2004-11-24

    申请号:CN01121836.3

    申请日:2001-06-27

    CPC classification number: H01L21/02052 G03F7/32 G03F7/40

    Abstract: 一种衬底处理方法,对用光刻胶12进行LSI图形曝光的被加工衬底11,用TMAH显影液进行显影后,清洗露出表面。作为第1清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有3ppm臭氧气体的臭氧水17进行15秒的清洗,使附着于衬底11的露出表面上的有机物分解,然后,作为第2清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有1.2ppm氢气的氢气水18进行15秒的清洗处理,把分解后的有机物除去到衬底之外。

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