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公开(公告)号:CN101963759A
公开(公告)日:2011-02-02
申请号:CN200910170958.4
申请日:2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/16 , G03F7/00 , H01L21/027 , H01L21/312
CPC classification number: H01L21/6715 , H01L21/02126 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/31633
Abstract: 本发明涉及成膜方法/装置、图形形成方法及半导体器件的制造方法。在一边从设于喷嘴的排出口,对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量,一边相对移动上述喷嘴和衬底,在上述衬底上留下供给的溶液,并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中,设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上,而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N),为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。
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公开(公告)号:CN100582941C
公开(公告)日:2010-01-20
申请号:CN200610072041.7
申请日:2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口,对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量,一边相对移动上述喷嘴和衬底,在上述衬底上留下供给的溶液,并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中,设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上,而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m·sec/N),为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。
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公开(公告)号:CN1825207A
公开(公告)日:2006-08-30
申请号:CN200610072041.7
申请日:2003-01-30
Applicant: 株式会社东芝
Abstract: 在一边从设于喷嘴的排出口,对衬底连续地排出调整后的溶液使其在上述衬底上蔓延规定量,一边相对移动上述喷嘴和衬底,在上述衬底上留下供给的溶液,并在上述衬底上形成液膜的成膜方法中,设定上述喷嘴的排出口与上述衬底的距离h为2mm以上,而且对于上述溶液表面张力γ(N/m)、从上述排出口连续地排出的溶液排出速度q(m/sec)、和常数5×10-5(m· sec/N),为不足5×10-5qγ(mm)的范围内。
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公开(公告)号:CN1184667C
公开(公告)日:2005-01-12
申请号:CN01140673.9
申请日:2001-09-20
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/027 , H01L21/30 , G03F7/16 , B05D3/00
Abstract: 本发明提供了成膜方法和成膜装置,液状膜形成部分由保护膜滴液喷嘴(102)和使该保护膜滴液喷嘴(102)沿y方向移动的喷嘴移动机构以及设置在直径200mm的被处理基板(110)上的使被处理基板(110)沿x方向移动的被处理基板移动台构成。液状膜干燥部分由吸嘴(101)和与吸嘴(101)相连的真空泵(103)构成。另外,被处理基板移动台也是构成液状膜干燥部分的一部分。利用上述成膜方法及装置,可以抑制涂膜的膜厚不均现象,缩短形成涂膜所需的时间。
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公开(公告)号:CN1177354C
公开(公告)日:2004-11-24
申请号:CN01121836.3
申请日:2001-06-27
Applicant: 株式会社东芝
IPC: H01L21/30 , H01L21/304 , H01L21/027
CPC classification number: H01L21/02052 , G03F7/32 , G03F7/40
Abstract: 一种衬底处理方法,对用光刻胶12进行LSI图形曝光的被加工衬底11,用TMAH显影液进行显影后,清洗露出表面。作为第1清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有3ppm臭氧气体的臭氧水17进行15秒的清洗,使附着于衬底11的露出表面上的有机物分解,然后,作为第2清洗工序,通过边使衬底11以500rpm进行旋转,边用溶解有1.2ppm氢气的氢气水18进行15秒的清洗处理,把分解后的有机物除去到衬底之外。
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