光继电器
    12.
    发明授权

    公开(公告)号:CN112908939B

    公开(公告)日:2025-04-18

    申请号:CN202010854170.1

    申请日:2020-08-24

    Inventor: 刀祢馆达郎

    Abstract: 实施方式提供一种高频信号的传输损耗少的光继电器。实施方式的光继电器具备:聚酰亚胺基板,具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面,厚度为10μm以上且120μm以下;第二面上的输入端子;第二面上的输出端子;第一面上的受光元件;受光元件上的发光元件;以及第一面上的MOSFET。

    半导体装置
    13.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117542854A

    公开(公告)日:2024-02-09

    申请号:CN202310134243.3

    申请日:2023-02-20

    Abstract: 实施方式提供提高高频信号的传送特性的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有:基板;第1元件及第2元件,分别设置于所述基板的第1面上,并分别具有第1端子、第2端子及栅极;发光元件;受光元件,与所述发光元件的发光状态相应地,将所述第1元件及所述第2元件设为接通状态或断开状态;以及第1布线,将所述第1元件的所述第1端子与所述第2元件的所述第1端子电连接,所述第1布线是片状的导电体。

    半导体封装体
    14.
    发明公开
    半导体封装体 审中-实审

    公开(公告)号:CN115831949A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202210155555.8

    申请日:2022-02-21

    Abstract: 实施方式提供一种降低了寄生电容的高性能的半导体封装体(1)。实施方式的半导体封装体(1)具有:PDA芯片(10);MOS芯片(20);以及配线板(30),在第1主面(30SA),具有使用非导电性粘接剂(15)固定着PDA芯片(10)的非导电性的第1刚性板(11)和焊料接合着上述MOS芯片(20)的下表面端子(25)的导电性的第2刚性板(34),在第2主面(30SB),具有与上述PDA芯片(10)电连接的输入端子(33)以及与上述第2刚性板(34)电连接的输出端子(36)。

    半导体装置
    15.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109509742A

    公开(公告)日:2019-03-22

    申请号:CN201810082594.3

    申请日:2018-01-29

    Inventor: 刀祢馆达郎

    Abstract: 实施方式提供一种能够实现散热性的提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备:半导体芯片;金属板;绝缘基板,设在半导体芯片与金属板之间,具有第1金属层、第2金属层、和第1金属层与第2金属层之间的绝缘层,第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比第1膜厚及第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域,第3区域位于第1区域与第2区域之间;以及焊料层,设在第2金属层与金属板之间。

    发光二极管
    19.
    外观设计

    公开(公告)号:CN301516507S

    公开(公告)日:2011-04-13

    申请号:CN201030198067.3

    申请日:2010-06-02

    Abstract: 1.该外观设计产品的名称:发光二极管;2.该发光二极管的用途:用于在电路及仪器中作为指示灯,或者组成文字或数字显示;3.该发光二极管的设计要点:各个视图所示的形状;4.最能表明设计要点的图片或者照片:立体图;5.在参考图1和参考图2中,斜格子图案的部分表示透明部分。

    发光二极管
    20.
    外观设计

    公开(公告)号:CN301365934S

    公开(公告)日:2010-10-13

    申请号:CN201030104155.2

    申请日:2010-01-27

    Abstract: 1.本外观设计产品名称为:发光二极管。2.本外观设计产品用途为:作为发光二极管使用。3.本外观设计产品设计要点在于:如立体图所示,外观设计产品的形状。4.指定图片:立体图。5.在表示透明部分立体参考图1和表示透明部分立体参考图2中,用格子线表示的部位是透明的。6.俯视图和仰视图对称,省略俯视图。

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