公开(公告)号：CN119447127A

公开(公告)日：2025-02-14

申请号：CN202410213263.4

申请日：2024-02-27

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刘佳 ,  刀祢馆达郎

IPC: H01L25/16 ,  H03K17/785

Abstract: 实施方式提供半导体装置，能够改善高频信号的传输特性。实施方式的半导体装置具备基板、设于基板上的晶体管、受光元件和发光元件。基板、晶体管、发光元件及受光元件按照该顺序在第一方向上排列。

公开(公告)号：CN115116978B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202110830262.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 堀将彦 ,  刀祢馆达郎 ,  田村佳哉 ,  藤原真美

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：安装基板，设置有第一电极焊盘及第二电极焊盘；半导体元件，设置于安装基板上，具有支承基板、设置于支承基板的朝向安装基板的面的第三电极焊盘及设置于支承基板的朝向安装基板的面的第四电极焊盘，在支承基板和第三电极焊盘上设置有第一狭缝，在支承基板和第四电极焊盘上设置有第二狭缝；第一导电性接合剂，将第一电极焊盘和第三电极焊盘连接；以及第二导电性接合剂，将第二电极焊盘和第四电极焊盘连接。

公开(公告)号：CN115116978A

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110830262.0

申请日：2021-07-22

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 堀将彦 ,  刀祢馆达郎 ,  田村佳哉 ,  藤原真美

IPC: H01L23/31 ,  H01L25/07 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49

Abstract: 实施方式提供可靠性高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：安装基板，设置有第一电极焊盘及第二电极焊盘；半导体元件，设置于安装基板上，具有支承基板、设置于支承基板的朝向安装基板的面的第三电极焊盘及设置于支承基板的朝向安装基板的面的第四电极焊盘，在支承基板和第三电极焊盘上设置有第一狭缝，在支承基板和第四电极焊盘上设置有第二狭缝；第一导电性接合剂，将第一电极焊盘和第三电极焊盘连接；以及第二导电性接合剂，将第二电极焊盘和第四电极焊盘连接。

公开(公告)号：CN112908939A

公开(公告)日：2021-06-04

申请号：CN202010854170.1

申请日：2020-08-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刀祢馆达郎

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/49 ,  H01L25/16 ,  H01L31/12

Abstract: 实施方式提供一种高频信号的传输损耗少的光继电器。实施方式的光继电器具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；第二面上的输入端子；第二面上的输出端子；第一面上的受光元件；受光元件上的发光元件；以及第一面上的MOSFET。

公开(公告)号：CN112908939B

公开(公告)日：2025-04-18

申请号：CN202010854170.1

申请日：2020-08-24

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刀祢馆达郎

IPC: H01L23/14 ,  H01L23/49 ,  H10F39/90 ,  H10F39/10

Abstract: 实施方式提供一种高频信号的传输损耗少的光继电器。实施方式的光继电器具备：聚酰亚胺基板，具有第一面和与第一面相反的一侧的第二面，厚度为10μm以上且120μm以下；第二面上的输入端子；第二面上的输出端子；第一面上的受光元件；受光元件上的发光元件；以及第一面上的MOSFET。

公开(公告)号：CN117542854A

公开(公告)日：2024-02-09

申请号：CN202310134243.3

申请日：2023-02-20

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刘佳 ,  刀祢馆达郎

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/52 ,  H01L23/492

Abstract: 实施方式提供提高高频信号的传送特性的半导体装置。实施方式所涉及的半导体装置具有：基板；第1元件及第2元件，分别设置于所述基板的第1面上，并分别具有第1端子、第2端子及栅极；发光元件；受光元件，与所述发光元件的发光状态相应地，将所述第1元件及所述第2元件设为接通状态或断开状态；以及第1布线，将所述第1元件的所述第1端子与所述第2元件的所述第1端子电连接，所述第1布线是片状的导电体。

公开(公告)号：CN115831949A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202210155555.8

申请日：2022-02-21

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刘佳 ,  辻村俊博 ,  堀将彦 ,  刀祢馆达郎

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/48

Abstract: 实施方式提供一种降低了寄生电容的高性能的半导体封装体(1)。实施方式的半导体封装体(1)具有：PDA芯片(10)；MOS芯片(20)；以及配线板(30)，在第1主面(30SA)，具有使用非导电性粘接剂(15)固定着PDA芯片(10)的非导电性的第1刚性板(11)和焊料接合着上述MOS芯片(20)的下表面端子(25)的导电性的第2刚性板(34)，在第2主面(30SB)，具有与上述PDA芯片(10)电连接的输入端子(33)以及与上述第2刚性板(34)电连接的输出端子(36)。

公开(公告)号：CN109509742A

公开(公告)日：2019-03-22

申请号：CN201810082594.3

申请日：2018-01-29

Applicant: 株式会社东芝 ,  东芝电子元件及存储装置株式会社

Inventor： 刀祢馆达郎

IPC: H01L25/07 ,  H01L23/28

Abstract: 实施方式提供一种能够实现散热性的提高的半导体装置。实施方式的半导体装置具备：半导体芯片；金属板；绝缘基板，设在半导体芯片与金属板之间，具有第1金属层、第2金属层、和第1金属层与第2金属层之间的绝缘层，第2金属层具备具有第1膜厚的第1区域、具有第2膜厚的第2区域、具有比第1膜厚及第2膜厚厚的第3膜厚的第3区域，第3区域位于第1区域与第2区域之间；以及焊料层，设在第2金属层与金属板之间。

公开(公告)号：CN1841801A

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200610071661.9

申请日：2006-03-30

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 松本岩夫 ,  刀祢馆达郎

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/647 ,  H01L33/486 ,  H01L33/62 ,  H01L33/642 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的目的在于，提供一种改善LED自身的散热特性，并且可以散热性良好地安装在安装基板上的半导体发光器件和使用它的半导体发光组件。本发明的半导体发光器件，其特征在于，包括：具有厚度小的第一部分和厚度大的第二部分的第一引脚；具有厚度小的第一部分和厚度大的第二部分的第二引脚；埋入第一引脚及第二引脚的各自的上述第二部分的至少一部分的埋入树脂；在上述埋入树脂的上面设置的凹部中露出的上述第一引脚的上述第二部分安装的半导体发光元件；连接上述半导体发光元件和上述第二引脚的引线；对设置在上述凹部中的半导体发光元件及上述引线进行密封的密封树脂；以及设置在上述第一引脚的上述第二部分的固定用孔。

公开(公告)号：CN102473827A

公开(公告)日：2012-05-23

申请号：CN201080029279.6

申请日：2010-04-27

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 清水聪 ,  岩下和久 ,  竹内辉雄 ,  小松哲郎 ,  押尾博明 ,  刀祢馆达郎 ,  牛山直矢 ,  井上一裕 ,  渡元

IPC: H01L33/62

CPC classification number: H01L33/62 ,  H01L24/73 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0753 ,  H01L25/167 ,  H01L33/486 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/49113 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/01058 ,  H01L2924/01059 ,  H01L2924/01063 ,  H01L2924/01065 ,  H01L2924/01066 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/0107 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2933/0066 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4554

Abstract: 公开的LED封装包括：置于同一个平面上并且彼此隔开的第一和第二引线框架；设置在第一和第二引线框架上的LED芯片，LED芯片的一个端子连接到第一引线框架，另一个端子连接到第二引线框架；以及树脂体。所述树脂体覆盖LED芯片，覆盖第一和第二引线框架的每一个的顶面、部分底面和部分端面，并露出底面的剩余部分和端面的剩余部分。