公开(公告)号：CN104064486A

公开(公告)日：2014-09-24

申请号：CN201310361600.6

申请日：2013-08-19

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤隆夫 ,  福田昌利

IPC: H01L21/603

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/568 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/17 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/074 ,  H01L25/18 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/023 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/13 ,  H01L2224/13024 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/17181 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/3012 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/81065 ,  H01L2224/81132 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81907 ,  H01L2224/83132 ,  H01L2224/83862 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/181 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供切断面良好且安装容易并能够实现小型化的层叠型半导体装置及其制造方法。该方法特征是，包括：在第一基板上在同一平面上排列并粘接多个第一层的半导体芯片的工序；在所述半导体芯片上分别层叠至少一层以上的半导体芯片的工序；将所述第一基板切断而分离成各芯片层叠体的工序；进行对位以使在芯片层叠体的表面形成的电极焊盘部与第二基板的电极焊盘部互相对准，而对置地暂时连接的工序；将第二基板以及芯片层叠体整体回流焊以将电极焊盘部间电连接的工序；从芯片层叠体的第一基板侧沿层叠体供给液状树脂以对各半导体芯片间以及芯片层叠体与第二基板间进行树脂密封的工序；和从芯片层叠体的第二基板侧用切割刀片进行切断而个片化的工序。

公开(公告)号：CN103021880A

公开(公告)日：2013-04-03

申请号：CN201110348251.5

申请日：2011-09-22

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 佐藤隆夫 ,  三浦正幸 ,  加本拓

IPC: H01L21/56

CPC classification number: H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明提供半导体装置的制造方法。在一个实施方式中，在支持基板上依次形成剥离层和布线层。在布线层上安装多个半导体芯片。多个半导体芯片由封装树脂层一并封装。由保持体平坦地保持树脂封装体整体，对剥离层进行加热且剪切而从支持基板分离树脂封装体。在对分离后的树脂封装体维持由保持体平坦地保持的状态且冷却之后，解除由保持体实现的树脂封装体的保持状态。切断树脂封装体(11)而将电路结构体单片化。

公开(公告)号：CN1674223A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510069718.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  田窪知章 ,  细川隆治 ,  井守义久 ,  佐藤隆夫 ,  黑泽哲也 ,  桐谷美佳

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，其包括：半导体元件，在所述半导体元件中，在半导体衬底的表面上形成有由包括绝缘膜的多个膜层构成的层叠膜，并且层叠膜的部分被从半导体衬底的表面上去除，从而在该部分暴露出半导体衬底；安装衬底，在其上安装半导体元件；以及树脂层，其利用树脂密封半导体元件的至少一个表面。