公开(公告)号：CN101150097A

公开(公告)日：2008-03-26

申请号：CN200710153565.3

申请日：2007-09-21

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井守义久

IPC: H01L23/10 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/78 ,  H01L21/50 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L21/563 ,  H01L23/055 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: 本发明的半导体装置，具备半导体元件，该半导体元件具备具有元件区域的半导体基板和在半导体基板上形成的包括低介电常数绝缘膜的叠层膜，以及被设置为至少切断低介电常数绝缘膜的激光加工槽。半导体元件对于布线基板通过突块电极进行连接。在半导体元件与布线基板之间，填充底填材料。底填材料的倒角长度Y(mm)，对于激光加工槽的宽度X(μm)，满足Y＞－0.233X+3.5(其中，X＞0、Y＞0)的条件。

公开(公告)号：CN1674223A

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN200510069718.7

申请日：2005-03-25

Applicant: 株式会社东芝

Inventor： 井本孝志 ,  田窪知章 ,  细川隆治 ,  井守义久 ,  佐藤隆夫 ,  黑泽哲也 ,  桐谷美佳

IPC: H01L21/00

CPC classification number: H01L23/3142 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3178 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/5329 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10155 ,  H01L2924/10157 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

Abstract: 一种半导体器件，其包括：半导体元件，在所述半导体元件中，在半导体衬底的表面上形成有由包括绝缘膜的多个膜层构成的层叠膜，并且层叠膜的部分被从半导体衬底的表面上去除，从而在该部分暴露出半导体衬底；安装衬底，在其上安装半导体元件；以及树脂层，其利用树脂密封半导体元件的至少一个表面。