半导体装置及其制造方法
    11.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108695260B

    公开(公告)日:2021-09-28

    申请号:CN201810193446.9

    申请日:2018-03-09

    Abstract: 本发明提供一种半导体装置及半导体装置的制造方法,半导体装置包含基体、器件层和包含第1膜的膜。上述基体包含第1半导体元件,且具有第1面、第2面和位于上述第1面与上述第2面之间的侧面。上述器件层包含与上述第1半导体元件电连接的第2半导体元件,且被设置于上述基体的第1面上。上述包含第1膜的膜包含第1区域、第2区域及第3区域。在第1方向,上述基体位于上述第1区域与器件层之间。在与上述第1方向交叉的第2方向,上述基体位于上述第2区域与上述第3区域之间。上述第1膜将上述第2面、及上述侧面的凹凸埋入。

    引线接合装置以及引线接合方法

    公开(公告)号:CN112951732A

    公开(公告)日:2021-06-11

    申请号:CN202010944761.8

    申请日:2020-09-10

    Abstract: 提供能够抑制被接合部与线之间的接合不良的产生的引线接合装置。实施方式的引线接合装置是通过在使线被按压于被接合部的状态下产生超声波振动,从而使所述线与所述被接合部接合的引线接合装置,具备使线与被接合部接触并施加负载的接合工具、产生超声波振动的超声波变幅杆、连续地检测从所述接合工具向所述被接合部施加的负载的负载传感器、以及控制所述接合工具及所述超声波变幅杆的动作的控制部。所述控制部对从所述线与所述被接合部接触起至产生所述超声波振动之间由所述负载传感器输出的所述负载的数据进行分析,并基于分析结果,控制所述接合工具以及所述超声波变幅杆的动作。

    半导体装置的布线的形成方法

    公开(公告)号:CN102683269A

    公开(公告)日:2012-09-19

    申请号:CN201210060302.9

    申请日:2012-03-08

    Abstract: 本发明实施方式所涉及的半导体装置的布线的形成方法,包括以下工序:在基板的主面上,以在形成布线图案的位置设置开口部的方式形成绝缘树脂;在开口部的露出基板的区域即底面和包围底面的区域即侧面和与基板的主面相对置的绝缘树脂的面一侧上,使用金属形成第1布线层;以及通过切削工具进行切削,以露出绝缘树脂和第1布线层,第1布线层形成为,在底面上形成的厚度比在侧面上形成的厚度厚。

    电池
    15.
    实用新型
    电池 有权

    公开(公告)号:CN216120645U

    公开(公告)日:2022-03-22

    申请号:CN202122375558.6

    申请日:2021-09-29

    Abstract: 本实用新型的实施方式涉及电池。本实用新型所要解决的技术问题在于提供一种电池,在多个电极组的集电极耳向盖部件所在一侧突出的结构中,能够增大外包装容器的内部空腔中的多个电极组所占的空间。实施方式的电池具备外包装容器、盖部件、多个电极组、第一引导件、第二引导件及电极端子。盖部件封堵外包装容器的内部空腔的开口,多个电极组收纳于外包装容器的内部空腔。在第一电极组中向盖部件所在一侧突出的第一集电极耳与第一引导件接合,在与第一电极组不同的第二电极组中向盖部件所在一侧突出的第二集电极耳接合于与第一引导件分体的第二引导件接合。第一引导件及第二引导件被一起连接在盖部件的外表面露出的电极端子上。

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