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公开(公告)号：CN1364309A
公开(公告)日：2002-08-14
申请号：CN01800521.7
申请日：2001-03-27
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L29/1608 , C30B29/06 , C30B29/52 , C30B33/00 , H01L21/02381 , H01L21/02447 , H01L21/0245 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L29/1054 , H01L29/165
Abstract: 对沉积了SeGeC晶体层8的Si衬底1进行热退火处理,从而在硅衬底1上形成退火SiGeC晶体层10,该退火SiGeC晶体层10由被晶格驰豫、且几乎没有位错的矩阵SiGeC晶体层7和分散在矩阵SeGeC晶体层7中的SiC微晶体6构成。然后,在退火SeGeC晶体层10上沉积Si晶体层,而形成很少有位错的应变Si晶体层4。
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公开(公告)号：CN1260595A
公开(公告)日：2000-07-19
申请号：CN00100291.0
申请日：2000-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i－Si1－yGey层119(0
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公开(公告)号：CN1922720A
公开(公告)日：2007-02-28
申请号：CN200580005184.X
申请日：2005-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L29/786 , H01L29/06
CPC classification number: H01L29/775 , B82Y10/00 , H01L27/1214 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/78618 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/7869 , H01L29/78696 , Y10S977/762 , Y10S977/938
Abstract: 本发明的纳米导线(100)，包括多个接触区域(10a、10b)和与多个接触区域(10a、10b)连接的至少一个沟道区域(12)。沟道区域(12)由第1半导体材料形成，沟道区域(12)的表面由在沟道区域(12)上选择性地形成的绝缘层覆盖。多个接触区域(10a、10b)分别由与所述沟道区域(12)的第1半导体材料不同的第2半导体材料形成。接触区域(12)的至少表面具有导电部分。
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公开(公告)号：CN1383579A
公开(公告)日：2002-12-04
申请号：CN01801731.2
申请日：2001-06-15
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , H01L21/365 , H01L21/02
CPC classification number: H01L22/20 , H01L21/02381 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种结构评价方法、半导体装置的制造方法和记录媒体,是在设定工艺条件的初始推定值并利用工艺模拟器进行半导体器件的要素的结构的推定之后,计算物理量测定值的预想值。并且,将通过光学的评价方法得到的半导体器件的要素的物理量的实测值与理论计算值相互进行比较,利用例如急速下降法等,求出测定的半导体器件的要素的更正确的结构。利用该结果可以修改其他半导体器件的要素的工艺的工艺条件。
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公开(公告)号：CN1365515A
公开(公告)日：2002-08-21
申请号：CN01800613.2
申请日：2001-03-23
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/205 , C23C16/42 , C30B29/36
Abstract: 一种半导体晶体的制造方法,它以Si作衬底、在将Si衬底1的表面进行前处理后,用超高真空化学气相生长装置(UHV－CVD装置)在Si衬底1上形成SiGeC层2。这时SiGeC层2的生长温度低于490℃,Si原料用的是Si2H6、Ge原料用的是GeH4、C原料用的是SiH3CH3,用这种方法能够形成具有良好结晶性的SiGeC层2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101371335A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200780003085.7
申请日：2007-01-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/336 , H01L27/12 , H01L29/786
Abstract: 本发明提供一种半导体小片的制造方法和场效应晶体管及其制造方法。在用于制造半导体小片的本发明的方法中，首先，通过将牺牲层(11)和半导体层(12)以该顺序反复层叠在基板(10)上，在基板(10)上形成两层以上的半导体层(12)。接着，通过对牺牲层(11)和半导体层(12)的一部分进行蚀刻，将半导体层(12)分割成多个小片。接着，通过除去牺牲层(11)，将该小片从基板分离。
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公开(公告)号：CN1976869A
公开(公告)日：2007-06-06
申请号：CN200680000344.6
申请日：2006-02-08
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: B82B1/00 , H01L21/336 , B82B3/00 , H01L29/06 , G09F9/30 , H01L29/786
CPC classification number: H01L29/0665 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L27/1292 , H01L29/0673 , H01L29/775 , H01L29/78603 , H01L29/78696 , H01L51/0048 , Y10S977/882
Abstract: 本发明涉及将碳纳米级管、半导体纳米级导线等的微细结构体排列到基板之上的方法、和具备基于该方法而配置的微细结构体的基板。该方法的发明包括：在基板(1)形成槽(2)的工序、向所述槽内滴下分散有微细结构体(3)的溶液(6)的工序、和使所述溶液蒸发而在所述槽内自组织排列所述微细结构体的工序。通过该发明的方法排列微细结构体的基板，能够用于场效应晶体管或传感器。
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公开(公告)号：CN1950950A
公开(公告)日：2007-04-18
申请号：CN200580014058.0
申请日：2005-08-30
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L51/05 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/66742 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 本发明提供一种场效应晶体管，其包括半导体层(14)、与半导体层(14)电连接的源电极(15)以及漏电极(16)、和用于对源电极(15)和漏电极(16)之间的半导体层(14)施加电场的栅电极(12)，半导体层(14)包括由无机半导体构成的多根细线和有机半导体材料。
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公开(公告)号：CN1906771A
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200580001762.2
申请日：2005-09-28
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/12 , H01L29/06 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/78696 , B82Y10/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/0676 , H01L29/1606 , H01L29/42384 , H01L29/7781 , H01L29/78642 , Y10S977/938
Abstract: 本发明提供一种纵向场效应晶体管，具备：由使带电粒子移动的多个纳米线的束构成的活性区域(110)；与活性区域(110)的下端连接且作为源极区域和漏极区域的其中一方发挥功能的下部电极(120；与活性区域(110)的上端连接且作为源极区域和漏极区域的另一方发挥功能的上部电极(130)；控制活性区域(110)的至少一部分的导电性的栅极(150)；以及，使栅极(150)与纳米线电绝缘的栅极绝缘膜。上部电极(130)，隔着电介质部(140)位于下部电极(120)之上，并具有从电介质部(140)的上面横向突出的突出部分(130a、130b)。由纳米线的束构成的活性区域(110)，配置在上部电极(130)的突出部分(130a、130b)的正下方。
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公开(公告)号：CN1184694C
公开(公告)日：2005-01-12
申请号：CN00100291.0
申请日：2000-01-14
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L29/02 , H01L29/772 , H01L21/335
CPC classification number: H01L21/26506 , H01L21/2658 , H01L29/1054 , H01L29/165 , H01L29/167
Abstract: 一种半导体器件及其制造方法是在半导体基片上设置含C的下部Si间隙层118、i-Si1-yGey层119(0＜y＜1)、i-Si间隙层142、SiO2层117和栅极116。因为使下部Si间隙层118含有了C原子，抑制Si1-yGey层中的Ge的漂移·扩散·分离，所以能抑制Si/Si1-yGey层异质界面136的构造紊乱，从而保持明确、平滑的界面。因此，提高了沿异质界面流动的沟道中载流子的传导度等特性。即改善了热处理时半导体器件耐热性。并且，通过使其具有倾斜的C浓度分布来抑制C原子向栅极绝缘膜的扩散，并防止可靠性的下降。
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