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公开(公告)号：CN1779976A
公开(公告)日：2006-05-31
申请号：CN200510113698.9
申请日：2005-10-12
Applicant: 松下电器产业株式会社
CPC classification number: H01L27/11502 , C23C16/40 , C23C16/56 , H01L21/31691 , H01L27/11507 , H01L28/55 , H01L28/65
Abstract: 本发明公开了一种电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法。本发明的目的在于：提供一种即使被细微化，也具有充分的极化特性的电容绝缘膜。电容绝缘膜，为由形成在半导体衬底11上的铁电膜构成的电容绝缘膜21；铁电膜，含有发挥使结晶取向成为随机结晶取向的结晶生长的结晶核作用的元素。
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公开(公告)号：CN1154164C
公开(公告)日：2004-06-16
申请号：CN99812156.8
申请日：1999-09-21
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 科吉·阿里塔 , 林慎一郎 , 约瑟夫·D·库奇阿罗 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L21/02197 , H01L21/022 , H01L21/02205 , H01L21/02282 , H01L21/31691 , H01L27/10852
Abstract: 一种液态前体，用于在集成电路中形成铁电金属氧化物薄膜(313)，其中包含超过了化学计量平衡量的金属氧化物。当前体包括用于形成锶、铋、钽、铌酸盐的锶、铋、钽和铌时，这个前体包含过量的钽和铌中的至少一种。电容器包含分层超晶格材料的薄膜(313)，此超晶格材料由包含了过量的钽和铌的前体制造，因此在75℃下经过1010个负极化转换脉冲之后，以及在125℃下经过109个负极化转换脉冲之后，电容器表现出优良的极化率和低百分率印记。
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公开(公告)号：CN1469477A
公开(公告)日：2004-01-21
申请号：CN03136291.5
申请日：2003-05-20
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/10 , H01L21/822
Abstract: 提供一种容量元件及其制造方法。所述容量元件是在半导体基板100形成的层间绝缘膜101上形成容量元件，是由白金组成的下面电极102、吸留氢气的元素比如钛元素包含在结晶粒界面、晶格间的位置或空穴的SBT(SrTaBiO)组成的容量绝缘膜103、由白金组成的上面电极104等的层叠体所组成。即使是对强电介质电容实施氢气气氛中的热处理，构成容量绝缘膜的强电介质膜或高电介质膜的极化特性不降低。
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公开(公告)号：CN1132234C
公开(公告)日：2003-12-24
申请号：CN98800229.9
申请日：1998-03-03
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3205
CPC classification number: H01L27/11502 , H01L21/768 , H01L28/55 , H01L28/60
Abstract: 一种铁电薄膜电容器(400)具有光滑的电极(412、420)，随着铁电电容器老化允许相对较强的极化、较少疲劳及较少印记。光滑电极表面(414、428)是用小心地控制的干燥、轻烘烤及退火条件生成的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1338113A
公开(公告)日：2002-02-27
申请号：CN99816432.1
申请日：1999-10-15
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 大槻建男 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316
CPC classification number: H01L28/56 , H01L21/31691
Abstract: 一种铁电装置(100、200)包括一个铁电层(112)和一个电极(116、110)。铁电材料是由一种钙钛矿或一种分层超晶格材料组成。在所述铁电层与所述电极之间沉积一种超晶格发生器金属氧化物作为覆盖层(114、204)以提高铁电层的剩余极化容量。
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公开(公告)号：CN1294655C
公开(公告)日：2007-01-10
申请号：CN200410063756.7
申请日：2004-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/31637 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L28/90
Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。
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公开(公告)号：CN1577867A
公开(公告)日：2005-02-09
申请号：CN200410063756.7
申请日：2004-07-07
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108 , H01L21/8242
CPC classification number: H01L28/65 , H01L21/31637 , H01L27/10814 , H01L27/10855 , H01L27/10885 , H01L28/90
Abstract: 电容元件(26)具有：在设置在半导体衬底(10)的第三层间绝缘膜(22)上的开口部(22a)的底面和壁面上形成的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的下部电极(23)、形成在该下部电极(23)之上的由介质构成的电容绝缘膜(24)和形成在该电容绝缘膜(24)上的由贵重金属的氧化物、氮化物或氮氧化物的多晶体构成的上部电极(25)。通过该结构，能防止对电容绝缘膜(24)的用于介质结晶的热处理时产生的下部电极(23)和上部电极(25)的断线、构成电容绝缘膜(24)的原子的扩散。能防止由于对介质进行比较高温的热处理而产生的电极断线。
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公开(公告)号：CN1438708A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN03103803.4
申请日：2003-02-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L27/108
CPC classification number: H01L28/56
Abstract: 一种铁电电容元件，由下部电极、铁电膜构成的电容绝缘膜和上部电极构成的铁电电容元件中的铁电膜具有：由Bi2O2构成的多个氧化铋层21、和由至少一个第1层(22)及至少一个第2层(23)构成的多个假钙钛矿层交互地叠层的铋层状结构。第1层(22)由BO4(其中，B是5价的金属)构成，第2层(23)由(A1－xBi2x/3)B2O7(其中，A是2价的金属，B是5价的金属，x满足条件0＜x＜1。)构成。由此，在将具有铋层状结构的铁电膜作为电容绝缘膜使用的铁电电容元件中，可防止因泄漏电流增加和耐压降低造成的不良现象的发生。
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公开(公告)号：CN1398426A
公开(公告)日：2003-02-19
申请号：CN99816011.3
申请日：1999-12-14
Applicant: 塞姆特里克斯公司 , 松下电器产业株式会社
Inventor： 林慎一郎 , 拉里·D·麦克米伦 , 卡洛斯·A·帕斯·德阿劳约
IPC: H01L21/316 , B05D1/34
CPC classification number: C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/02197 , H01L21/02282 , H01L21/02348 , H01L21/31691
Abstract: 混合多种液体，每个液体的流量由体积流量控制器(515，535)控制，以形成最终的前体，最终的前体被雾化后淀积在基片上。通过调整体积流量控制器(515，535)来调整液态前体的物理特性，以使在前体被涂敷到基片并被处理时，最终的固体材料薄膜(30，50，236，489，492)具有平滑且平坦的表面(31，51，235，488，493)。通常情况下，该物理特性是前体的粘度，它被选择得相当低，在1－2厘泊范围内。
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