-
公开(公告)号：CN101366113A
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200780002145.3
申请日：2007-10-05
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78
CPC classification number: H01L21/78 , B23K2103/42 , B23K2103/50 , H01L24/743 , H01L2224/743 , H01L2924/12042 , H01L2924/00
Abstract: 在由管芯附着膜4和UV带5形成的膜层6已经设置在半导体晶片1上作为掩模之后，用于分割形成于电路图案形成面1a上的半导体元件2的边界槽7形成于膜层6内，由此使半导体晶片1的表面露出。半导体晶片1的在边界槽7内的露出表面1c通过氟基气体的等离子体被蚀刻，且半导体晶片1沿着边界槽7划片成半导体芯片1’。
-
公开(公告)号：CN101151703A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010657.X
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01J37/32532 , H01J37/3244 , H01J37/32449
Abstract: 等离子体处理设备包括：作为下电极(3)的台(31)；作为下电极的对电极的上电极(4)；以及其中放置了下电极和上电极的处理腔室(2)。所述设备向位于下电极和上电极之间的等离子体发生空间(A)提供气体，以产生等离子体，使得处理对象(W)受到等离子处理。在所述设备中，上电极由以下部分构成：本体部分(41)，具有供气端口(T)；透气多孔盘(43)，位于本体部分(41)的下侧上，以便封闭供气端口(T)；以及支架构件(41)，用于支撑多孔盘的外部边缘部分。用于吸收由于在等离子体处理中的热膨胀导致的应力的狭缝(S)以一定间距形成于多孔盘的外部边缘部分中。
-
公开(公告)号：CN101151702A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200680010656.5
申请日：2006-04-04
Applicant: 松下电器产业株式会社 , 黑崎播磨株式会社
IPC: H01J37/32
CPC classification number: H01L21/67069 , H01J37/32082 , H01J37/3244
Abstract: 在等离子体处理设备中，在下电极(3)和上电极(4)之间的等离子体发生空间(A)中产生等离子体，使得在下电极(3)上安装的处理对象(W)受到等离子体处理，多个剪切部分(S)用于吸收由于等离子体处理时的迅速温升导致的热膨胀引起的应力，并以等间距形成在上电极(4)所包括的气体喷头盘(43)的外边缘部分中。因此，可以防止气体喷头盘免于由于在所述气体喷头盘等的外部边缘部分中出现裂缝引起的损坏。
-
公开(公告)号：CN1692493A
公开(公告)日：2005-11-02
申请号：CN200380100500.2
申请日：2003-12-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
Inventor： 有田洁
CPC classification number: H01L21/78 , H01L21/6835 , H01L2221/6834 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在通过等离子蚀刻切割半导体晶片6的半导体晶片切割方法中，保护片30通过粘结层30c粘到电路形成面6a上，在保护片30上，在绝缘片30a的一个面上形成有等离子蚀刻率低的金属层30b，并且等离子从掩模侧暴露于电路形成面6a的相对侧，通过用抗蚀剂膜31a覆盖除切割线31b以外的区域而形成掩模，以便在切割线部分上进行等离子蚀刻。由于以上结构，使用金属层作为蚀刻停止层来抑制蚀刻进程是可能的。因此，能够避免蚀刻进程的波动，并且能够防止引起保护片的热损坏。
-
公开(公告)号：CN102293065B
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201080005411.X
申请日：2010-01-25
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H05H1/46 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H05H1/00
CPC classification number: H01J37/32935
Abstract: 一种等离子体处理装置，能够获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。该等离子体处理装置在处理腔(3a)中持有基板(9)以使其经历等离子体处理。该等离子体处理装置被提供有：放电检测传感器(23)，检测处理腔(3a)内部的异常放电；以及照相机(26)，通过窗口部分(2a)拍摄处理腔(3a)内部的图像并输出运动图像数据。当检测到异常放电时，等离子体处理装置存储与提取目标时间段对应的运动图像数据作为历史数据，该提取目标时间段被设置为包括从异常放电的时间点往前一精确预定时间的在先时间点和异常放电的检测时间点，所述在先时间点例如是等离子体产生时间点或开始加载基板(9)的时间点。因此，可以获得对确定在等离子体处理期间的异常放电的原因有用的数据。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101978478A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110019.9
申请日：2009-03-24
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/3065 , H01L21/301 , H01L21/52
CPC classification number: H01L21/3086 , H01L21/0273 , H01L21/78 , H01L2224/83191
Abstract: 采用如下的方法，即、在将半导体晶片由采用等离子处理的蚀刻分割为单片的半导体芯片的等离子切割的掩模形成中，在作为背面的蚀刻对象的区域印刷防液性液体形成由防液膜构成的防液图案，向形成该防液图案的背面供给液状的树脂，在防液膜不存在的区域形成膜厚比该防液膜的厚度更厚的树脂膜，另外，使该树脂膜固化，形成覆盖除了在蚀刻中除去的区域以外的掩模。由此，可以不使用光刻法等高成本的方法而能以低成本形成用于蚀刻的掩模。
-
公开(公告)号：CN100511642C
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200680012436.6
申请日：2006-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/78 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/30105
Abstract: 用于在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀的制造方法中，在任意时间在半导体晶片上执行各向同性刻蚀。在所述第一表面中，将绝缘膜放置在划分区中。第二表面与第一表面相对，并且在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，从而通过去除与划分区相对应的部分、并且随后继续在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面进行充电的状态下执行等离子体刻蚀来从刻蚀底部部分上暴露出绝缘膜，从而去除了器件形成区中与绝缘膜接触的角落部分。
-
公开(公告)号：CN100499073C
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200580034781.5
申请日：2005-12-21
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L23/544 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L22/32
Abstract: 在包括如下步骤的过程中，执行半导体芯片制造过程：保护片粘贴过程，用于将保护片粘贴到半导体晶片的第一表面上，以使所述片与TEG接触；掩膜放置过程，用于在与所述晶片的第一表面相对的第二表面上放置掩膜；等离子体蚀刻过程，用于执行蚀刻，从第二表面去除与划分区相对应的部分，并将器件形成区划分成单个的半导体芯片；以及TEG去除过程，用于通过剥离保护片，与保护片一并地去除残留在划分区中和贴在保护片上的TEG剩余部分。
-
公开(公告)号：CN101160652A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200680012436.6
申请日：2006-04-11
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/3065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L21/6835 , H01J2237/334 , H01L21/3065 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/78 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/30105
Abstract: 用于在具有第一表面和第二表面的半导体晶片的第二表面上执行等离子体刻蚀的制造方法中，在任意时间在半导体晶片上执行各向同性刻蚀。在所述第一表面中，将绝缘膜放置在划分区中。第二表面与第一表面相对，并且在所述第二表面上放置了用于限定划分区的掩模，从而通过去除与划分区相对应的部分、并且随后继续在以由于等离子体中的离子导致的电荷对绝缘膜的已暴露表面进行充电的状态下执行等离子体刻蚀来从刻蚀底部部分上暴露出绝缘膜，从而去除了器件形成区中与绝缘膜接触的角落部分。
-
公开(公告)号：CN101103454A
公开(公告)日：2008-01-09
申请号：CN200680002082.7
申请日：2006-01-10
Applicant: 松下电器产业株式会社
IPC: H01L21/78 , H01L21/68 , H01L23/544
CPC classification number: H01L21/6835 , H01L21/78 , H01L22/34 , H01L2221/6834 , H01L2221/68354 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 在具有布置在多个器件形成区中的半导体器件、以及放置在限定了器件形成区的划分区中的TEG的半导体晶片中，将TEG放置部分布置在部分地沿宽度延伸的划分区中，并且将TEG放置在TEG放置部分中。并且，将保护薄片粘到半导体晶片上，然后执行等离子体刻蚀，并且通过对保护薄片进行剥离将保持处于划分区、并且粘到保护薄片上的状态的TEG和保护薄片一起去除，从而将器件形成区划分为单片，并且制造出半导体芯片。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
52
records
(took 0.042 seconds)
