公开(公告)号：CN100334697C

公开(公告)日：2007-08-29

申请号：CN03178460.7

申请日：2003-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明的目的，是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高，又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是，在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中，在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此，快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高，还不只低温区域，工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低，要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。

公开(公告)号：CN104137266B

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN104137266A

公开(公告)日：2014-11-05

申请号：CN201380010965.2

申请日：2013-12-03

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 田中康太郎 ,  内田正雄 ,  庭山雅彦 ,  楠本修

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/513 ,  H01L21/045 ,  H01L21/049 ,  H01L21/28185 ,  H01L21/28202 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的碳化硅半导体装置，具备：碳化硅半导体层；栅极绝缘层，其配置在碳化硅半导体层上，且包含硅氧化膜；栅极电极，其配置在栅极绝缘层上；碳迁移层，其位于碳化硅半导体层与硅氧化膜之间，且碳原子浓度相对于碳化硅半导体层中的碳原子浓度为10％以上且90％以下，在碳迁移层中与氮原子浓度成为最大的位置相比更靠近硅氧化膜侧的区域，氮原子浓度的积分值相对于碳原子浓度的积分值的比率为0.11以上。

公开(公告)号：CN103477439A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201180026176.9

申请日：2011-08-29

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 工藤千秋 ,  庭山雅彦 ,  池上亮

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/45 ,  H01L29/4933 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明的半导体装置，具备设于体区(104)的第二导电类型的接触区(201)，并且接触区(201)包括：与第一欧姆电极(122)接触的第一区域(201a)、和在比第一区域(201a)更深的位置上所配置且与体区(104)接触的第二区域(201b)，第一区域(201a)和第二区域(201b)分别具有至少1个杂质浓度的峰值，第一区域(201a)的杂质浓度的峰值是比第二区域(201b)的杂质浓度的峰值高的值。

公开(公告)号：CN103069571A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201280002382.0

申请日：2012-06-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 高桥邦方 ,  庭山雅彦 ,  内田正雄 ,  工藤千秋

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC classification number: H01L29/1608 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/7828

Abstract: 本发明提供一种碳化硅半导体元件，其具备：位于第1导电型的漂移层上的第2导电型的体区域；位于体区域上的第1导电型的杂质区域；贯通体区域及杂质区域并抵达漂移层的沟槽；配置于沟槽的表面上的栅极绝缘膜；以及配置于栅极绝缘膜上的栅电极，沟槽的表面包括第1侧面、及与第1侧面对置的第2侧面，体区域之中位于第1侧面的部分的至少一部分的第2导电型的掺杂物浓度要比体区域之中位于第2侧面的部分的第2导电型的掺杂物浓度更大。

公开(公告)号：CN101510558A

公开(公告)日：2009-08-19

申请号：CN200910007504.5

申请日：2009-02-11

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 泽田和幸 ,  原田裕二 ,  庭山雅彦 ,  金子佐一郎 ,  清水克美

IPC: H01L29/72 ,  H01L29/04 ,  H01L21/33 ,  H01L21/263

CPC classification number: H01L29/7393 ,  H01L29/063 ,  H01L29/66325

Abstract: 本发明提供一种电力用半导体装置，可以确保足够的基板强度，同时，可以形成低导通电阻、高耐压，提高开关速度。它包括：形成在P型半导体基板(1)上的N型表面降场区(2)；在半导体基板(1)上部、与表面降场区(2)相邻的P型基区(3)；在基区(3)上、离开表面降场区(2)的N型发射极/源极区(8)；在基区(3)上、与发射极/源极区(8)相邻的P型基极连接区(10)；从发射极/源极区(8)上起、在基区(3)上和表面降场区(2)上形成的栅绝缘膜(6)和栅极(7)；以及在表面降场区(2)上、离开基区(3)的P型集电区(4)。半导体基板(1)被导入了晶格缺陷，使得其电阻值变为由添加在半导体基板(1)的杂质浓度决定的电阻值的2倍以上。

公开(公告)号：CN100440462C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410104963.2

申请日：2004-12-15

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司 ,  高桥一马

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L29/6659 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/045 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/7833

Abstract: 一种半导体装置的制造方法，在半导体晶片(11)上，通过栅极绝缘膜(14A)形成栅电极(15A)后，再在栅电极(15A)的侧面形成第1侧壁(16A)。以栅电极(15A)及第1侧壁(16A)为掩模，使用批处理式离子注入装置，注入第1导电性的杂质离子，从而形成扩散区(17)。在形成扩散区(17)之际，将杂质离子的注入方向设定成垂直于半导体晶片(11)，并且分作4次进行离子注入，在每次的离子注入时，使半导体晶片(11)旋转90°。能够在形成与源极扩散区及漏极扩散区连接的低浓度的扩展区之际，以令人满意的合格率形成对栅电极而言对称性良好的扩展区。

公开(公告)号：CN1476061A

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN03178460.7

申请日：2003-07-16

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 庭山雅彦 ,  米田健司

IPC: H01L21/324

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/2686

Abstract: 本发明的目的，是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高，又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是，在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中，在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此，快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高，还不只低温区域，工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低，要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。