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    等离子加工设备
    12.
    发明公开
    等离子加工设备 失效

    公开(公告)号：CN1823411A

    公开(公告)日：2006-08-23

    申请号：CN200480020648.X

    申请日：2004-07-22

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  中川显

    IPC: H01L21/68

    Abstract: 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备，包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26，27)，该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时，附接环元件(29)。当采用小晶片时，安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙，并覆盖吸入孔(3c)。此外，附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置，可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。

    等离子体处理装置及等离子体处理方法
    13.
    发明授权
    等离子体处理装置及等离子体处理方法 失效

    公开(公告)号：CN1249777C

    公开(公告)日：2006-04-05

    申请号：CN02811860.X

    申请日：2002-08-20

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  寺山纯一

    IPC: H01L21/00 ,  H01L21/68

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J2237/20 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/6833

    Abstract: 在一种用于对硅晶片(6)实施等离子体处理的等离子体处理装置中，该硅晶片(6)具有粘附于电路形成面上的保护带(6a)，且该硅晶片(6)安装于一安装表面(3d)上，该安装表面设置于由导电金属形成的下电极(3)的上表面上，且保护带(6a)转向该安装表面(3d)。当一直流电压藉由供静电吸附用的直流电源部(18)施加于下电极(3)上以在等离子体处理中吸附且固定该硅晶片(6)于该下电极(3)上时，该保护带(6a)被用作供静电吸附用的介电材料。因而，该介电材料可尽量地薄，且该硅晶片(6)可被足够的静电保持力固定。

    等离子体处理装置
    15.
    发明授权
    等离子体处理装置 有权 转让

    公开(公告)号：CN103094043B

    公开(公告)日：2015-09-30

    申请号：CN201210436576.3

    申请日：2012-11-05

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 置田尚吾 ,  渡边彰三 ,  岩井哲博

    IPC: H01J37/32 ,  H01J37/20

    Abstract: 本发明提供一种具有简单的装置结构而实现小型化，且能够有效降低基板或托盘上的气体的流动或压力分布偏差的等离子体处理装置。干式蚀刻装置(1)的腔室(5)具备：具有顶壁(8)、底壁(7)、侧壁(9)、端壁(11)及开口端(12)的一体结构的腔室主体(6)；封闭开口端(12)的盖体(16)。在处理对象物支承台(26)的基座(31)的侧部(31a)设有凹部(51)，该凹部(51)确保气体在端壁(11)和处理对象物支承台(26)间流动的充分空间。

    等离子处理装置以及等离子处理方法
    16.
    发明公开
    等离子处理装置以及等离子处理方法 有权 转让

    公开(公告)号：CN104143509A

    公开(公告)日：2014-11-12

    申请号：CN201410113773.0

    申请日：2014-03-25

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 西崎展弘 ,  针贝笃史 ,  岩井哲博 ,  广岛满

    IPC: H01L21/3065

    CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

    Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方且覆盖保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖子(31)；和将盖子(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置的驱动机构(38)。第2位置是盖子(31)与保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接触的位置。盖子(31)至少具备向框(7)的上表面延伸的顶面(36b)、和相对于在框(7)的内径侧露出的保持片(6)的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面(36c)。

    等离子体处理设备和用于等离子体处理设备的电极构件
    17.
    发明公开
    等离子体处理设备和用于等离子体处理设备的电极构件 有权

    公开(公告)号：CN101853769A

    公开(公告)日：2010-10-06

    申请号：CN201010152863.2

    申请日：2006-09-07

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 岩井哲博

    IPC: H01J37/32 ,  H01J37/04

    CPC classification number: H01J37/32009 ,  H01J37/32559 ,  H01J2237/334

    Abstract: 在一种通过设置板状工件作为目标进行等离子体处理的等离子体处理设备中，紧靠工件的下表面的电极构件(46)通过焊接冷却板(44)和具有多个通孔(45a)的板状抽吸构件(45)而构成，通过喷涂氧化铝获得的喷涂膜(65)形成于抽吸构件(45)的上表面上，此外，通孔(45a)形成的孔部分(45d)的边缘用喷涂膜(65)覆盖。从而，可以减少由于溅射的电极构件的消耗以延长寿命，因此降低部件消耗成本并防止设备的内部被散布的物质污染。

    等离子体处理设备
    18.
    发明授权
    等离子体处理设备 有权

    公开(公告)号：CN100533652C

    公开(公告)日：2009-08-26

    申请号：CN200680004555.7

    申请日：2006-09-07

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 岩井哲博

    IPC: H01J37/32

    CPC classification number: H01J37/32082 ,  H01J37/32541 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32623

    Abstract: 在一种在半导体晶片(5)上进行等离子体处理的等离子体处理设备中，提供有电极构件(46)的下电极(3)布置于作为真空腔(2)的主体的腔容器(40)的底部(40c)中，且上电极(4)布置在下电极(3)上方以上下移动，上电极(4)提供有从其下面向其外部边缘部分(51a)向下突出到外部边缘部分的下面的突出面。上电极(4)向下朝下电极(3)移动以使外部边缘部分(51a)与形成于腔容器(40)的侧壁部分(40a)中的中间水平(HL)的环形气密密封面(40d)接触，藉此在下电极(3)和上电极(4)之间形成气密密封处理空间(2a)。因此，常压空间(2b)在上电极(4)上方形成，且防止异常放电的发生，这样使得能够高效地进行稳定的等离子体处理。

    等离子加工设备
    19.
    发明授权
    等离子加工设备 失效

    公开(公告)号：CN100383951C

    公开(公告)日：2008-04-23

    申请号：CN200480020648.X

    申请日：2004-07-22

    Applicant: 松下电器产业株式会社

    Inventor： 有田洁 ,  岩井哲博 ,  中川显

    IPC: H01L21/68

    Abstract: 对晶片的与电路形成表面相对的表面进行蚀刻加工的等离子加工设备，包括环形的陶瓷绝缘薄膜(26，27)，该陶瓷绝缘薄膜与大晶片(6A)或小晶片(6B)的外边缘相谐调地位于电极元件(3)的安装面(3b)上。当采用大晶片时，附接环元件(29)。当采用小晶片时，安装阻挡元件(9)以遮蔽沉积在安装面(3b)上的绝缘薄膜之间的间隙，并覆盖吸入孔(3c)。此外，附接盖元件(25)以从顶部覆盖阻挡元件。以该布置，可以用同一电极元件对不同尺寸的晶片进行等离子加工。

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