公开(公告)号：CN104143508A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410113648.X

申请日：2014-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西崎展弘 ,  针贝笃史 ,  岩井哲博 ,  广岛满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01J37/32715 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/78

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：室(11)；在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方并覆盖保持片(6)和框(7)，在中央部具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖体(31)；和驱动机构(38)，其将盖体(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置，所述第1位置是离开台(16)且容许输送载体(5)相对于台(16)的装卸的位置，所述第2位置是盖体(31)覆盖在台(16)上载置的输送载体(5)的保持片(6)和框(7)、且所述窗部(33)使保持片(6)所保持的基板(2)露出的位置。盖体(31)的窗部(33)使与基板(2)的外缘区域相比更靠内侧的区域露出。

公开(公告)号：CN101351871A

公开(公告)日：2009-01-21

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。

公开(公告)号：CN104143509A

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201410113773.0

申请日：2014-03-25

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 西崎展弘 ,  针贝笃史 ,  岩井哲博 ,  广岛满

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01J37/321 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32724 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/68735

Abstract: 本发明提供一种等离子处理装置以及等离子处理方法，使得即使在实施等离子处理的情况下保持片也不会受到不良影响。具备：在室(11)内产生等离子的等离子源(13)；设置于室(11)内且载置输送载体(5)的台(16)；配置于台(16)的上方且覆盖保持片(6)和框(7)，具有在厚度方向上贯通地形成的窗部(33)的盖子(31)；和将盖子(31)相对于台(16)的相对位置变更为第1位置和第2位置的驱动机构(38)。第2位置是盖子(31)与保持片(6)、框(7)、以及基板(2)不接触的位置。盖子(31)至少具备向框(7)的上表面延伸的顶面(36b)、和相对于在框(7)的内径侧露出的保持片(6)的上表面逐渐接近地倾斜的倾斜面(36c)。

公开(公告)号：CN101351871B

公开(公告)日：2010-08-18

申请号：CN200680050274.5

申请日：2006-11-01

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 广岛满 ,  朝仓浩海 ,  渡边彰三 ,  奥根充弘 ,  铃木宏之 ,  宝珍隆三

IPC: H01L21/3065 ,  H05H1/46

CPC classification number: H01J37/32082

Abstract: 等离子体处理装置具备配置于与基板(2)对置的腔室(3)的上部开口的梁状间隔件(7)。梁状间隔件(7)具备：由腔室(3)支撑其下表面(7d)的环状外周部(7a)；在俯视的情况下位于由外周部(7a)包围的区域的中央的中央部(7b)；从中央部(7b)以放射状延伸至外周部(7a)的多个梁部(7c)。电介体板(8)被梁状间隔件(7)均一地支撑其整体。能够确保将腔室(3)内减压时用于支撑大气压的机械强度，同时，能够薄型化电介体板(8)。

公开(公告)号：CN1886824A

公开(公告)日：2006-12-27

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。

公开(公告)号：CN100442452C

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200480035546.5

申请日：2004-11-26

Applicant: 松下电器产业株式会社

Inventor： 奥根充弘 ,  广岛满 ,  铃木宏之 ,  三宅清郎 ,  渡边彰三

IPC: H01L21/3065

Abstract: 本发明之目的为：提供一种不仅能够同时满足对沟槽形状的要求和对深径比的要求，而且还能够形成具有平滑形状侧壁之沟槽的等离子蚀刻法。本发明将硅基片装载在下电极(120)上，通过气体导入口(140)供应蚀刻气体，再由排气口(150)排气，并从高频电源(130a、130b)分别向上电极(110)以及下电极(120)供应高频电力，然后利用ICP法将蚀刻气体等离子化，生成活性种，对硅基片进行蚀刻，作为蚀刻气体，使用一种混合气体：以SF6气体作为主要成分，里面添加了O2气体以及He气体。