-
公开(公告)号：CN113087012B
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN201911335745.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01G23/053 , C01G23/08 , H01L51/48 , H01L51/46 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池TiO2电子传输层的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。首先使用ALD法制备致密层TiO2，以四二甲氨基钛为钛前驱体源，O3作为氧前驱体源，Ar作为载气和吹扫气体；循环多次完成致密层制备；然后使用旋涂法制备介孔层TiO2，在NaOH溶液中加入TiO2微球，搅拌均匀后加热；洗涤至接近中性，然后在HCl溶液中浸泡，再洗涤至中性，干燥后煅烧；将TiO2粉末和酒精按质量比1:10配置成悬浊液，搅拌后旋涂于TiO2致密层上并保温，得到TiO2介孔层。通过制备工艺控制，使电子传输层有利于光吸收层与电极之间的电子空穴对分离和电子传输，可提高钙钛矿光伏器件的能量转换效率。
-
公开(公告)号：CN111334766B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201811551786.0
申请日：2018-12-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电复合薄膜材料及其制备方法。该磁电复合薄膜材料包括依次沉积于硅片上的电极层、AlN薄膜和FeGaB薄膜，FeGaB薄膜的化学式为Fe10‑x‑yGaxBy，其中1.778≤x≤3.0，0＜y≤2.0。其制备方法包括以下步骤：(1)将硅片清洗干净后，在正面沉积电极层薄膜；(2)采用磁控溅射法在电极层薄膜上沉积AlN薄膜；(3)采用磁控溅射共溅法在AlN薄膜上沉积FeGaB薄膜，其中，溅射靶材为Fe1‑zGaz的化学计量比的原料通过熔融铸造合成的FeGa靶，0.23≤z≤0.30，以及纯度为99.99％的B靶。本发明的磁电复合薄膜材料具有优良的磁电性能，高频涡流损耗小，可应用于小型化或微型化的多功能电磁器件上。
-
公开(公告)号：CN113087012A
公开(公告)日：2021-07-09
申请号：CN201911335745.2
申请日：2019-12-23
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C01G23/053 , C01G23/08 , H01L51/48 , H01L51/46 , B82Y30/00
Abstract: 本发明涉及一种钙钛矿太阳能电池TiO2电子传输层的制备方法，属于钙钛矿太阳能电池制备技术领域。首先使用ALD法制备致密层TiO2，以四二甲氨基钛为钛前驱体源，O3作为氧前驱体源，Ar作为载气和吹扫气体；循环多次完成致密层制备；然后使用旋涂法制备介孔层TiO2，在NaOH溶液中加入TiO2微球，搅拌均匀后加热；洗涤至接近中性，然后在HCl溶液中浸泡，再洗涤至中性，干燥后煅烧；将TiO2粉末和酒精按质量比1:10配置成悬浊液，搅拌后旋涂于TiO2致密层上并保温，得到TiO2介孔层。通过制备工艺控制，使电子传输层有利于光吸收层与电极之间的电子空穴对分离和电子传输，可提高钙钛矿光伏器件的能量转换效率。
-
公开(公告)号：CN110635023A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201910938037.1
申请日：2019-09-30
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种磁电传感器及其制备方法。所述磁电传感器包括磁电复合薄膜，该薄膜包括依次沉积于单面抛光单晶硅基片上的Ti/Pt电极层、AlN压电层、Ta隔离层和FeGaB磁致伸缩层。所述薄膜的制备方法为：清洗单面抛光单晶硅基片；在基片上采用磁控溅射法依次沉积Ti薄膜、Pt薄膜、AlN薄膜、Ta薄膜、FeGaB薄膜。本发明的磁电传感器是包括FeGaB和AlN的多层结构薄膜，具有灵敏度高、磁机电耦合性能优良等优点。
-
公开(公告)号：CN119510745A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202510090388.7
申请日：2025-01-21
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: G01N33/53 , G01N33/68 , G01N33/577 , G01N21/3581 , G01N21/59 , G01N21/01
Abstract: 本申请涉及太赫兹超材料生物传感器技术领域，具体涉及一种明暗模态耦合的太赫兹全介质生物传感器及制备方法。本发明通过阳极键合‑光刻图形化‑刻蚀‑特异性抗体修饰得到全介质超材料生物传感器，该传感器包括介质层和衬底层，介质层由全介质超材料的开口环结构和棒状结构交替组成阵列，开口环结构的两端对称开口，且开口连线与棒状结构平行，棒状结构与左右两侧开口环结构的距离分别为u和v，且5μm≥|v‑u|≥1μm。本发明传感器的介质层中通过将棒状结构作为明模态，开口环结构作为暗模态，两套阵列相互作用，实现明暗模态耦合，使谐振峰劈裂，增大Q因子和灵敏度，使得传感器在太赫兹波段对于低浓度生物样品检测具有高灵敏度及低检测限效果，且方法稳定可靠。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118501229A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410962970.3
申请日：2024-07-18
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司 , 有研(广东)新材料技术研究院
IPC: G01N27/327 , G01N33/574 , C23C28/00
Abstract: 本发明公开了一种电化学微针生物传感器及其制备方法，所述生物传感器为三电极体系，包括工作电极、对电极和参比电极，三电极的基底材料均为硅基高密度微针阵列；其中工作电极为溅射金层的硅基高密度微针，表面沉积枝晶结构的金纳米颗粒，通过Au‑S键结合了具有高特异性的癌胚抗原(CEA)适配体；本发明提供的电化学微针生物传感器采用高密度硅基微针阵列构建三电极体系检测组织液中的癌胚抗原，工作电极具有枝晶结构的金纳米颗粒，优选的提高活性表面积，三电极一体的贴片式结构操作便捷，能够实现无创快速检测，并且检测灵敏度高、特异性好、检测限低，为癌胚抗原等肿瘤生物标志物的检测提供了简便、快捷的方法。
-
公开(公告)号：CN114873554A
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN202210240429.2
申请日：2022-03-10
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: B81C1/00 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/35 , C30B29/06 , C30B33/10 , B82Y15/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: 本发明公开了属于光学器件技术领域的一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法。所述方法通过磁控溅射的方法，在单晶硅或CVD多晶硅衬底上沉积制备银纳米颗粒的点阵或图案，然后将沉积后的衬底置于反应溶液中进行刻蚀，刻蚀方向为银纳米颗粒与衬底的竖直方向，得到图案化纳米硅柱结构，最后去除银纳米颗粒经干燥得到图案化黑硅。本发明方法制备的银辅助湿法刻蚀黑硅实现晶圆级制备，使纳米硅柱直径、间距可控，并具有较好的重复性，同时引入光刻工艺实现图形化。
-
公开(公告)号：CN113270538A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN202011596434.4
申请日：2020-12-29
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于纳米红外吸收层的红外探测器敏感元及其制备方法。该红外探测器敏感元由上至下依次包括红外敏感吸收层、上电极层、上电极连接层、热释电薄层、下电极连接层、下电极层，其中，所述红外敏感吸收层为具有纳米团簇结构的纳米红外吸收层。其制备方法包括：采用直流磁控溅射或热蒸发镀膜技术在热释电体薄片上依次沉积上电极连接层、上电极层；然后在热释电晶体薄片反面，依次沉积下电极连接层、下电极层；将热释电晶体薄片粘接到衬底托上，利用旋涂、丝网印刷或喷涂方法将纳米红外吸收材料图形化，制备成红外敏感吸收层；利用机械划片机或激光划片技术，对阵列器件进行划片分割，得到单个红外探测器敏感元成品。
-
公开(公告)号：CN112877657A
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202110032642.X
申请日：2021-01-12
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
Abstract: 本发明公开了一种AlN薄膜的制备方法，采用Mo靶、Al靶作为溅射靶材，(100)取向的Si作为衬底，将其预处理，采用磁控溅射方法，先制备Mo过渡层，再制备AlN薄膜，溅射过程通入Ar、N2混合气，通过改变两种气体比例进而调控AlN薄膜取向。该方法制得的AlN薄膜(100)择优取向生长，且薄膜质量优良，提高了AlN薄膜制备效率，同时节约了成本。
-
公开(公告)号：CN112176315A
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN202010834538.8
申请日：2020-08-19
Applicant: 有研工程技术研究院有限公司
IPC: C23C16/40 , C23C16/455 , C23C16/56 , C23C16/02
Abstract: 本发明公开了一种稀土掺杂二氧化铪基铁电薄膜及其制备方法，所述薄膜中，稀土元素掺杂的比例按原子百分数计为0.1％～5％，稀土元素为钐、铕、钬、铈、钕中的一种或几种混合物。其制备方法包括：衬底预处理、薄膜的沉积、薄膜的退火处理。本发明通过控制薄膜厚度、元素掺杂比例、退火工艺等条件可以在室温下获得稀土掺杂氧化铪铁电薄膜；本发明的稀土掺杂氧化铪铁电薄膜采用原子层沉积工艺制造，成膜质量高、掺杂元素比例精确可控、与现行半导体工艺兼容性好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
22
records
(took 0.024 seconds)
