公开(公告)号：CN103765559A

公开(公告)日：2014-04-30

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。

公开(公告)号：CN102656297A

公开(公告)日：2012-09-05

申请号：CN201080056408.0

申请日：2010-12-08

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  百瀬賢治 ,  小田原道哉

IPC: C30B29/36 ,  C23C16/02 ,  C23C16/42 ,  C30B25/16 ,  C30B25/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  C30B25/02 ,  C30B25/16 ,  C30B25/165 ,  C30B25/186 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608

Abstract: 本发明提供一种降低三角缺陷和层积缺陷、载流子浓度和膜厚的均一性高、无台阶束的SiC外延晶片及其制造方法。本发明的SiC外延晶片，是在以0.4°～5°的偏离角倾斜的4H-SiC单晶基板上形成了SiC外延层的SiC外延晶片，其特征在于，所述SiC外延层的表面的三角形的缺陷密度为1个/cm2以下。

公开(公告)号：CN107407007B

公开(公告)日：2022-04-26

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11‑20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。

公开(公告)号：CN107407007A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201680011723.9

申请日：2016-02-16

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 乘松润 ,  宫坂晶 ,  影岛庆明 ,  龟井宏二 ,  武藤大祐

IPC: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/205

CPC classification number: C30B29/36 ,  H01L21/20 ,  H01L21/2003 ,  H01L21/205 ,  H01L21/2053

Abstract: 本发明的一个方案涉及的SiC外延晶片，是在从(0001)面向＜11-20＞方向的偏移角为4度以下的SiC单晶基板上形成有SiC外延层的SiC外延晶片，所述SiC外延晶片中含有的梯形缺陷，包含台阶流下游侧的下底的长度为台阶流上游侧的上底的长度以下的倒梯形缺陷。

公开(公告)号：CN107004583A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580065143.3

申请日：2015-11-27

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 武藤大祐 ,  乘松润

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C23C16/458 ,  C23C16/52 ,  C30B25/12 ,  C30B29/36 ,  H01L21/683

Abstract: 提供能够高效且充分地减少外延冠的制造装置。本发明的晶片支承台是被用于采用化学气相生长法在晶片的主面上使外延膜生长的化学气相生长装置中的晶片支承台，所述晶片支承台具有在其上面能载置基板的晶片载置面、和以包围所载置的晶片的周围的方式立起的晶片支承部，从所述晶片支承部的顶部到被载置于所述晶片载置面上的晶片的主面的高度为1mm以上。

公开(公告)号：CN103765559B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201280042735.X

申请日：2012-09-04

Applicant: 昭和电工株式会社

Inventor： 百濑贤治 ,  小田原道哉 ,  武藤大祐 ,  影岛庆明

IPC: H01L21/205 ,  C23C16/42 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36

CPC classification number: H01L21/02617 ,  C30B25/186 ,  C30B25/20 ,  C30B29/36 ,  H01L21/02024 ,  H01L21/02046 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02634 ,  H01L21/02658 ,  H01L29/045 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/32

Abstract: 本发明提供层积缺陷的面密度被减小的SiC外延晶片及其制造方法。那样的SiC外延晶片的制造方法，其特征在于，具有：确定具有偏离角的SiC单晶基板的存在于生长面的基底面位错（BPD）之中，在SiC单晶基板上形成的规定膜厚的SiC外延膜中成为层积缺陷的比率的工序；基于比率，确定使用的SiC单晶基板的生长面中BPD的面密度的上限的工序；以及使用上限以下的SiC单晶基板，以与在确定比率的工序中使用的外延膜的生长条件相同的条件，在SiC单晶基板上形成SiC外延膜的工序。