公开(公告)号：CN114008775A

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN202080045792.8

申请日：2020-06-16

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 平尾高志 ,  露野円丈 ,  清水悠佳 ,  松下晃

IPC: H01L23/60 ,  H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/56 ,  H01L25/07

Abstract: 本发明的半导体装置(100)包括：半导体元件(10)，其具有具备开口部(15a)的第一绝缘层(15)以及从第一绝缘层(15)的开口部(15a)露出的源极电极(12)；中继导体(21)，其与源极电极(12)相接合；接合层(41)，其将源极电极(12)与中继导体(21)相接合；第二绝缘层(31)，其覆盖第一绝缘层(15a)的至少一部分，至少与接合层(41)的周围相接地进行设置；表面侧导体(22)，其与中继导体(21)相连接；以及密封树脂(32)，其填充在表面侧导体(22)与第二绝缘层(31)之间。由此，提供如下半导体装置：即使存在孔隙，局部放电的产生也得到抑制。

公开(公告)号：CN110771027B

公开(公告)日：2022-02-01

申请号：CN201880039030.X

申请日：2018-05-22

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  岛津博美 ,  难波明博 ,  松下晃 ,  宝藏寺裕之 ,  西原淳夫 ,  石井利昭 ,  平尾高志

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/36 ,  H01L23/367 ,  H01L23/433 ,  H01L25/18 ,  H02M7/00 ,  H02M7/5387 ,  H01L25/07 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明的目的在于确保功率半导体装置的可靠性并且提高生产率。本发明的特征在于，具备：电路体，其包含半导体元件和导体部而构成；第1绝缘构件和第2绝缘构件，它们隔着所述电路体相互对置；第1基座和第2基座，它们隔着所述电路体、所述第1绝缘构件和所述第2绝缘构件相互对置；壳体，其形成有由所述第1基座覆盖的第1开口部以及由所述第2基座覆盖的第2开口部；以及距离限制部，其设置在所述第1基座和所述第2基座之间的空间内，并且通过与该双方的基座接触来限制该第1基座和该第2基座之间的距离。

公开(公告)号：CN118648106A

公开(公告)日：2024-09-13

申请号：CN202280090847.6

申请日：2022-12-28

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  金子裕二朗 ,  高木佑辅

IPC: H01L25/07 ,  H01L21/60 ,  H01L23/36 ,  H01L25/18

Abstract: 半导体装置具备：多个半导体元件；导体板，其接合有所述多个半导体元件；绝缘片，其粘接在所述导体板的与所述多个半导体元件侧相反的面上；以及树脂构件，其密封所述多个半导体元件、所述绝缘片和所述导体板，所述导体板具有：多个元件接合区域，其供所述多个半导体元件的每一个接合；以及连接区域，其设置在所述多个元件接合区域之间，所述导体板的所述元件接合区域中的所述绝缘片侧表面比所述连接区域的所述绝缘片侧表面突出并与所述绝缘片粘接，在所述导体板的所述连接区域中的所述绝缘片侧表面与所述绝缘片之间填充所述树脂构件。

公开(公告)号：CN115088065A

公开(公告)日：2022-09-20

申请号：CN202080096165.7

申请日：2020-12-25

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  高木佑辅 ,  金子裕二朗

IPC: H01L23/28 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H01L21/56 ,  H02M7/48

Abstract: 本发明具备：功率半导体元件；第一导体板，其与所述功率半导体元件的一个面连接；第一片状构件，其具有第一树脂绝缘层且至少覆盖所述第一导体板的表面；密封材料，其密封所述功率半导体元件、所述第一导体板及所述第一片状构件的端部；以及第一冷却构件，其与所述第一片状构件密接，所述第一片状构件具有：所述第一片状构件的所述端部被所述密封材料覆盖而成的埋没部；作为与所述第一导体板的表面重叠的区域的散热面部；以及作为所述埋没部和所述散热面部之间的区域的余白部，所述余白部比所述散热面部向内部后退，所述埋没部比所述余白部向内部后退。

公开(公告)号：CN113016068A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN201980074753.8

申请日：2019-11-08

Applicant: 日立安斯泰莫株式会社

Inventor： 露野円丈 ,  松下晃 ,  金子裕二朗

IPC: H01L23/473 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

Abstract: 半导体模块(900)包括：具备具有第一、第二连接部(810)的第一、第二翅片基底(800)、以及对第一导体(410)至第四导体(413)的外周侧面进行密封的树脂(850)的半导体装置(300)；以及连接到第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)的流路形成体(600)，半导体模块(900)具有被塑性变形成使得第一、第二连接部(810)的外周端部(810a)之间的厚度方向的间隔小于第一、第二连接部(810)的中间部(804)之间的厚度方向的间隔的第一塑性变形部(801)，树脂(850)填充在第一、第二翅片基底(800)的第一、第二连接部(810)之间。