公开(公告)号：CN110023317B

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN201780073389.4

申请日：2017-12-08

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  孙军

IPC: C07D487/04 ,  C08G59/02

Abstract: 本发明的课题是提供新的甘脲类及其制造方法。解决手段是下述式(1)所示的含氮环状化合物，该式(1)所示的含氮环状化合物例如由下述式(1A)或式(1B)表示。(式中，R1、R2、R3和R4之中的任意2个表示缩水甘油基，其余2个表示甲氧基甲基。)

公开(公告)号：CN109641913B

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN201780053682.4

申请日：2017-08-22

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  孙军

IPC: C07D487/04

Abstract: 本发明的课题是提供新的单硫代甘脲类和二硫代甘脲类。解决手段是下述式(1)所示的硫代甘脲类。(式中，X表示氧原子或硫原子，4个R分别表示氢原子、碳原子数1～4的直链状、支链状或环状的烷基、苯基、萘基、苄基、或主链具有至少1个醚键的碳原子数3～9的烷基。)

公开(公告)号：CN117321502A

公开(公告)日：2023-12-29

申请号：CN202280035039.X

申请日：2022-05-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  服部隼人 ,  德永光

IPC: G03F7/11

Abstract: 提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含聚合物(X)、以及溶剂，所述聚合物(X)包含具有羟基甲基和ROCH2‑基(R为一价有机基、或它们的混合)的相同或不同的多个结构单元、和将上述多个结构单元连接的连接基。

公开(公告)号：CN116635442A

公开(公告)日：2023-08-22

申请号：CN202180086546.1

申请日：2021-12-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  服部隼人 ,  光武祐希 ,  西卷裕和

IPC: C08G10/02

Abstract: 本发明的课题是提供显示高蚀刻耐性、良好的干蚀刻速度比和光学常数，能够形成对所谓高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，平坦且进一步具有优异的硬度的膜的抗蚀剂下层膜形成用组合物、使用了该抗蚀剂下层膜形成用组合物的抗蚀剂下层膜、以及半导体装置的制造方法。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含下述式(1)或式(2)所示的化合物与下述式(3)所示的化合物的反应生成物、和溶剂。
OHC‑X‑CHO (3)。

公开(公告)号：CN115298616A

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN202180021724.2

申请日：2021-03-16

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 远藤雅久 ,  泽田和宏 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/038 ,  C08G67/00 ,  G03F7/027 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种能给予初始介电损耗角正切低，且其经时变化也小的固化物的感光性绝缘膜树脂组合物、使用该感光性绝缘膜组合物制造带固化浮雕图案的基板的方法、及具备该固化浮雕图案的半导体装置。所述感光性绝缘膜形成用组合物包含具有下述式(1)表示的重复单位结构的聚合物，及溶剂。式(1)中，基团A1表示(A1)所示的芳族杂环，基团A2表示(A2)所示的芳族杂环，基团A1、基团A2可以具有交联性取代基，基团B1表示具有交联性取代基的有机基团，基团B2表示不具有交联性取代基的有机基团。

公开(公告)号：CN110869852A

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201880045116.3

申请日：2018-08-14

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  臼井友辉 ,  远藤雅久 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含具有下述式(1)所示的结构单元的共聚物和溶剂。(在上述式中，X表示碳原子数2～10的二价链状烃基，该二价链状烃基可以在主链具有至少1个硫原子或氧原子，此外可以具有至少1个羟基作为取代基，R表示碳原子数1～10的链状烃基，2个n分别表示0或1。)

公开(公告)号：CN109416512A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780040019.0

申请日：2017-06-23

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 绪方裕斗 ,  后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  臼井友辉 ,  岸冈高广

IPC: G03F7/11 ,  C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

CPC classification number: C07C43/13 ,  C07D251/34 ,  C07D403/14 ,  C08L65/00 ,  G03F7/11 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明的课题是提供包含具有乙内酰脲环的化合物的、新的抗蚀剂下层膜形成用组合物。解决手段是一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含1分子中具有至少2个下述式(1)所示的取代基的化合物、和溶剂。(式中，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X1表示碳原子数1～3的羟基烷基、或主链具有1个或2个醚键的碳原子数2～6的烷基。)

公开(公告)号：CN109415350A

公开(公告)日：2019-03-01

申请号：CN201780039711.1

申请日：2017-06-13

Applicant: 日产化学株式会社

Inventor： 后藤裕一 ,  远藤雅久 ,  绪方裕斗 ,  孙军

IPC: C07D403/14

CPC classification number: C07D403/14

Abstract: 本发明的课题是提供具有乙内酰脲环的化合物的新的制造方法。解决手段是一种具有乙内酰脲环的化合物的制造方法，其具有下述工序：在包含至少30质量％的乙醇和/或至少10质量％的丙醇的醇类中，在催化剂的存在下，使下述式(1)所示的化合物与下述式(2)所示的化合物以相对于该式(1)所示的化合物1摩尔当量为3摩尔当量的该式(2)所示的化合物的比例反应，而获得包含下述式(3)所示的化合物的溶液的反应工序；以及向上述溶液中加入阳离子交换树脂和阴离子交换树脂，接着将其进行搅拌，然后进行过滤的离子交换处理工序。(式中，A1表示三价脂肪族基、或具有芳香族环或杂环的三价基团，Z1表示直接结合、-O-基或-C(＝O)O-基，R1和R2各自独立地表示氢原子或甲基，X表示碳原子数1～3的羟基烷基、碳原子数2～5的烷氧基烷基或碳原子数1～3的烷基。)