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公开(公告)号：CN111492312B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN201880082023.8
申请日：2018-12-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , G03F7/40 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供一种耐半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含分子内含有至少1组彼此相邻的2个羟基的化合物、或其聚合物、以及溶剂，其是在半导体制造中的光刻工艺中，用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异、并可以通过干蚀刻迅速除去的保护膜的组合物，并提供应用了该保护膜的带有抗蚀剂图案的基板的制造方法、和半导体装置的制造方法。
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公开(公告)号：CN118339515A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202280078449.2
申请日：2022-10-17
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 提供对主要作为有机溶剂的抗蚀剂溶剂、作为碱性水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时对湿蚀刻药液显示良好的除去性(溶解性)的抗蚀剂下层膜。一种i射线用抗蚀剂下层膜形成用组合物，其包含：2官能以上的缩水甘油基酯型环氧树脂、与下述式(A)所示的化合物A的反应生成物；以及溶剂。(在式(A)中，R1表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基或硝基或它们的组合，n表示0～4的整数。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN118235092A
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202280075471.1
申请日：2022-11-14
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08F220/18 , C08G59/16
Abstract: 本发明提供用于形成半导体制造用晶片端部保护膜的有用的光固化性树脂组合物。一种光固化性树脂组合物，其包含：含有来自萘、蒽、菲、芘等的多环芳香族烃基的化合物和/或聚乙烯醇、聚丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸系树脂、聚酰胺酸、聚羟基苯乙烯、聚羟基苯乙烯衍生物、聚甲基丙烯酸酯与马来酸酐的共聚物、环氧树脂、酚醛树脂、Novolac树脂、聚酰亚胺、纤维素、纤维素衍生物、淀粉、几丁质、壳聚糖、明胶、玉米朊、糖骨架高分子化合物、聚酰胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚氨酯、聚硅氧烷等聚合物、以及溶剂。该组合物在25℃下具有100cps以下的粘度，且通过170nm～800nm波长的光进行固化。
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公开(公告)号：CN113646352A
公开(公告)日：2021-11-12
申请号：CN202080027542.1
申请日：2020-04-09
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08G59/14 , C08G59/26 , G03F7/11 , H01L21/027
Abstract: 本发明提供下述保护膜形成用组合物和使用该组合物而制造的保护膜、带有抗蚀剂图案的基板和半导体装置的制造方法，上述保护膜形成用组合物具有在半导体基板加工时对湿蚀刻液的良好的掩模(保护)功能、高干蚀刻速度，进一步对高低差基板也被覆性良好，埋入后的膜厚差小，能够形成平坦的膜。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其中，二环氧化合物(B)与2官能以上的产质子化合物(C)的反应生成物(P)包含下述式(1)：(在式(1)中，Ar表示碳原子数6～40的芳基，n表示2～10的整数，‑Y‑表示‑OCO‑、‑O‑或‑S‑，＊表示与上述反应生成物(P)分子末端的结合部分)所示的结构，上述保护膜形成用组合物还包含有机溶剂(S)。＊‑Y‑Ar‑(OH)n(1)。
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公开(公告)号：CN111936588A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201980024774.9
申请日：2019-04-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C09D139/04 , C09D7/20 , H01L21/312 , H01L21/768 , H01L23/532
Abstract: 提供涂布膜形成组合物和使用了其的半导体装置的制造方法，所述涂布膜形成组合物包含：(a)含有由下述式(1a)或(1b)表示的结构单元的聚合物，和(b)包含1～49质量％的选自丙二醇单甲基醚、丙二醇单甲基醚乙酸酯、丙二醇单乙基醚、2‑羟基异丁酸甲酯、3‑乙氧基丙酸乙酯和乳酸乙酯中的至少1种的有机溶剂和51～99质量％的水的溶剂。
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公开(公告)号：CN111108441A
公开(公告)日：2020-05-05
申请号：CN201880061324.2
申请日：2018-09-19
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11 , C08G59/14 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 含有具有下述式(1)所表示的结构单元的树脂的抗蚀剂下层膜形成用组合物提供了耐溶剂性、光学参数、干蚀刻速度、和埋入性这些特性都优异的抗蚀剂下层膜。式(1)中，R1表示可以夹着羧基的C1～6烷基、可以具有羟基取代基的C1～6烷基或可以具有C1～4烷硫基取代基的噻二唑基，R2表示氢原子或下述式(2)所示基团，式(2)中，R1的含义与上述相同，＊表示键合部分。
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公开(公告)号：CN113316595B
公开(公告)日：2024-12-03
申请号：CN202080009988.1
申请日：2020-01-20
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F220/10 , G03F7/11
Abstract: 提供在半导体制造中的光刻工艺中用于形成对半导体用湿蚀刻液的耐性优异的保护膜的组合物、应用了该保护膜的抗蚀剂图案的形成方法、和半导体装置的制造方法。一种针对半导体用湿蚀刻液的保护膜形成用组合物，其包含：包含至少1个缩醛结构和至少1个酰胺结构的化合物或聚合物、和溶剂。上述聚合物优选为分子内包含至少1个缩醛结构的化合物(a)、与分子内包含至少1个酰胺结构的化合物(b)的共聚物。
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公开(公告)号：CN116888537A
公开(公告)日：2023-10-13
申请号：CN202280017061.1
申请日：2022-03-02
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: G03F7/11
Abstract: 提供对抗蚀剂溶剂、作为碱水溶液的抗蚀剂显影液显示良好的耐性，同时仅对湿蚀刻药液显示除去性、优选为溶解性的抗蚀剂下层膜。一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有：包含下述式(1)所示的部分结构的化合物(A)、和溶剂。(式中，R1、R2各自表示氢原子、碳原子数1～10的烷基或碳原子数6～40的芳基，X表示碳原子数1～10的烷基、羟基、碳原子数1～10的烷氧基、碳原子数1～10的烷氧基羰基、卤原子、氰基、硝基或它们的组合，Y表示直接键合、醚键、硫醚键或酯键，n表示0～4的整数，＊表示与化合物(A)残基的结合部分。)#imgabs0#
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公开(公告)号：CN110366768B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN201880014924.3
申请日：2018-02-28
Applicant: 日产化学株式会社
IPC: H01L21/02 , C09D179/08 , C09D201/00
Abstract: 提供在半导体装置制造工序中用于将在基板上形成的异物除去的简便方法，提供在这样的方法中使用的用于异物除去的涂膜形成用组合物。在半导体基板上，优选使用包含由(a)四羧酸二酐化合物和(b)具有至少一个羧基的二胺化合物制造的聚酰胺酸、或由(a)四羧酸二酐化合物、(b)具有至少一个羧基的二胺化合物、和(c)二胺化合物制造的聚酰胺酸的组合物在基板上形成涂膜后，将在涂膜上存在的异物利用显影液处理而与涂膜一起除去。
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公开(公告)号：CN112513738A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980050814.7
申请日：2019-07-18
Applicant: 日产化学株式会社
Abstract: 本申请的课题是提供一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其用于形成能够在制造半导体装置的光刻工艺中很好地作为防反射膜和平坦化膜使用的抗蚀剂下层膜。解决手段是，一种抗蚀剂下层膜形成用组合物，其含有树脂、酸催化剂或其盐、以及溶剂，并且所述抗蚀剂下层膜形成用组合物不含有作为单体的交联剂，所述树脂具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基的重复结构单元和侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，或者具有主链包含至少1个‑C(＝O)‑O‑基且侧链包含至少1个羟基的重复结构单元，这些重复结构单元中不具有包含环氧环或氧杂环丁烷环的有机基，相对于该树脂100质量份，所述酸催化剂或其盐为0.1～10质量份，该酸催化剂为一元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa为‑0.5以下，或者该酸催化剂为多元酸时，25℃水中的酸解离常数pKa1为‑0.5以下。
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