Patent search ap:("日东电工株式会社" OR "新时代技研株式会社") AND inv:"村田修平" Page 2

11.

发明公开
切割/芯片接合薄膜失效

公开(公告)号：CN101640191A

公开(公告)日：2010-02-03

申请号：CN200910160247.9

申请日：2009-07-31

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 , 神谷克彦 , 村田修平 , 菅生悠树

IPC: H01L23/00 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L21/50 , C09J133/04

CPC classification number: H01L21/6836 , C08F220/18 , C08F2220/1808 , C08F2220/1833 , C08F2220/281 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供即使在半导体芯片为薄型或芯片尺寸小的情况下，能够防止切割时芯片飞散的保持力与将该半导体芯片和其芯片接合薄膜一起剥离时的剥离性之间的平衡特性也优良的切割/芯片接合薄膜。本发明提供一种切割/芯片接合薄膜，具有在紫外线透过性的基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层是通过在由丙烯酸类聚合物形成的粘合剂层前体上层压所述芯片接合薄膜后从所述基材侧照射紫外线进行固化而形成的，所述丙烯酸类聚合物由作为主单体的丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成。

12.

发明公开
芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜有权

公开(公告)号：CN104946147A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510142546.5

申请日：2015-03-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 木村雄大 , 三隅贞仁 , 村田修平 , 大西谦司 , 宍户雄一郎

IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J11/04 , H01L21/683

Abstract: 芯片接合膜、切割-芯片接合膜及层叠膜。本发明提供能够在不牺牲半导体装置的情况下非破坏地观察空隙的芯片接合膜等。一种芯片接合膜，其雾度为0％～25％。

13.

发明授权
切割/芯片接合薄膜有权

公开(公告)号：CN101645427B

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN200910161129.X

申请日：2009-08-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 , 松村健 , 村田修平 , 大竹宏尚

IPC: H01L23/00 , H01L21/48 , H01L21/78 , H01L21/50 , C09J133/04

CPC classification number: H01L21/6835 , C08F220/18 , C08F220/34 , C08F2220/1808 , C08F2220/1833 , C08F2220/281 , C09J7/20 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , H01L2924/3025 , Y10T428/31511 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2224/45099

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片拉合薄膜。本发明涉及一种切割/芯片接合薄膜，具有在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和在该粘合剂层上设置的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层由丙烯酸类粘合剂形成，所述丙烯酸类粘合剂由丙烯酸类聚合物和相对于所述丙烯酸类聚合物100重量份的比例在10～60重量份的范围内的分子内具有2个以上自由基反应性碳碳双键的化合物构成，所述丙烯酸类聚合物由丙烯酸酯、相对于丙烯酸酯100摩尔％的比例在10～40摩尔％范围内的含羟基单体和相对于含羟基单体100摩尔％的比例在70～90摩尔％范围内的分子内具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物构成，所述芯片接合薄膜由环氧树脂形成，并且层压在所述粘合剂层上。

14.

发明授权
切割/芯片接合薄膜有权

公开(公告)号：CN101911260B

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：CN200880125003.0

申请日：2008-12-24

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 松村健 , 神谷克彦 , 村田修平

IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/06 , C09J133/14

CPC classification number: C09J133/066 , C08F8/30 , C08F2220/1858 , C08F2810/50 , C08L63/00 , C08L2666/22 , C09J7/22 , C09J7/30 , C09J133/08 , C09J163/00 , C09J2201/36 , C09J2201/606 , C09J2203/326 , C09J2205/31 , C09J2433/00 , C09J2463/00 , C09J2463/006 , C09J2475/00 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L2221/68336 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/85 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01074 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/31551 , C08F2220/281 , C08F220/28 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207

Abstract: 本发明提供切割时的半导体晶片的保持力与拾取时的剥离性的平衡特性优良的切割/芯片接合薄膜。本发明的切割/芯片接合薄膜，具备在基材上具有粘合剂层的切割薄膜和设置在该切割薄膜上的芯片接合薄膜，其特征在于，所述粘合剂层含有使包含10～40摩尔％含羟基单体的丙烯酸类聚合物与相对于所述含羟基单体为70～90摩尔％范围内的具有自由基反应性碳碳双键的异氰酸酯化合物进行加成反应而得到的聚合物、及分子中具有两个以上对羟基显示反应性的官能团且相对于所述聚合物100重量份含量为2～20重量份的交联剂，并且，通过预定条件下的紫外线照射固化而成；所述芯片接合薄膜含有环氧树脂而构成，并且粘贴在紫外线照射后的粘合剂层上。

15.

发明授权
切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺失效

公开(公告)号：CN101740352B

公开(公告)日：2012-04-11

申请号：CN200910224841.X

申请日：2009-11-26

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 神谷克彦 , 大竹宏尚 , 松村健 , 村田修平

IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B28D5/00 , C09J133/08 , B32B7/12

CPC classification number: B32B7/12 , B32B3/08 , B32B5/18 , B32B7/06 , B32B15/04 , B32B23/04 , B32B25/12 , B32B25/14 , B32B27/18 , B32B27/20 , B32B27/22 , B32B27/281 , B32B27/285 , B32B27/286 , B32B27/30 , B32B27/32 , B32B27/34 , B32B27/36 , B32B27/365 , B32B27/38 , B32B27/40 , B32B29/002 , B32B2255/205 , B32B2262/101 , B32B2307/21 , B32B2307/306 , B32B2307/3065 , B32B2307/516 , B32B2307/518 , B32B2307/54 , B32B2457/14 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/11 , C09J2433/00 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/68377 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/8385 , H01L2224/92 , H01L2224/92247 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01084 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/19042 , Y10T428/249971 , Y10T428/249984 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929

Abstract: 本发明涉及切割模片接合膜和生产半导体器件的工艺。本发明涉及一种切割模片接合膜，其包括具有在基材上设置的压敏粘合剂层的切割膜；和在压敏粘合剂层上设置的模片接合膜，其中，所述切割膜的压敏粘合剂层具有包含发泡剂的热膨胀性压敏粘合剂层和活性能量射线固化型抗污压敏粘合剂层的层压结构，其依次层压在所述基材上，和其中模片接合膜由包含环氧树脂的树脂组合物构成。另外，本发明提供一种生产半导体器件的方法，包括采用上述切割模片接合膜。

16.

发明公开
切割/芯片接合薄膜无效

公开(公告)号：CN102190977A

公开(公告)日：2011-09-21

申请号：CN201110054001.0

申请日：2011-03-04

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 宍户雄一郎 , 松村健 , 村田修平

IPC: C09J7/02 , C09J133/08 , C09J4/02 , C09J4/06 , H01L21/68 , H01L21/58 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08L33/00 , C08K3/36

CPC classification number: H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48227 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/85207 , H01L2924/01012 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/1476 , H01L2924/00012 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供切割/芯片接合薄膜，即使半导体晶片为薄型的情况下，也可以在不损害将该晶片进行切割时的保持力的情况下使通过切割得到的半导体芯片与其芯片接合薄膜一起剥离时的剥离性优良。本发明的切割/芯片接合薄膜，具有在支撑基材上至少设置有粘合剂层的切割薄膜和设置在所述粘合剂层上的芯片接合薄膜，其中，所述粘合剂层的厚度为5μm～80μm，从所述芯片接合薄膜侧至少切割到所述粘合剂层的一部分后，将所述切割薄膜从所述芯片接合薄膜上剥下时的切割面附近处的剥离力的最大值在温度23℃、剥离角度180°、剥离点移动速度10mm/分钟的条件下为0.7N/10mm以下。

17.

发明公开
芯片保持用胶带、其制造方法及使用它制造半导体装置的方法、及芯片状工件的保持方法失效

公开(公告)号：CN102169849A

公开(公告)日：2011-08-31

申请号：CN201010623081.2

申请日：2010-12-27

Applicant: 日东电工株式会社

Inventor： 村田修平 , 松村健 , 水野浩二 , 浅井文辉

IPC: H01L21/68 , C09J7/02 , H01L21/00 , H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67132 , B32B7/12 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2201/36 , C09J2203/326 , H01L24/45 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/10253 , H01L2924/3025 , Y10T428/24331 , Y10T428/24777 , Y10T428/24802 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片保持用胶带、芯片状工件的保持方法、使用芯片保持用胶带的半导体装置制造方法及芯片保持用胶带的制造方法。本发明提供容易进行芯片状工件的粘贴剥离的芯片保持用胶带。一种芯片保持用胶带，具有在基材上形成有粘合剂层的构成，所述粘合剂层具有用于粘贴芯片状工件的芯片状工件粘贴区域和用于粘贴安装框架的框架粘贴区域，所述芯片保持用胶带通过将安装框架粘贴到所述框架粘贴区域上来使用，其中，所述粘合剂层中，在测定温度23±3℃、牵引速度300mm/分钟的条件下，所述框架粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力为所述芯片状工件粘贴区域中的对镜面硅晶片的180度剥离粘合力的5倍以上。