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公开(公告)号：CN103904042A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310740967.9
申请日：2013-12-26
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , B29C43/18 , B29K2083/00 , H01L33/56 , H01L2924/0002 , H01L2933/005 , Y10T428/265 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供封装片，其为用于封装光半导体元件的封装片，所述封装片具备：埋设层，其用于埋设光半导体元件；以及，用于抑制气体通过厚度方向的气体阻隔层，其设置于埋设层的厚度方向的一侧，厚度为50μm以上且1000μm以下。
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公开(公告)号：CN103531692A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310271787.0
申请日：2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L33/50 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2933/0041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供覆盖有荧光体层的LED、其制造方法及LED装置。该制造方法包括以下工序：准备工序，准备支承片，该支承片包括硬质的支承板和层叠在支承板的厚度方向上的一个表面上的、粘合力会因照射活性能量线而降低的粘合层；LED粘合工序，借助粘合层将LED粘合于支承板；覆盖工序，将荧光体层配置在支承板的厚度方向上的一个表面上，利用荧光体层来覆盖LED；切割工序，在覆盖工序后，通过与LED相对应地切割荧光体层，获得覆盖有荧光体层的LED，该覆盖有荧光体层的LED包括LED和覆盖LED的荧光体层；以及LED剥离工序，在切割工序之后，从至少厚度方向上的一侧向粘合层照射活性能量线，并将覆盖有荧光体层的LED自粘合层剥离。
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公开(公告)号：CN103531688A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310272063.8
申请日：2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: F21V13/02 , H01L33/46 , H01L33/50 , H01L2224/13 , H01L2933/0041 , H05B33/10
Abstract: 本发明提供一种覆有反射层-荧光体层的LED、其制造方法、LED装置及其制造方法。该覆有反射层－荧光体层的LED的制造方法具有：配置工序，将反射层配置在支承台的厚度方向一侧；反射层覆盖工序，在配置工序之后，将一侧面设置有端子的LED以LED的一侧面被反射层覆盖的方式配置在支承台的厚度方向一侧；以及荧光体层覆盖工序，以覆盖LED的至少另一侧面的方式形成荧光体层。
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公开(公告)号：CN119894958A
公开(公告)日：2025-04-25
申请号：CN202380063873.4
申请日：2023-08-31
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供高温时的耐刮擦性优异的光固化性树脂片。本发明为一种光固化性树脂片，其中，所述固化性树脂片包含：(A)具有环氧基的高分子化合物和(B)具有光聚合引发基团的低分子化合物，高分子化合物(A)的环氧官能团当量X为100g/eq＜X＜400g/eq。
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公开(公告)号：CN107665853A
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201710632480.7
申请日：2017-07-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/683 , H01L21/67 , C09J7/40 , C09J133/08
CPC classification number: H01L21/6836 , C09J133/08 , C09J2203/326 , H01L21/67132 , H01L2221/68327
Abstract: 本发明涉及切割带一体型半导体背面用薄膜、和半导体装置的制造方法。本发明提供在刀片切割时能够减少在芯片侧面产生的龟裂的切割带一体型半导体背面用薄膜。本发明为切割带一体型半导体背面用薄膜，其具备：具有基材和在基材上形成的粘合剂层的切割带、以及在切割带的粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用薄膜，粘合剂层在紫外线照射后、在23℃下的拉伸模量为1MPa～200MPa。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106084597A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610273102.X
申请日：2016-04-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L33/00 , C08L63/00 , C08L61/06 , C08K3/36 , C08J5/18 , C09J7/02 , C09J7/04 , C09J133/00 , B32B25/12 , B32B27/30 , B32B27/34 , B32B27/28 , B32B27/36 , B32B27/38 , B32B27/08 , B32B7/12 , B32B15/09 , B32B27/10 , B32B27/12 , B32B25/08 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供背面保护薄膜、一体型薄膜、薄膜、半导体装置的制造方法和保护芯片的制造方法。提供能够用红外线照相机隔着背面保护薄膜捕捉半导体元件的裂纹的背面保护薄膜等。涉及一种背面保护薄膜，其用于保护半导体元件的背面，波长800nm的平行光线透过率为15％以上。背面保护薄膜的波长800nm的平行光线透过率相对于波长532nm的平行光线透过率之比优选为2以上。
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公开(公告)号：CN102190888B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110051555.5
申请日：2011-03-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/5419 , C08K5/56 , C08K5/57 , H01L33/56 , C08L83/00
Abstract: 本发明涉及一种用于热固性硅树脂的组合物，所述组合物包含：(1)双末端硅烷醇型硅油；(2)含烯基的硅化合物；(3)有机氢硅氧烷；(4)缩合催化剂；和(5)氢化硅烷化催化剂，其中所述(4)缩合催化剂包含锡络合物。
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公开(公告)号：CN103531691A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310270747.4
申请日：2013-07-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H05B33/10 , H01L33/0095 , H01L33/501 , H01L2224/96 , H01L2933/0041
Abstract: 本发明涉及被覆有荧光体层的LED、其制造方法以及LED装置，所述制造方法包括如下工序：LED配置工序，在支撑片的厚度方向的一个面上配置LED；层配置工序，以被覆LED的方式在支撑片的厚度方向的一个面上配置荧光体层，所述荧光体层由含有通过活性能量射线的照射而固化的活性能量射线固化性树脂以及荧光体的荧光树脂组合物形成；固化工序，对荧光体层照射活性能量射线，使荧光体层固化；裁切工序，与LED对应地裁切荧光体层，从而得到具备LED、和被覆LED的荧光体层的被覆有荧光体层的LED；以及LED剥离工序，在裁切工序之后，将被覆有荧光体层的LED从支撑片剥离。
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公开(公告)号：CN103087528A
公开(公告)日：2013-05-08
申请号：CN201210429447.1
申请日：2012-10-31
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: C08L83/04 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08K5/19 , C08K5/56 , C08L83/00 , C09D183/04
Abstract: 本发明涉及有机硅树脂组合物、片及其制法、光半导体元件装置，所述有机硅树脂组合物含有：第一有机聚硅氧烷，其在1分子中兼具至少2个烯属不饱和烃基和至少2个硅醇基；和第二有机聚硅氧烷，其不含烯属不饱和烃基且在1分子中具有至少2个氢化硅烷基；和氢化硅烷化催化剂；和氢化硅烷化抑制剂。
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公开(公告)号：CN102268186A
公开(公告)日：2011-12-07
申请号：CN201110157575.0
申请日：2011-06-02
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L83/06 , C08L83/05 , C08K9/06 , C08K3/36 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , H01L33/56
CPC classification number: C08J3/243 , C08G77/12 , C08G77/16 , C08G77/20 , C08J2383/04 , C08K3/36 , C08K5/5425 , C08K5/5435 , C08L83/04 , C09D183/04 , Y10T428/2995 , Y10T428/31663 , C08L83/00
Abstract: 本发明涉及一种热固性硅树脂用组合物，其包含：(1)在末端具有硅烷醇基的有机聚硅氧烷；(2)含烯基的硅化合物；(3)含环氧基的硅化合物；(4)有机氢硅氧烷；(5)缩合催化剂；(6)氢化硅烷化催化剂；和(7)二氧化硅粒子，其中所述(7)二氧化硅粒子具有2～50μm的50％体积累积粒径，粒度为1μm以下的粒子的含量为15数量％以下，且粒度为60μm以上的粒子的含量为15数量％以下。
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