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公开(公告)号：CN102399505A
公开(公告)日：2012-04-04
申请号：CN201110276306.6
申请日：2011-09-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , C08K7/00 , C09J7/35 , C09J9/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/25 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 本发明的目的在于提供一种切割/芯片接合薄膜，其具有不易引起剥离带电并且胶粘性、作业性良好的芯片接合薄膜。一种在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其中，热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10-6Ω·cm以上且1×10-3Ω·cm以下，并且，热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为0.1GPa～10GPa。
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公开(公告)号：CN102386054A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110270510.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T428/21 , Y10T428/31504 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜以及半导体装置，在将所述半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹，所述半导体装置用薄膜为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜。一种半导体装置用薄膜，其为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，其特征在于，23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范围内。
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公开(公告)号：CN101617390A
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200880005676.2
申请日：2008-01-28
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J11/04 , C09J133/00 , C09J161/00 , C09J163/00 , H01L21/52 , H01L21/683
CPC classification number: H01L23/3121 , C08G18/4045 , C08G18/6254 , C08L33/08 , C09J175/04 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2224/274 , H01L2224/27436 , H01L2224/29 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/29198 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29316 , H01L2224/29318 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/29364 , H01L2224/29371 , H01L2224/29386 , H01L2224/29393 , H01L2224/32014 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/83855 , H01L2224/8388 , H01L2224/83885 , H01L2224/85201 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2225/0651 , H01L2225/06572 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01016 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01056 , H01L2924/01073 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , Y10T428/24355 , H01L2924/00014 , H01L2924/0635 , H01L2924/066 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05432 , H01L2924/0532 , H01L2924/04642 , H01L2924/05042 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299
Abstract: 本发明提供切割工序时的胶粘性及拾取工序时的剥离性均控制良好的切割/芯片接合薄膜及其制造方法。本发明的切割/芯片接合薄膜，在基材上具有粘合剂层，并且在该粘合剂层上具有芯片接合层，其特征在于，所述芯片接合层中粘合剂层侧的算术平均粗糙度X(μm)为0.015μm～1μm，所述粘合剂层中芯片接合层侧的算术平均粗糙度Y(μm)为0.03μm～1μm，并且所述X与Y之差的绝对值为0.015以上。
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公开(公告)号：CN102386054B
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：CN201110270510.7
申请日：2011-09-06
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67132 , H01L21/67092 , Y10T428/21 , Y10T428/31504 , Y10T428/31855
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜以及半导体装置，在将所述半导体装置用薄膜卷绕为卷筒状时，可以抑制在胶粘薄膜上产生转印痕迹，所述半导体装置用薄膜为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜。一种半导体装置用薄膜，其为在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以规定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到的半导体装置用薄膜，其特征在于，23℃下胶粘薄膜的拉伸储能弹性模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能弹性模量Eb的比Ea/Eb在0.001～50的范围内。
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公开(公告)号：CN102029655B
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201010297302.1
申请日：2010-09-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/67132 , Y10T428/14
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用薄膜及使用该半导体装置用薄膜而得到的半导体装置，所述半导体装置用薄膜即使在低温状态下输送或长时间保存后，也可以防止各薄膜间的界面剥离或薄膜翘起现象、以及胶粘薄膜向覆盖薄膜的转印。一种半导体装置用薄膜，在切割薄膜上依次层叠有胶粘薄膜和覆盖薄膜，其中，在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T形剥离试验中，所述胶粘薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025～0.075N/100mm的范围内，所述胶粘薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08～10N/100mm的范围内，并且所述F1与所述F2满足F1＜F2的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103081069A
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：CN201180042800.4
申请日：2011-08-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09J7/02 , C09J201/00 , H01L21/52
CPC classification number: C09J7/30 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L23/293 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种带有切割片的胶粘薄膜，将在切割薄膜（11）上层叠有胶粘薄膜（12）的带有切割片的胶粘薄膜（1）以预定的间隔层叠在覆盖薄膜（2）上而得到半导体装置用薄膜（10），将半导体装置用薄膜（10）卷绕为卷筒状时可以保持转印痕迹的抑制功能并且覆盖薄膜的前端伸出（引出）容易，可靠性优良。本发明的半导体装置用薄膜，在切割薄膜上层叠有胶粘薄膜的带有切割片的胶粘薄膜以预定的间隔层叠在覆盖薄膜上而得到，其中，23℃下切割薄膜的拉伸储能模量Ea与23℃下覆盖薄膜的拉伸储能模量Eb之比Ea/Eb在0.001～100的范围内。
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公开(公告)号：CN101260223B
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN200810080687.9
申请日：2008-03-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L63/00 , C08L33/00 , C08L61/06 , C08J5/18 , C09J163/00 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J7/00 , H01L21/58
Abstract: 本发明的热固化型模片键合膜，其在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有5～15重量％热塑性树脂成分及45～55重量％热固性树脂成分为主成分，并且热固化前的100℃下的熔融粘度为400Pa·s以上、2500Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN101752217A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910246390.X
申请日：2009-11-27
Applicant: 日东电工株式会社
Inventor： 天野康弘
IPC: H01L21/00 , H01L21/68 , H01L21/304 , B28D5/00 , B32B7/12
CPC classification number: B32B38/0012 , B32B37/12 , B32B2038/0028 , B32B2307/734 , B32B2309/027 , B32B2457/14 , H01L21/67011 , Y10T428/14
Abstract: 本发明提供一种半导体装置制造用薄膜，其是在层叠薄膜上贴合覆盖薄膜的半导体装置制造用薄膜，其特征在于，相对贴合所述覆盖薄膜前的层叠薄膜，剥离所述覆盖薄膜并在温度23±2℃下放置24小时后的层叠薄膜的长边方向及宽度方向的收缩率处于0～2％的范围内。
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公开(公告)号：CN101260223A
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200810080687.9
申请日：2008-03-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C08L63/00 , C08L33/00 , C08L61/06 , C08J5/18 , C09J163/00 , C09J133/00 , C09J161/06 , C09J7/00 , H01L21/58
Abstract: 本发明的热固化型模片键合膜，其在制造半导体装置时使用，其特征在于，含有5～15重量％热塑性树脂成分及45～55重量％热固性树脂成分为主成分，并且热固化前的100℃下的熔融粘度为400Pa·s以上、2500Pa·s以下。
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公开(公告)号：CN102399505B
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201110276306.6
申请日：2011-09-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L21/78 , C08K7/00 , C09J7/35 , C09J9/02 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L23/3121 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L2221/68327 , H01L2221/68336 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/29324 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/2939 , H01L2224/294 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01077 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/15747 , H01L2924/15788 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , Y10T428/25 , Y10T428/28 , Y10T428/2817 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2924/00011
Abstract: 本发明的目的在于提供一种切割/芯片接合薄膜，其具有不易引起剥离带电并且胶粘性、作业性良好的芯片接合薄膜。一种在切割薄膜上设置有热固型芯片接合薄膜的切割/芯片接合薄膜，其中，热固型芯片接合薄膜含有导电性粒子，热固型芯片接合薄膜的体积电阻率为1×10-6Ω·cm以上且1×10-3Ω·cm以下，并且，热固型芯片接合薄膜热固化前在-20℃下的拉伸储能弹性模量为0.1GPa～10GPa。
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