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公开(公告)号：CN102723410A
公开(公告)日：2012-10-10
申请号：CN201210088602.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2933/005
Abstract: 提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
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公开(公告)号：CN102709451A
公开(公告)日：2012-10-03
申请号：CN201210084562.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/17 , H01L33/405 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，制造方法具备以下工序：准备基底基板；使电极部设置于厚度方向一侧的光半导体层与基底基板相向配置，将电极部与端子进行电连接，将光半导体层倒装安装到基底基板；在基底基板的另一侧以覆盖光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层；去除密封树脂层的另一侧部，使得光半导体层暴露；以及以与光半导体层的另一面接触的方式形成呈片状的荧光体层。
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公开(公告)号：CN115247017A
公开(公告)日：2022-10-28
申请号：CN202210456785.8
申请日：2022-04-27
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: C09D163/00 , C09D133/00 , C09D161/06 , C09D7/61 , H01L21/56 , H01L23/29 , H01L23/31
Abstract: 本发明的热固性片具备半导体芯片包覆层，该半导体芯片包覆层包含热固性树脂，并且以覆盖着半导体芯片的至少一部分的状态发生热固化，上述半导体芯片包覆层在温度140℃、频率10Hz及剪切应力5000Pa的条件下测定的热固化前的剪切模量为100Pa以上且2000Pa以下，并且在热固化后，对于波长500nm的光的直线透射率为60％以上且95％以下。
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公开(公告)号：CN111344845A
公开(公告)日：2020-06-26
申请号：CN201880074101.X
申请日：2018-09-05
Applicant: 日东电工株式会社
Abstract: 本发明的半导体工艺片具备双面粘合片(10)和部分密封剂层(20)。双面粘合片(10)在其粘合面(10a、10b)间的层叠结构中包含基材(11)、粘合力降低型的粘合剂层(12)和例如压敏性的粘合剂层(13)。部分密封剂层(20)位于双面粘合片(10)的粘合面(10b)上。本发明的方法例如包括：对粘合面(10a)贴合于支撑体的半导体工艺片的部分密封剂层(20)安装多个半导体芯片的工序；使以包埋半导体芯片的方式供给的密封剂和部分密封剂层(20)固化而形成密封材料部的工序；使密封材料部与粘合面(10b)之间分隔的工序；在密封材料部上形成布线结构部的工序；及将密封材料部和布线结构部按每个半导体芯片进行分割的工序。所述半导体工艺片和方法适于效率良好地制造半导体封装体。
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公开(公告)号：CN105470372A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510937597.7
申请日：2012-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2933/005 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/60
Abstract: 提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
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公开(公告)号：CN102543901A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110405057.6
申请日：2011-12-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , B29C33/68 , B29C43/18 , B29C43/203 , B32B37/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T156/10 , Y10T428/2839 , Y10T428/2848 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法，密封构件包括长条的剥离薄膜和由密封树脂构成的、沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层。
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公开(公告)号：CN102447051A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303035.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法。发光二极管密封材料包括发光二极管密封层和层叠在发光二极管密封层上的透镜成形层。
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公开(公告)号：CN102347404A
公开(公告)日：2012-02-08
申请号：CN201110214274.7
申请日：2011-07-22
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: G01R31/2635 , H01L25/0753 , H01L33/0095 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2933/005 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及一种发光装置的检查方法及发光装置的检查之后的处理方法。该方法包括通过将电流施加于多个发光元件并判断每个发光元件通过测试或未通过测试来对(A)包括具有在其上安装并且封装的多个发光元件的引线框架的发光装置或(B)通过树脂包封并封装发光装置(A)获得的发光装置进行发光测试，其中，发光装置中的多个发光元件的布置被如下(α)地设置：(α)在具有包括多行和多列以及由此形成的多个交点的格子形式的引线框架中，多个发光元件被布置在每行的相邻交点之间，每行中的相邻的发光元件彼此连接，使得其正电极端子或负电极端子彼此面对，以及引线框架中的正侧电源通道或负侧电源通道用作某一列以及与其相邻的列之间的公共通道。
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公开(公告)号：CN119836347A
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202380046623.X
申请日：2023-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: B32B27/30 , B32B7/06 , H01L21/301
Abstract: 本发明的保护片具备：保护层，粘贴于被粘物；以及剥离衬垫，配置于该保护层的表面，所述保护层包含水溶性高分子，所述剥离衬垫具备与所述保护层对置的内表面和与该内表面成为相反面的外表面，从所述剥离衬垫的所述外表面起到透过所述保护层为止的透光率在至少一种波长下比所述剥离衬垫的透光率低15％以上。
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