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公开(公告)号：CN102723410B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201210088602.8
申请日：2012-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2933/005
Abstract: 提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
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公开(公告)号：CN102447051B
公开(公告)日：2016-06-22
申请号：CN201110303035.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法。发光二极管密封材料包括发光二极管密封层和层叠在发光二极管密封层上的透镜成形层。
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公开(公告)号：CN102807758B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201210180500.9
申请日：2012-06-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L2224/16225 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/0058 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及反光材料及发光二极管装置，所述反光材料含有：由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。
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公开(公告)号：CN105470372A
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201510937597.7
申请日：2012-03-28
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L33/505 , H01L33/62 , H01L2224/13 , H01L2933/005 , H01L33/50 , H01L33/52 , H01L33/60
Abstract: 提供发光二极管装置的制造方法及发光二极管元件，方法包括以下工序：准备形成为片状的荧光体层的工序；在荧光体层的厚度方向中一方向侧的面形成光半导体层的工序；在光半导体层的一方向侧的面形成电极部的工序；以被覆光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层的工序；将密封树脂层的局部除去以露出电极部的一方向侧的面，从而制造发光二极管元件的工序；将电极部与端子电连接来在基底基板上倒装安装发光二极管元件的工序。
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公开(公告)号：CN102543901A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110405057.6
申请日：2011-12-07
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/52 , B29C33/68 , B29C43/18 , B29C43/203 , B32B37/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/97 , H01L2924/181 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , Y10T156/10 , Y10T428/2839 , Y10T428/2848 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供密封构件、密封方法及光半导体装置的制造方法，密封构件包括长条的剥离薄膜和由密封树脂构成的、沿剥离薄膜的长度方向以彼此隔着间隔并列配置的方式层叠在剥离薄膜之上的多个密封树脂层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102447051A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN201110303035.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法。发光二极管密封材料包括发光二极管密封层和层叠在发光二极管密封层上的透镜成形层。
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公开(公告)号：CN102709451B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201210084562.X
申请日：2012-03-27
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/46 , H01L24/17 , H01L33/405 , H01L33/505 , H01L33/60 , H01L2224/16225 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/005 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种发光二极管装置及其制造方法，制造方法具备以下工序：准备基底基板；使电极部设置于厚度方向一侧的光半导体层与基底基板相向配置，将电极部与端子进行电连接，将光半导体层倒装安装到基底基板；在基底基板的另一侧以覆盖光半导体层和电极部的方式形成含有光反射成分的密封树脂层；去除密封树脂层的另一侧部，使得光半导体层暴露；以及以与光半导体层的另一面接触的方式形成呈片状的荧光体层。
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公开(公告)号：CN102807758A
公开(公告)日：2012-12-05
申请号：CN201210180500.9
申请日：2012-06-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L2224/16225 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/0058 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及反光材料及发光二极管装置，所述反光材料含有：由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。
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公开(公告)号：CN102315369A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110184487.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/50
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091 , H05B33/145 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供荧光体层及发光装置，该荧光体层由分散有荧光体颗粒和光散射颗粒的树脂形成。
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公开(公告)号：CN105161604A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201510624423.5
申请日：2011-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091 , H05B33/145 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供荧光体层及发光装置，该荧光体层由分散有荧光体颗粒和光散射颗粒的树脂形成。
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