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公开(公告)号:CN119384713A
公开(公告)日:2025-01-28
申请号:CN202380046624.4
申请日:2023-06-14
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/02 , C09J7/30 , C09J7/38 , C09J7/40 , C09J201/00 , H01L21/301 , H01L21/683
Abstract: 本发明的保护片具备:保护层;第一剥离衬垫,配置于该保护层的一表面;以及第二剥离衬垫,配置于所述保护层的另一表面,所述保护层包含水溶性高分子化合物,在将所述第一剥离衬垫对所述保护层的剥离力设为PA、将第二剥离衬垫对所述保护层的剥离力设为PB时,剥离力PA和剥离力PB满足以下的关系式:PA<PB、PB≤2000mN/25mm。
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公开(公告)号:CN118922914A
公开(公告)日:2024-11-08
申请号:CN202380029843.1
申请日:2023-04-03
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C09D201/02
Abstract: 提供表面保护用组合物等,其保护基板的至少一个面,所述表面保护用组合物包含:在分子中具有亲水基团的聚合物、和通过加热或活性能量射线的照射中的至少一者而产生酸或碱的化合物。
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公开(公告)号:CN102447051B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201110303035.9
申请日:2011-09-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/54 , H01L33/56 , H01L33/58 , H01L2224/48091 , H01L2933/005 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供发光二极管密封材料和发光二极管装置的制造方法。发光二极管密封材料包括发光二极管密封层和层叠在发光二极管密封层上的透镜成形层。
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公开(公告)号:CN102807758B
公开(公告)日:2015-06-17
申请号:CN201210180500.9
申请日:2012-06-01
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/60 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L2224/16225 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2933/0058 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明涉及反光材料及发光二极管装置,所述反光材料含有:由硅醇基两末端聚硅氧烷、乙烯系硅化合物、含环氧基硅化合物、有机氢硅氧烷、缩合催化剂和加成催化剂制备的有机硅树脂组合物、和光反射成分。
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公开(公告)号:CN102738323A
公开(公告)日:2012-10-17
申请号:CN201210110419.3
申请日:2012-04-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L2224/16 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法。该发光元件转印片的制造方法包括:准备发光元件片的工序,该发光元件片包括在一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在光半导体层的另一侧面上的荧光体层;将发光元件片分割为多个、并形成多个发光元件的工序;将多个发光元件彼此隔开间隔地配置在基材上的工序;以覆盖发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在基材上的工序;除去反射树脂层的一部分而使电极部的一侧面从反射树脂层暴露出的工序。
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公开(公告)号:CN119547182A
公开(公告)日:2025-02-28
申请号:CN202380046622.5
申请日:2023-07-07
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , C08L101/14
Abstract: 提供一种保护片,其具备保护层,所述保护层在将保护对象物的表面的至少一部分保护之后,通过包含水的液体被去除,所述保护层包含固体状的亲水性聚合物和分子中含有亲水基的液态的化合物。
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公开(公告)号:CN111656492A
公开(公告)日:2020-09-11
申请号:CN201980010799.3
申请日:2019-01-16
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L21/301 , B32B7/06 , B32B27/00 , C09J7/20 , C09J201/00 , H01L23/00
Abstract: 提供可在自隔离体的剥离时不易产生褶皱的半导体背面密合薄膜。半导体背面密合薄膜的平面投影面积为22500mm2以上,平面投影形状为具有至少1个曲率半径R1为0.5~10mm的圆弧部的非圆形状。一种切割带一体型半导体背面密合薄膜,其具备:切割带,所述切割带具有包含基材和粘合剂层的层叠结构;和前述半导体背面密合薄膜,其以可剥离的方式密合于前述切割带中的前述粘合剂层,前述切割带的平面投影面积比前述半导体背面密合薄膜大,并且平面投影形状具有圆弧部。
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公开(公告)号:CN102738323B
公开(公告)日:2016-12-28
申请号:CN201210110419.3
申请日:2012-04-13
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/56 , H01L24/97 , H01L33/0095 , H01L33/46 , H01L2224/16 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/15787 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供发光元件转印片及其制造方法、发光装置及其制造方法。该发光元件转印片的制造方法包括:准备发光元件片的工序,该发光元件片包括在一侧面上连接有电极部的光半导体层、层叠在光半导体层的另一侧面上的荧光体层;将发光元件片分割为多个、并形成多个发光元件的工序;将多个发光元件彼此隔开间隔地配置在基材上的工序;以覆盖发光元件的方式将含有光反射成分的反射树脂层形成在基材上的工序;除去反射树脂层的一部分而使电极部的一侧面从反射树脂层暴露出的工序。
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公开(公告)号:CN105161604A
公开(公告)日:2015-12-16
申请号:CN201510624423.5
申请日:2011-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
CPC classification number: H01L33/505 , H01L33/501 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H01L2933/0091 , H05B33/145 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供荧光体层及发光装置,该荧光体层由分散有荧光体颗粒和光散射颗粒的树脂形成。
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公开(公告)号:CN102315339B
公开(公告)日:2015-05-27
申请号:CN201110184478.0
申请日:2011-06-29
Applicant: 日东电工株式会社
IPC: H01L33/00
CPC classification number: H01L33/505 , H01L2224/48091 , H01L2933/0041 , H05B33/22 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提供荧光体层转印片及发光装置。具体提供一种荧光体层转印片,其具有剥离基材、和形成在剥离基材上的荧光体层、和形成在荧光体层上的粘接剂层。
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