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公开(公告)号：CN117014769A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202210450986.7
申请日：2022-04-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风的振膜结构及其制造方法，所述振膜结构包括具有泄气结构的振膜膜层，振膜膜层还设有气孔，振膜结构还包括覆盖气孔的阀盖，阀盖包括将阀盖的一端与振膜膜层固定连接的固接部，阀盖在气孔周围360度均与气孔边缘的振膜膜层直接接触，从而完全覆盖气孔，阀盖用于在受到大于压力阈值的气压时打开从而将气孔露出进行泄气。本发明的阀盖为将气孔盖合的常闭状态，MEMS麦克风的振膜在声压较小时通过泄气结构正常泄气；阀盖只有在承受较大的声压时才打开，因此在受到较大的声压冲击时可以快速减小振膜上的声压，保护MEMS麦克风。由于阀盖将气孔完全覆盖，因此在声压未达到压力阈值时，气孔没有气流通过，对麦克风的频率特性没有影响。
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公开(公告)号：CN104796831B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201410030626.7
申请日：2014-01-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 胡永刚
Abstract: 本发明提供一种电容式麦克风及其制造方法，所述电容式麦克风包括：具有正面和背面的基底；自所述基底背面的中部贯穿所述基底的背腔；位于所述基底正面的背板，所述背板悬置于所述背腔上的部分形成有多个凹坑以使得所述背板为上下起伏的非平坦结构；位于所述背板的上方并与所述背板共形的振膜，所述振膜与所述背板间具有振荡空腔，所述背板上设置有将所述振荡空腔和所述背腔连通起来的多个声孔。与现有技术相比，本发明中的电容式麦克风的背板和振膜上都设置有多个对应的凹坑，这样可以有效增加由背板和振膜构成的平板电容的电极表面积，从而在保证电容值一定的情况下，减小电容式麦克风的芯片面积。
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公开(公告)号：CN117832073A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202211201759.7
申请日：2022-09-29
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/306
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；图案化所述基底，在所述基底的第一区域形成从所述基底的第一表面向基底内延伸的至少一沟槽，所述第一区域除各所述沟槽之外的位置残留有基底结构；各所述沟槽的深宽比均大于1/2，所述第一区域残留的所述基底结构的高宽比大于1/2；淀积目标材料填充各所述沟槽；通过光刻和刻蚀去除所述第一区域残留的所述基底结构；淀积所述目标材料填充所述去除的所述基底结构的位置。本发明能够通过两次淀积厚度较薄的淀积工艺，实现传统工艺所不具备的深度十几至上百微米的小深宽比的深槽填充，工艺较简单，成本较低。
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公开(公告)号：CN111908420B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910383273.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117550545A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210936635.7
申请日：2022-08-05
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体器件结构及其加工方法，所述方法包括：获取基底；在基底表面形成图案化的第一刻蚀阻挡层，所述第一刻蚀阻挡层具有沟槽窗口；刻蚀所述基底至第一预定深度，形成沟槽；去除所述第一刻蚀阻挡层并在所述沟槽中填充牺牲层材料；在所述基底表面形成图案化的第二刻蚀阻挡层，所述第二刻蚀阻挡层具有腔体窗口；刻蚀所述基底至第二预定深度，形成腔体，所述牺牲层材料和第二刻蚀阻挡层作为刻蚀的阻挡层；所述第二预定深度小于所述第一预定深度，从而使所述沟槽的底部低于所述腔体的底部；去除所述牺牲层材料。本发明的牺牲层材料在第二次刻蚀时对腔体底部与沟槽形成的台阶起保护作用，因此该台阶能够保持较好的台阶形貌。
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公开(公告)号：CN110092345A
公开(公告)日：2019-08-06
申请号：CN201810096459.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法，所述MEMS器件包括：基底，所述基底包括测试区与非测试区，所述测试区与非测试区之间设有挖空的隔离槽，所述隔离槽环绕所述测试区设置；连接结构，所述测试区通过所述连接结构与所述非测试区相连接，所述连接结构为薄膜结构或硅悬臂梁结构。上述MEMS器件，设有隔离槽，该隔离槽环绕设置于测试区外边，其测试区通过且仅通过特定的连接结构与基底材料的其他区域(即非测试区)相连接。采用上述结构，该连接结构不会将非测试区形变形成的力传递到测试区，以消除非测试区的形变对上述MEMS器件测试时的影响，使测试结果更准确。
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公开(公告)号：CN105338458B
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201410376030.2
申请日：2014-08-01
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Inventor： 胡永刚
IPC: H04R19/04
CPC classification number: H04R19/04 , B81B3/0037 , B81B2201/0257 , B81B2203/0127 , B81B2203/0315 , G01L9/0045 , G01L9/0073 , H04R7/12 , H04R7/14 , H04R7/16 , H04R19/005 , H04R2201/003
Abstract: 一种MEMS麦克风，由于上极板的中心区域或下极板的中心区域设有凹部，上极板的中心区域和下极板的中间区域的距离较远，构成可变电容结构的上极板(例如作为振膜)和下极板(例如作为背板)之间不容易粘连，有效降低出现振膜和背板粘连问题的几率，提高成品率。同时，由于可变电容的极板的中心区域不需要被挖掉，有效利用振膜机械灵敏度最高的区域，最大程度保持了MEMS麦克风的灵敏度。
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公开(公告)号：CN116996822A
公开(公告)日：2023-11-03
申请号：CN202210437624.4
申请日：2022-04-25
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS换能器及其制造方法，所述MEMS换能器包括：振膜；支撑结构，与振膜相对设置，包括第一导电材料；连接结构，包括第二导电材料，连接结构用于实现振膜和支撑结构的机械和电性连接；背板，与振膜相对设置，背板与支撑结构之间不连接从而实现与支撑结构的绝缘和应力隔离；第一电极，设于支撑结构上，通过支撑结构和连接结构形成与振膜的电性连接；第二电极，设于背板上，与背板电性连接；其中，振膜的四周形成空隙带，以使振膜的竖向振动不因振膜四周连接其他结构而受限。本发明的振膜振动时电容信号变化更具线性，可以减少换能器的总谐波失真。并且效利用了振膜的边缘区域进行振动，减少了寄生电容，可以提高换能器的灵敏度和信噪比。
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公开(公告)号：CN116264659A
公开(公告)日：2023-06-16
申请号：CN202111536878.3
申请日：2021-12-15
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS结构及其制造方法，所述MEMS结构的制造方法包括：获取基底；在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层；在所述牺牲层上形成结构层；图案化所述结构层形成所需的结构，包括在各所述空心隧道的正上方分别形成与各空心隧道对应的腐蚀孔；通过各所述腐蚀孔腐蚀所述牺牲层，形成空腔。本发明通过在牺牲层中设置多条空心隧道，使得牺牲层腐蚀时腐蚀剂能够进入隧道从而加快腐蚀速率。并且由于腐蚀剂在任意位置进入隧道后就能在隧道的整个长度方向上扩散开，因此只设置少量的腐蚀孔就能够将预定腐蚀区域的牺牲层腐蚀完全，避免因设置密集的腐蚀孔而影响结构层的强度。
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