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公开(公告)号：CN113845084A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010599056.9
申请日：2020-06-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电容压力传感器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有注入层；在所述注入层上依次形成氧化物层和顶硅层；刻蚀所述顶硅层以形成深槽矩阵；刻蚀所述氧化物层以形成空腔；使顶硅层形成连续的硅膜以封口所述空腔。本发明采用硅迁移技术进行封口，形成连续且封闭的上电极，并利用深槽做为空腔形成过程中的释放孔，工艺简单且效率更高，能够极大的提升产能和可靠性。
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公开(公告)号：CN112533119A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910885581.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风及其制备方法。上述MEMS麦克风的制备方法包括如下步骤：提供具有硅表面的硅基板；在硅基板上形成封闭的腔体；在硅基板上开设多个间隔的声孔，每个声孔具有两个开口，一个开口与腔体连通，另一个开口位于硅表面上；在硅基板上形成包括第一填充部、第二填充部以及遮蔽部的牺牲层；在遮蔽部上形成多晶硅层；在硅基板远离硅表面的一侧开设凹槽；去除第一填充部、第二填充部以及部分遮蔽部，使凹槽与腔体连通以形成背腔，且多晶硅层、剩余遮蔽部和硅基板围设形成空腔，空腔与多个声孔远离腔体的开口连通，得到MEMS麦克风。上述MEMS麦克风的制备方法能够降低硅基板上叠层的厚度，从而降低了工艺的难度。
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公开(公告)号：CN109216153B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710534160.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高氮化硅耐腐蚀性的方法和半导体器件的制备方法。提高氮化硅耐腐蚀性的方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板上采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层；所述氮化硅层是以氨气和硅烷为反应物沉积而成，所述硅烷与氨气的气体流量比值范围为3～6；对所述氮化硅层进行退火处理；对所述氮化硅层进行湿法刻蚀并腐蚀部分所述基板。通过上述方法，氮化硅的耐腐蚀性增强、氮化硅层与之相邻的膜层(多晶硅层或氧化层)的粘附性增强、同时也减小了氮化硅层在湿法刻蚀等工艺后界面的横向钻蚀尺寸。
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公开(公告)号：CN111924794B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN201910392505.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。
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公开(公告)号：CN111908420A
公开(公告)日：2020-11-10
申请号：CN201910383273.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384195B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201710692827.7
申请日：2017-08-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。根据本发明，可以减小管芯面积，降低工艺难度并减少成本。
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公开(公告)号：CN109384195A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710692827.7
申请日：2017-08-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。根据本发明，可以减小管芯面积，降低工艺难度并减少成本。
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公开(公告)号：CN102263011B
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201010188028.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/60 , H01L23/525 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。
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公开(公告)号：CN102263011A
公开(公告)日：2011-11-30
申请号：CN201010188028.4
申请日：2010-05-26
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L21/60 , H01L23/525 , H01L23/485
CPC classification number: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2924/14 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体结构的制造方法，包括：提供衬底，所述衬底分为形成有熔丝结构的熔丝区和形成有焊垫的焊垫区，熔丝结构包括表层的第一抗刻蚀层，焊垫包括表层的第二抗刻蚀层；形成保护层；在保护层上形成光刻胶层并进行图形化，在光刻胶层中形成开口，所述开口暴露出部分焊垫位置的保护层、熔丝结构位置及其之外两侧部分的保护层；进行第一次刻蚀，直至熔丝区暴露出第一抗刻蚀层，同时焊垫区暴露出第二抗刻蚀层；进行第二次刻蚀，去除焊垫的表层的第二抗刻蚀层以及熔丝结构表层的第一抗刻蚀层。本发明采用单次光刻而后依次进行两次刻蚀的工艺，减少光刻次数。
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公开(公告)号：CN102148151A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010118122.2
申请日：2010-02-10
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/311 , H01L21/00 , H01L21/687
Abstract: 一种刻蚀设备和氮化硅的刻蚀方法，其中氮化硅的刻蚀方法包括：提供衬底，所述衬底表面依次形成有氧化硅层和氮化硅层；在所述氮化硅层表面形成光刻胶图形；以所述光刻胶图形为掩膜，刻蚀所述氮化硅直至暴露出氧化硅层，所述刻蚀工艺采用的腔室去除聚焦环，且所述腔室的覆盖环表面无锁孔。本发明能够避免在刻蚀工艺形成的聚合物掉落在刻蚀衬底上，还能够减低刻蚀腔室内的部件清洗次数；且刻蚀工艺选用刻蚀腔室的覆盖环表面无锁孔，避免等离子体透过锁孔造成电流导通，造成静电卡盘被等离子体打坏，从而影响工艺。
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