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公开(公告)号：CN111628748A
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201910148647.1
申请日：2019-02-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H03H9/145 , H01L41/332 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及声表面波器件制备方法以及由该制备方法制备而成的声表面波器件，该制备方法包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且半导体基底在空腔上方连接起来，将空腔封闭；及在空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与压电薄膜连接的金属电极，压电薄膜包括压电材料。通过上述制备方法形成的声表面波器件，其半导体基底内部具有空腔，可以隔断压电薄膜激励出的体声波，避免接收端压电薄膜的寄生效应，提高声表面波器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN114518186B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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公开(公告)号：CN117979805A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211292032.4
申请日：2022-10-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电堆红外传感器及其制造方法，所述热电堆红外传感器包括MEMS单元，所述MEMS单元包括：多个热电偶，每个热电偶包括热结端和冷结端，各所述热电偶串联连接形成热电堆；红外吸收层，覆盖各所述热电偶，所述红外吸收层为包括硅氧化物和硅的氮化物的复合层；其中，各所述热电偶的附近设有若干贯穿所述红外吸收层的释放孔，每个热电偶的热结端附近的释放孔密度高于冷结端附近的释放孔密度，且对于若干所述热电偶的热结端，其附近的释放孔设有凹入释放孔侧壁的第一空腔。本发明采用硅氧化物和硅的氮化物的复合层作为红外吸收层，易于制造，且通过第一空腔聚集红外能量来提高红外吸收率，因此具有较高的红外吸收率。
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公开(公告)号：CN114518186A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
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公开(公告)号：CN109384195B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201710692827.7
申请日：2017-08-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。根据本发明，可以减小管芯面积，降低工艺难度并减少成本。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384195A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201710692827.7
申请日：2017-08-14
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种基于深槽腐蚀的空腔形成方法，包括：提供半导体衬底，对所述半导体衬底进行所述深槽腐蚀，以在所述半导体衬底中形成由多个槽构成的阵列，所述阵列中的最外围的槽之间的间距大于所述阵列中的其余的槽之间的间距；对所述半导体衬底进行退火处理，以在所述半导体衬底中形成空腔。根据本发明，可以减小管芯面积，降低工艺难度并减少成本。
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公开(公告)号：CN102815662A
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110151756.2
申请日：2011-06-08
Applicant: 无锡华润上华半导体有限公司 , 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种在半导体衬底中制备腔体的方法，属于集成电路制造技术领域。该方法包括步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上各向异性刻蚀形成多个通孔或沟槽；对所述通孔进行各向同性刻蚀以使相邻通孔或相邻沟槽的底部之间相互连通形成腔体槽；以及外延生长外延半导体衬底层以密封形成所述腔体。该方法具有成本低、效率高、腔体之上的半导体衬底层的厚度易于控制的特点。
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公开(公告)号：CN115825171A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111095154.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种双电容湿度传感器，所述双电容湿度传感器具有垂直参考电容和水平湿敏电容，双电容结构能有效提高产品的校准精度，并且，所述垂直参考电容以导电掺杂衬底作为下电极，垂直参考电容的上电极同层设置有水平湿敏电容的正电极和负电极，寄生电容小，灵敏度高，可以节约制作成本，并且产品稳定性好，便于量产。
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公开(公告)号：CN111628748B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910148647.1
申请日：2019-02-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H03H9/145 , H01L41/332 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及声表面波器件制备方法以及由该制备方法制备而成的声表面波器件，该制备方法包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且半导体基底在空腔上方连接起来，将空腔封闭；及在空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与压电薄膜连接的金属电极，压电薄膜包括压电材料。通过上述制备方法形成的声表面波器件，其半导体基底内部具有空腔，可以隔断压电薄膜激励出的体声波，避免接收端压电薄膜的寄生效应，提高声表面波器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN116137250A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356718.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种SON器件及其制造方法，所述SON器件的制造方法包括：形成阵列排布的第一深槽于核心区的衬底中，以及形成环绕第一深槽的至少一圈第二深槽于外围区的衬底中，每一圈包含多个第二深槽，最靠近核心区的一圈第二深槽与核心区最外侧的第一深槽的间距大于相邻两个第一深槽的间距；执行退火工艺，以使得阵列排布的第一深槽之间连通形成为封闭的第一空腔，以及使得第二深槽形成为环绕第一空腔的至少一圈第二空腔。本发明的技术方案能够确保第一空腔的边缘封口，且能降低第一空腔顶部的应力膜与第一空腔外围的衬底之间的高度差。
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