-
公开(公告)号：CN115825171A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202111095154.X
申请日：2021-09-17
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 本发明涉及一种双电容湿度传感器，所述双电容湿度传感器具有垂直参考电容和水平湿敏电容，双电容结构能有效提高产品的校准精度，并且，所述垂直参考电容以导电掺杂衬底作为下电极，垂直参考电容的上电极同层设置有水平湿敏电容的正电极和负电极，寄生电容小，灵敏度高，可以节约制作成本，并且产品稳定性好，便于量产。
-
公开(公告)号：CN102915951B
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：CN201110221369.1
申请日：2011-08-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。
-
公开(公告)号：CN103178094A
公开(公告)日：2013-06-26
申请号：CN201110435735.3
申请日：2011-12-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种包含轻掺杂漏极结构的版图结构，包括方框状的第一浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区内的有源区，以及所述有源区内的第二浅沟槽隔离区；第一浅沟槽隔离区的方框上于两侧各设有一轻掺杂漏极图形区域，所述轻掺杂漏极图形区域与各自一侧的框体内缘间距大于0.18微米，所述有源区内设有第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区内无轻掺杂漏极结构。本发明相对于传统的版图删除了第二浅沟槽隔离区内的轻掺杂漏极结构，且设计了新的轻掺杂漏极图形区域，使得B2线宽扩大。因此，轻掺杂漏极区域与有源区之间的距离得到了扩大，改善了电弧放电缺陷，提高了良品率且不影响芯片面积。
-
公开(公告)号：CN102915951A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110221369.1
申请日：2011-08-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/02
Abstract: 本发明公开一种连接孔的制作方法，包括如下步骤：提供半导体基底，所述半导体基底上形成有待刻蚀层；刻蚀所述待刻蚀层，形成连接孔；清洗所述连接孔；在所述连接孔内淀积阻挡层；所述清洗步骤完成的同时开始计时；若计时的时间达到预定值，而又尚未开始所述淀积阻挡层的步骤，对所述连接孔进行再清洗。超时后对连接孔进行再清洗，可清洗刻蚀步骤中产生的副产物，从而使得电阻值较低，保证连接孔的导电性能。
-
公开(公告)号：CN102914950A
公开(公告)日：2013-02-06
申请号：CN201110221213.3
申请日：2011-08-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: G03F7/42 , H01L21/311
Abstract: 本发明涉及一种金属层光刻的干法去胶返工方法，包括下列步骤：提供一晶圆片，所述晶圆片包括表面的金属层，所述金属层表面设有光刻胶；通过静电卡盘支撑所述晶圆片，所述静电卡盘的顶针处于举起状态，所述晶圆片仅通过所述顶针与静电卡盘接触；使用干法去胶工艺去除所述光刻胶；再次对所述金属层进行光刻。上述金属层光刻的干法去胶返工方法，在返工的干法去胶过程中，让静电卡盘的顶针保持举起状态，降低了晶圆片的温度，减小了干法去胶过程中对金属层中金属铜含量的影响，保证了工艺质量。相对于传统的增加一步N2O处理工艺的方法，节省了成本、提高了生产效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116137250A
公开(公告)日：2023-05-19
申请号：CN202111356718.0
申请日：2021-11-16
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/762
Abstract: 本发明提供了一种SON器件及其制造方法，所述SON器件的制造方法包括：形成阵列排布的第一深槽于核心区的衬底中，以及形成环绕第一深槽的至少一圈第二深槽于外围区的衬底中，每一圈包含多个第二深槽，最靠近核心区的一圈第二深槽与核心区最外侧的第一深槽的间距大于相邻两个第一深槽的间距；执行退火工艺，以使得阵列排布的第一深槽之间连通形成为封闭的第一空腔，以及使得第二深槽形成为环绕第一空腔的至少一圈第二空腔。本发明的技术方案能够确保第一空腔的边缘封口，且能降低第一空腔顶部的应力膜与第一空腔外围的衬底之间的高度差。
-
公开(公告)号：CN114518186B
公开(公告)日：2025-04-15
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
-
公开(公告)号：CN117979805A
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202211292032.4
申请日：2022-10-21
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种热电堆红外传感器及其制造方法，所述热电堆红外传感器包括MEMS单元，所述MEMS单元包括：多个热电偶，每个热电偶包括热结端和冷结端，各所述热电偶串联连接形成热电堆；红外吸收层，覆盖各所述热电偶，所述红外吸收层为包括硅氧化物和硅的氮化物的复合层；其中，各所述热电偶的附近设有若干贯穿所述红外吸收层的释放孔，每个热电偶的热结端附近的释放孔密度高于冷结端附近的释放孔密度，且对于若干所述热电偶的热结端，其附近的释放孔设有凹入释放孔侧壁的第一空腔。本发明采用硅氧化物和硅的氮化物的复合层作为红外吸收层，易于制造，且通过第一空腔聚集红外能量来提高红外吸收率，因此具有较高的红外吸收率。
-
公开(公告)号：CN114518186A
公开(公告)日：2022-05-20
申请号：CN202011301093.3
申请日：2020-11-19
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种电容压力传感器及其制备方法，包括：将基体衬底形成有绝缘介质层的一面与键合衬底键合，基体衬底与键合衬底之间未设置绝缘介质层的位置形成空腔结构；在基体衬底上形成与基体衬底电连接的第一电极，在键合衬底上形成与键合衬底电连接的第二电极；其中，基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板。本申请将基体衬底作为电容压力传感器的第一极板，键合衬底作为电容压力传感器的第二极板，处于第一极板和第二极板之间的空腔结构可充当电容压力传感器两个电极之间的电介质材料，与现有技术相比，本申请制备电容压力传感器的工艺简单，且便于批量生产。
-
公开(公告)号：CN103178094B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110435735.3
申请日：2011-12-22
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L29/417
Abstract: 本发明涉及一种包含轻掺杂漏极结构的版图结构，包括方框状的第一浅沟槽隔离区，所述浅沟槽隔离区内的有源区，以及所述有源区内的第二浅沟槽隔离区；第一浅沟槽隔离区的方框上于两侧各设有一轻掺杂漏极图形区域，所述轻掺杂漏极图形区域与各自一侧的框体内缘间距大于0.18微米，所述有源区内设有第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区内无轻掺杂漏极结构。本发明相对于传统的版图删除了第二浅沟槽隔离区内的轻掺杂漏极结构，且设计了新的轻掺杂漏极图形区域，使得B2线宽扩大。因此，轻掺杂漏极区域与有源区之间的距离得到了扩大，改善了电弧放电缺陷，提高了良品率且不影响芯片面积。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
13
records
(took 0.033 seconds)
