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公开(公告)号：CN117352561A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202210745402.9
申请日：2022-06-27
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L31/0203 , H01L31/02
Abstract: 本发明提供一种用于红外探测器的盖帽结构及其形成方法。该盖帽结构及其形成方法中，衬底的正面形成有第一凹槽，第一凹槽限定出间隔分布的多个第一信号接收柱，衬底的背面形成有第二凹槽，第二凹槽与第一凹槽位置对应，且第二凹槽限定出间隔分布的多个第二信号接收柱，环绕第一凹槽的侧墙结构形成于衬底正面上。本发明利用形成在衬底正面和背面的多个第一信号接收柱和多个第二信号接收柱替代传统的红外窗口薄膜，且在衬底正面上直接形成侧墙结构，可以降低盖帽结构的制作难度和提高产品良率。
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公开(公告)号：CN111628748B
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN201910148647.1
申请日：2019-02-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H03H9/145 , H01L41/332 , H01L41/29
Abstract: 本发明涉及声表面波器件制备方法以及由该制备方法制备而成的声表面波器件，该制备方法包括：在半导体基底上形成沟槽阵列；热退火使沟槽阵列变形后相互连通形成一空腔，且半导体基底在空腔上方连接起来，将空腔封闭；及在空腔上方的半导体基底上形成压电薄膜，并形成与压电薄膜连接的金属电极，压电薄膜包括压电材料。通过上述制备方法形成的声表面波器件，其半导体基底内部具有空腔，可以隔断压电薄膜激励出的体声波，避免接收端压电薄膜的寄生效应，提高声表面波器件的可靠性。
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公开(公告)号：CN110092345B
公开(公告)日：2022-06-17
申请号：CN201810096459.4
申请日：2018-01-31
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其制备方法，所述MEMS器件包括：基底，所述基底包括测试区与非测试区，所述测试区与非测试区之间设有挖空的隔离槽，所述隔离槽环绕所述测试区设置；连接结构，所述测试区通过所述连接结构与所述非测试区相连接，所述连接结构为薄膜结构或硅悬臂梁结构。上述MEMS器件，设有隔离槽，该隔离槽环绕设置于测试区外边，其测试区通过且仅通过特定的连接结构与基底材料的其他区域(即非测试区)相连接。采用上述结构，该连接结构不会将非测试区形变形成的力传递到测试区，以消除非测试区的形变对上述MEMS器件测试时的影响，使测试结果更准确。
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公开(公告)号：CN111924794A
公开(公告)日：2020-11-13
申请号：CN201910392505.X
申请日：2019-05-13
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件，包括衬底依次叠设于衬底上的第一牺牲层、第一导电薄膜、第二牺牲层和第二导电薄膜，其中，第二牺牲层开设有空腔；还包括开设有第一通孔的限幅层和开设有第二通孔的隔离层，第一通孔的正投影位于第二通孔内且第一通孔的孔径小于第二通孔的孔径，限幅层的正投影与空腔的开口区域部分重合，第一通孔的正投影与空腔开口区域部分重合，限幅层位于第一导电薄膜与第一牺牲层之间且隔离层位于限幅层与第一导电薄膜之间，和/或，位于第二导电薄膜上且隔离层位于限幅层与第二导电薄膜之间。上述MEMS期间，通过设置限幅层，在不影响导电薄膜应力的前提下，可以限制导电薄膜的形变程度，从而保护器件。
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公开(公告)号：CN113845084A
公开(公告)日：2021-12-28
申请号：CN202010599056.9
申请日：2020-06-28
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种电容压力传感器及其制造方法，所述制造方法包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有注入层；在所述注入层上依次形成氧化物层和顶硅层；刻蚀所述顶硅层以形成深槽矩阵；刻蚀所述氧化物层以形成空腔；使顶硅层形成连续的硅膜以封口所述空腔。本发明采用硅迁移技术进行封口，形成连续且封闭的上电极，并利用深槽做为空腔形成过程中的释放孔，工艺简单且效率更高，能够极大的提升产能和可靠性。
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公开(公告)号：CN112533119A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910885581.4
申请日：2019-09-18
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本发明涉及一种MEMS麦克风及其制备方法。上述MEMS麦克风的制备方法包括如下步骤：提供具有硅表面的硅基板；在硅基板上形成封闭的腔体；在硅基板上开设多个间隔的声孔，每个声孔具有两个开口，一个开口与腔体连通，另一个开口位于硅表面上；在硅基板上形成包括第一填充部、第二填充部以及遮蔽部的牺牲层；在遮蔽部上形成多晶硅层；在硅基板远离硅表面的一侧开设凹槽；去除第一填充部、第二填充部以及部分遮蔽部，使凹槽与腔体连通以形成背腔，且多晶硅层、剩余遮蔽部和硅基板围设形成空腔，空腔与多个声孔远离腔体的开口连通，得到MEMS麦克风。上述MEMS麦克风的制备方法能够降低硅基板上叠层的厚度，从而降低了工艺的难度。
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公开(公告)号：CN109216153B
公开(公告)日：2021-01-05
申请号：CN201710534160.8
申请日：2017-07-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种提高氮化硅耐腐蚀性的方法和半导体器件的制备方法。提高氮化硅耐腐蚀性的方法包括：提供半导体基板；在所述半导体基板上采用等离子体增强化学气相沉积法沉积氮化硅层；所述氮化硅层是以氨气和硅烷为反应物沉积而成，所述硅烷与氨气的气体流量比值范围为3～6；对所述氮化硅层进行退火处理；对所述氮化硅层进行湿法刻蚀并腐蚀部分所述基板。通过上述方法，氮化硅的耐腐蚀性增强、氮化硅层与之相邻的膜层(多晶硅层或氧化层)的粘附性增强、同时也减小了氮化硅层在湿法刻蚀等工艺后界面的横向钻蚀尺寸。
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公开(公告)号：CN109205549A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201710534699.3
申请日：2017-07-03
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种双空腔结构的制备方法。制备方法，包括：在半导体衬底上刻蚀，形成第一沟槽阵列；第一沟槽阵列的顶部各自分离，底部相互联通形成第一空腔；在形成第一沟槽阵列的半导体衬底上生长第一外延层，使第一外延层覆盖第一沟槽阵列；在第一外延层上刻蚀，形成第二沟槽阵列；第二沟槽阵列顶部各自分离，底部相互联通形成第二空腔；在形成第二沟槽阵列的第一外延层上生长第二外延层；刻蚀第一外延层，形成联通第一空腔与第二空腔的直槽。通过上述方法形成的双空腔结构的第一外延层的表面平整，几乎无缺陷，后续还可以进行小线宽的无缺陷的光刻刻蚀工艺；结构稳固，在后续工艺中经历湿法工艺的高速甩干后，不会出现断裂或脱落现象。
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公开(公告)号：CN105092904B
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201410185540.1
申请日：2014-05-04
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
Abstract: 一种MEMS硅片固定装置，包括台盘、第一定位条、第二定位条以及第三定位条，所述第一定位条、第二定位条以及第三定位条设于同一水平面，所述第一定位条和第二定位条固定在所述台盘上，所述第三定位条的一端通过设置连接点与所述台盘侧边的基座活动连接。本发明不会出现真空吸附方式所引起的MEMS硅片内部敏感片的形变。
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公开(公告)号：CN111908420B
公开(公告)日：2024-02-27
申请号：CN201910383273.1
申请日：2019-05-09
Applicant: 无锡华润上华科技有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 本申请涉及一种MEMS器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底的正面形成第一牺牲层，在第一牺牲层上形成功能结构；对衬底的背面进行刻蚀形成沟槽，刻蚀停止于第一牺牲层，沟槽相互连通且围合成封闭图形，衬底被沟槽包围的部分作为支撑结构；及刻蚀第一牺牲层，支撑结构随着与支撑结构相接触的第一牺牲层被刻蚀掉而脱落，形成背腔。上述制备方法，在第二步衬底刻蚀过程中仅形成较小面积的沟槽，使得沟槽上方结构承受应力的能力较强，在后续工序中不容易变形或破裂，提高产品良率。
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