公开(公告)号：CN116264659A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111536878.3

申请日：2021-12-15

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 胡永刚 ,  冷华星 ,  周伍清 ,  蔡华洁

IPC: H04R19/04 ,  H04R19/00 ,  H04R31/00

Abstract: 本发明涉及一种MEMS结构及其制造方法，所述MEMS结构的制造方法包括：获取基底；在所述基底上形成具有多条空心隧道的牺牲层；在所述牺牲层上形成结构层；图案化所述结构层形成所需的结构，包括在各所述空心隧道的正上方分别形成与各空心隧道对应的腐蚀孔；通过各所述腐蚀孔腐蚀所述牺牲层，形成空腔。本发明通过在牺牲层中设置多条空心隧道，使得牺牲层腐蚀时腐蚀剂能够进入隧道从而加快腐蚀速率。并且由于腐蚀剂在任意位置进入隧道后就能在隧道的整个长度方向上扩散开，因此只设置少量的腐蚀孔就能够将预定腐蚀区域的牺牲层腐蚀完全，避免因设置密集的腐蚀孔而影响结构层的强度。

公开(公告)号：CN117524854A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202210905523.5

申请日：2022-07-29

Applicant: 无锡华润上华科技有限公司

Inventor： 胡永刚 ,  胡永强 ,  张丽平 ,  周伍清 ,  蔡华洁

IPC: H01L21/033

Abstract: 本发明涉及一种利用剥离工艺进行图形转移的方法及半导体器件结构，所述方法包括：获取基底，基底上形成有台阶结构；在台阶结构的侧面形成侧墙结构；在基底上、台阶结构上及侧墙结构上形成光刻胶层；使用具有目标材料图形的光刻版对光刻胶层进行曝光，然后对光刻胶层进行显影；形成目标材料层，所述目标材料层覆盖光刻胶层露出的基底、台阶结构及侧墙结构且在光刻胶层的边缘断开；去除光刻胶层，基底、台阶结构及侧墙结构上具有目标材料图形的目标材料层被保留。本发明通过在台阶结构的侧面形成平缓的侧墙结构，使得目标材料层在侧墙结构的位置不易断开，目标材料可以获得预期的连续结构，从而能够使得剥离工艺适用于台阶结构。