-
公开(公告)号：CN115900677A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211031957.3
申请日：2022-08-26
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5776 , G01C25/00
Abstract: 本公开的实施例涉及一种用于校正陀螺仪解调相位漂移的方法。陀螺仪传感器单元在输出正交测试信号期间检测解调输出信号和解调信号之间的相位漂移。延迟计算器基于在正交测试信号的施加期间的解调输出信号中的变化来检测相位漂移。延迟补偿电路通过将解调信号延迟相位漂移值来补偿相位漂移。
-
公开(公告)号：CN117948955A
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202311420098.1
申请日：2023-10-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5656 , G01C19/5649 , G01C19/5663
Abstract: 本公开涉及具有沿竖直轴线的角速度检测的微机电陀螺仪。微机电陀螺仪具有检测结构，该检测结构具有可移动结构，该可移动结构悬置在衬底上方，以便根据围绕竖直轴线的角速度来执行沿第一水平轴线的感测移动。该可移动结构具有至少一个驱动质量块，该驱动质量块在内部限定窗口，该窗口在锚定区域处通过弹性锚定元件弹性地耦合到转子锚；至少一个桥元件，该桥元件是刚性的并且由导电材料制成，悬臂式悬置并且在该窗口内沿着该第一水平轴线延伸，弹性地耦合到该驱动质量块上；可移动电极，由具有沿着第二水平轴线的延伸部的桥元件整体地承载。
-
公开(公告)号：CN116448087A
公开(公告)日：2023-07-18
申请号：CN202310041100.8
申请日：2023-01-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本公开的实施例涉及具有面外检测运动的微机电陀螺仪。微机电陀螺仪设置有检测结构，该检测结构具有：具有平行于水平面的顶表面的衬底；一个可移动质量，该可移动质量被悬置在该衬底上方以根据围绕该水平面的一个第一轴线的一个第一角速度来执行围绕该水平面的一个第二轴线的旋转的至少一个第一检测移动；以及第一定子元件和第二定子元件，所述第一定子元件和所述第二定子元件与所述衬底成一体并且布置在所述移动质量下方以限定电容耦合，所述第一定子元件和所述第二定子元件的电容值表示所述第一角速度。
-
公开(公告)号：CN115435777A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210625074.9
申请日：2022-06-02
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C21/16
Abstract: 本公开的实施例涉及惯性测量电路、对应的装置以及方法。在一个实施例中，一种电路包括：惯性测量单元，被配置为经由由驱动电路装置提供的驱动信号振荡；锁相放大器，被配置为从惯性测量单元接收感测信号和作为驱动信号的函数的参考解调信号，并且基于感测信号提供惯性测量信号，其中参考解调信号受可变相位误差的影响；相位计电路装置，被配置为接收驱动信号和感测信号，并且作为驱动信号和感测信号之间的相位差的函数来提供；用于所述参考解调信号的相位校正信号和校正节点，所述校正节点被配置为将所述相位校正信号应用于所述参考解调信号，使得响应于将所述相位校正信号应用于所述参考解调信号，所述相位误差被保持在参考值附近。
-
公开(公告)号：CN115385297A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202210572155.7
申请日：2022-05-24
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 本公开涉及制造电子器件的方法以及对应的电子器件。微机电器件包括衬底，第一结构层和半导体材料的第二结构层。感测质量块在第一结构层中延伸，并且通过第一弹性连接件耦合到衬底，以使得感测质量块能够在垂直于衬底的感测方向上相对于感测质量块的静止位置振荡最大量。平面外止动结构包括固定到衬底上的锚和机械行程端结构，该机械行程端结构在第二结构层中延伸，面向感测质量块，并通过宽度小于感测质量块的最大位移距离的间隙与感测质量块隔开。机械行程末端结构通过第二弹性连接件连接到锚，该第二弹性连接件使得机械行程末端结构能够响应于感测质量块的冲击而沿感测方向运动。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106553991A
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：CN201610179771.0
申请日：2016-03-25
Applicant: 意法半导体股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0048 , B81C1/00325 , H01L23/055 , H01L23/13 , H01L23/16 , H01L2224/32145 , H01L2224/48145 , H01L2224/48235 , H01L2224/73265 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15313 , H01L2924/16195 , H01L2924/16251 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , B81B7/02 , B81C1/00015
Abstract: 本申请涉及对热机械应力敏感度降低的半导体材料的密封器件。提供一种半导体材料的密封器件，其中半导体材料的芯片(56)通过至少一个柱元件(60)固定至封装本体(51)的基础元件(52)，柱元件具有比芯片大的弹性和可变形性，例如低于300MPa的杨氏模量。在一个实例中，四个柱元件(60)固定为与芯片的固定表面(56A)的角部邻近并且操作为非耦合结构，这防止将基础元件的应力和变形传递至芯片。
-
公开(公告)号：CN219869736U
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202320081825.5
申请日：2023-01-11
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5712
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电陀螺仪以及微机电器件。一种微机电陀螺仪，包括：衬底，具有顶表面；可移动质量块，悬置在衬底上方；第一定子元件和第二定子元件，悬置于可移动质量块和衬底的顶表面之间；中央机械锚固结构，耦合到衬底，中央锚固结构包括耦合到衬底的第一部分，第一部分以第一方向位于第一定子元件和第二定子元件之间，中央锚固结构包括耦合到第一定子元件和第二定子元件的第二部分，第一部分以第二方向位于第二部分和衬底之间，第二方向横向于第一方向；以及弹性元件，将可移动质量块耦合到中央机械锚固结构。利用本公开的实施例有利地允许消除由衬底的变形引起的检测结构的电性能的漂移。
-
公开(公告)号：CN219776747U
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN202320666411.9
申请日：2023-03-30
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: G01C19/5712 , B81B7/00 , B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电设备。提出了MEMS角速率传感器，MEMS角速率传感器具有在半导体层上被微机械加工的两对悬置质量块。第一对包括彼此相对且镜像的两个质量块。第一对质量块具有驱动结构，以用于在线性方向上生成机械振动。第二对质量块包括彼此相对且镜像的两个质量块。第二对质量块利用耦合元件耦合到第一对驱动质量块。两对质量块被耦合到中心桥。中心桥具有差分配置，以用于排除任何外部干扰。两对质量块中的每个质量块包括不同的部分，以用于检测不同的线性运动和角度运动。
-
公开(公告)号：CN220976584U
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202223176757.5
申请日：2022-11-29
Applicant: 意法半导体股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及微机电遮蔽件与微机电装置。微机电遮蔽件包括：由孔径通过的半导体衬底；第一和第二半导体层，形成固定到衬底的支撑结构；多个可变形结构，每个可变形结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成；多个致动器；多个屏蔽结构，每个屏蔽结构由第一和第二半导体层之间的至少一者的对应部分形成，屏蔽结构围绕下层孔径成角度布置，以提供对孔径的屏蔽，每个屏蔽结构还经由可变形结构耦合到支撑结构。每个致动器可以被控制为在第一和第二位置之间平移对应屏蔽结构，从而改变对孔径的屏蔽。利用本公开的实施例有利地减少屏蔽结构之间的重叠面积，从而减少下层主孔径的遮挡。
-
公开(公告)号：CN215364899U
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN202120565750.9
申请日：2021-03-19
Applicant: 意法半导体股份有限公司
Abstract: 公开了流量感测装置及用于测量流体的特性的系统。基于科里奥利力的流量感测装置包括：硅基底；绝缘层，在所述基底的表面上；至少一个驱动电极，在所述绝缘层上；以及硅结构体，与所述驱动电极部分地重叠，所述结构体具有埋入通道。本公开的实施例提供了高性能和低成本特性的流量感测装置及包括用于测量流体特性的系统。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.021 seconds)
