公开(公告)号：CN104246980A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201380020953.8

申请日：2013-04-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  汪荣军 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  唐先明 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  成雄·马修·蔡 ,  穆罕默德·拉希德 ,  迪内希·塞加尔 ,  普拉布兰姆·加帕伊·拉贾 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏 ,  阿纳塔·苏比玛尼

IPC: H01L21/203 ,  H01L33/02 ,  H01L33/12

CPC classification number: H01L33/12 ,  C30B23/02 ,  C30B29/403 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02502 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02661 ,  H01L29/205 ,  H01L33/007 ,  H01L33/06 ,  H01L33/32

Abstract: 描述利用物理气相沉积(PVD)形成的氮化铝缓冲层来制造氮化镓基发光装置。亦描述用于PVD AlN缓冲层的工艺条件。亦描述用于PVD氮化铝缓冲层的基板预处理。在一实例中，制造缓冲层于基板上的方法包含预处理基板表面。所述方法亦包含随后利用氮基气体或等离子体从安置在物理气相沉积(PVD)腔室内的含铝靶材反应溅射氮化铝(AlN)层至基板表面上。

公开(公告)号：CN103262215A

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN201180060112.0

申请日：2011-12-13

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 朱鸣伟 ,  维韦卡·阿格拉沃尔 ,  纳格·B·帕蒂班德拉 ,  奥姆卡尔姆·纳兰姆苏

IPC: H01L21/203 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/0254 ,  C23C14/0641 ,  C23C14/568 ,  C23C16/34 ,  C23C28/04 ,  C23C28/044 ,  C30B23/02 ,  C30B25/08 ,  C30B29/406 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02631 ,  H01L33/007 ,  H01L33/0095

Abstract: 在此描述具有物理气相沉积（PVD）形成的氮化铝缓冲层的氮化镓类发光二极管（LED）的制造。举例而言，多腔室系统包括物理气相沉积（PVD）腔室，所述PVD腔室具有铝构成的靶。也包括一腔室，所述腔室适于沉积无掺杂或n型的氮化镓，或适于沉积前述两种氮化镓。在另一实施例中，一种制造发光二极管（LED）结构的方法包括在多腔室系统的物理气相沉积（PVD）腔室中的衬底上方形成氮化铝层。在多腔室系统的第二腔室中将无掺杂或n型氮化镓层形成在氮化铝层上。