公开(公告)号：CN108352317A

公开(公告)日：2018-07-31

申请号：CN201780003940.8

申请日：2017-01-04

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  周清军 ,  乔纳森·日格胡尔·金姆

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/3105 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/67167 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67196 ,  H01L21/67207

Abstract: 本文所描述的实施方式一般涉及基板处理系统，诸如蚀刻处理系统。在一个实施方式中，本文公开了一种基板处理系统。基板处理系统包含移送腔室和耦接至移送腔室的多个处理腔室。多个处理腔室包含第一处理腔室、第二处理腔室和第三处理腔室。第一处理腔室经构造以定向修改形成在基板上的膜堆叠的表面。第二处理腔室经构造以将蚀刻剂沉积至膜堆叠的表面上。第三处理腔室经构造以将膜堆叠暴露至高温升华工艺。

公开(公告)号：CN111095525B

公开(公告)日：2024-07-26

申请号：CN201880059509.X

申请日：2018-09-18

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 林永振 ,  周凯文 ,  张郢 ,  黄和涌

IPC: H01L21/768

Abstract: 可执行处理方法以暴露半导体基板上的接触区域。所述方法可包括以下步骤：选择性地使半导体基板上的第一金属相对于暴露的第一电介质材料凹陷。所述方法可包括在凹陷的第一金属和暴露的第一电介质材料上方形成衬垫。所述方法可包括在衬垫上方形成第二电介质材料。所述方法可包括在第二电介质材料的选定区域上方形成硬掩模。所述方法还可包括选择性地去除第二电介质材料以暴露覆盖在凹陷的第一金属上面的衬垫的一部分。

公开(公告)号：CN111902910A

公开(公告)日：2020-11-06

申请号：CN201980021424.7

申请日：2019-05-07

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 张郢 ,  周林

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/67 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了用于图案化膜堆叠的方法。在一个实施方式中，一种用于图案化设置在基板上的膜堆叠的方法包括以下步骤：执行第一蚀刻工艺以蚀刻设置在基板上的膜堆叠，其中所述膜堆叠包括设置在上层上的图案化的光刻胶层，所述上层位于设置在所述基板上的下层上，其中所述图案化的光刻胶层包括界定在特征之间的开口，且所述特征具有第一间距，其中所述第一蚀刻工艺从所述膜堆叠移除由所述图案化的光刻胶层所暴露的所述下层的约40％与约95％之间；在所述膜堆叠上执行第二蚀刻工艺；和在所述第二蚀刻工艺完成之后，将所述特征转移到所述膜堆叠中的所述上层或所述下层中而具有第二间距，其中所述第二间距比所述第一间距短。