公开(公告)号：CN116982144A

公开(公告)日：2023-10-31

申请号：CN202180093719.2

申请日：2021-04-02

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 迪米特里·卢伯米尔斯基 ,  凯尔·M·汉森 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  阿兰·L·佐 ,  拉胡尔·科齐克卡尔坎迪 ,  保罗·R·麦克休 ,  孙佳怡 ,  奇伟·梁 ,  尼廷·托马斯·亚历克斯 ,  兰斯洛特·黄 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/67

Abstract: 本文描述了用于基板处理的设备及方法。更具体而言，所述设备及方法针对用于在半导体基板上执行场引导曝光后烘烤操作的设备及方法。所述设备是处理模块(100)，且包括具有电极(400)的上部(102)及被配置为在基板支撑表面(159)上支撑基板(500)的基部(104)。使用一或更多个臂(112)将上部(102)及基部(104)朝向及远离彼此致动，并形成处理容积(404)。处理容积(404)被填充处理流体，且处理模块(100)绕轴(A)旋转。在从处理容积(404)排出处理流体之前，通过电极(400)向基板(500)施加电场。

公开(公告)号：CN107430992B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201680014686.7

申请日：2016-03-17

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 薛君 ,  卢多维克·戈代 ,  斯里尼瓦斯·内曼尼 ,  迈克尔·W·斯托厄尔 ,  起威·梁 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔

IPC: H01L21/205 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318

Abstract: 本案中提供处理基板的方法。在一些实施方式中，处理设置在处理腔室中的基板的方法包括：(a)通过将基板暴露于第一反应性物种和第一前驱物而在基板上沉积材料层，所述第一反应性物种由远程等离子体源产生，其中所述第一反应性物种与所述第一前驱物反应；及(b)通过将基板暴露于等离子体而处理全部或大体上全部的沉积材料层，所述等离子体在处理腔室内由第二等离子体源产生；其中远程等离子体源或第二等离子体源中的至少之一被脉冲化以控制沉积周期及处理周期。

公开(公告)号：CN111213229A

公开(公告)日：2020-05-29

申请号：CN201880066470.4

申请日：2018-09-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 金·韦洛尔 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  尼兰詹·库玛尔 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米

IPC: H01L21/683 ,  H02N13/00 ,  B23Q3/15

Abstract: 本公开内容涉及一种静电吸盘，包括：基座，所述基座具有介电第一表面，以在处理期间在其上支撑基板；和电极，所述电极设置在基座内、靠近介电第一表面，以在使用期间促进将基板静电耦合至介电第一表面，其中介电第一表面具有足够的疏水性，以在当与水接触时将基板静电地保持在介电第一表面上。还披露了在潮湿条件下制造和使用静电吸盘的方法。

公开(公告)号：CN208622687U

公开(公告)日：2019-03-19

申请号：CN201821167081.4

申请日：2017-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  华仲强 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  库马尔·尼兰詹 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。

公开(公告)号：CN207731910U

公开(公告)日：2018-08-14

申请号：CN201721378214.8

申请日：2017-10-24

Applicant: 应用材料公司

Inventor： 尚布休·N·罗伊 ,  高塔姆·皮莎罗蒂 ,  塞沙德里·拉马斯瓦米 ,  斯里尼瓦斯·D·内曼尼 ,  华仲强 ,  小道格拉斯·A·布池贝尔格尔 ,  库马尔·尼兰詹 ,  怡利·Y·叶

IPC: H01L21/673 ,  H01L21/67

CPC classification number: H01L21/6833 ,  H01L21/67248

Abstract: 本公开内容涉及一种工件载体、一种用于承载硅晶片的静电基板载体和一种等离子体处理腔室。描述了在热应力方面是平衡的、具有触点的基板载体。在一个示例中，工件载体具有：刚性基板，所述刚性基板被配置用于支撑待承载进行处理的工件；在所述基板之上的第一介电层；在所述第一介电层之上的静电导电电极，所述静电导电电极用于静电保持待承载的工件；在所述电极之上的第二介电层，所述第二介电层用于使所述工件与所述电极电隔离；以及在所述基板下方的第三介电层，所述第三介电层用于抵消由第一介电层和第二介电层施加到所述基板的热应力。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利