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公开(公告)号：CN106283176A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610839770.4
申请日：2016-09-21
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
CPC classification number: C30B11/00 , C30B11/002 , C30B29/40
Abstract: 本发明提供了一种III-V族半导体晶体的生长装置，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1-1)、中部的倒锥形扩肩区(1-2)以及底部的圆柱籽晶区(1-3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2-1)、中部的倒锥形扩肩区(2-2)以及底部的锥形籽晶区(2-3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。
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公开(公告)号：CN113603137A
公开(公告)日：2021-11-05
申请号：CN202111092293.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01G28/00
Abstract: 本发明提供了一种砷化镉的制备方法，包括以下步骤：A)在氮气流动气氛中，按照配比将镉料和砷料置于装料部件中，在所述装料部件中所述镉料置于所述砷料上部；B)将步骤A)得到的装料部件放置于反应仪器中，将所述反应仪器抽真空后充氮气至常压，重复若干次后充入氢气；C)将步骤B)得到的反应仪器置于加热炉的上方，将加热炉预热，再将反应仪器降至加热炉中加热，反应，最后将反应仪器升至炉外淬火，得到砷化镉。本申请提供的砷化镉的制备方法具有较高的反应效率和产品纯度，且具有较低的产品损耗。
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公开(公告)号：CN110763344A
公开(公告)日：2020-02-07
申请号：CN201911047766.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: G01J5/20
Abstract: 本发明涉及一种GaN基光热探测薄膜元件，所述薄膜元件包括单晶衬底、[p-GaN/n-GaN]N超晶格、金属电极、引线、吸收层、减反射保护层、导热胶和热沉，所述单晶衬底为(00l)取向并沿c轴斜切，所述[p-GaN/n-GaN]N超晶格交替外延生长在单晶衬底上，以p-GaN面截止并刻蚀梯形台面，所述金属电极设置在[p-GaN/n-GaN]N超晶格和单晶衬底的c轴倾斜方向的两侧，形成欧姆接触，所述金属电极由所述引线导出并与信号输入端连接，所述吸收层覆盖在[p-GaN/n-GaN]N超晶格的有效探测表面，所述减反射保护层覆盖在吸收层上，所述热沉通过导热胶与单晶衬底连接固定。本发明的薄膜探测元件体积小、灵敏度高、破坏阈值大、响应速度快，适用于大批量规模生产，能同时实现宽光谱探测和热辐射探测。
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公开(公告)号：CN113603137B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202111092293.7
申请日：2021-09-17
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01G28/00
Abstract: 本发明提供了一种砷化镉的制备方法，包括以下步骤：A)在氮气流动气氛中，按照配比将镉料和砷料置于装料部件中，在所述装料部件中所述镉料置于所述砷料上部；B)将步骤A)得到的装料部件放置于反应仪器中，将所述反应仪器抽真空后充氮气至常压，重复若干次后充入氢气；C)将步骤B)得到的反应仪器置于加热炉的上方，将加热炉预热，再将反应仪器降至加热炉中加热，反应，最后将反应仪器升至炉外淬火，得到砷化镉。本申请提供的砷化镉的制备方法具有较高的反应效率和产品纯度，且具有较低的产品损耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111472047A
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN202010413756.4
申请日：2020-05-15
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种磷化铟晶体的生长方法，所述生长方法，先后包括多晶合成过程和单晶生长过程；所述多晶合成过程中，In与P的摩尔比不低于3:1。本申请中磷化铟晶体的生长方法，对现有的晶体生长法进行了改进，通过控制In与P的摩尔比，无需使用高压多晶合成炉和高压晶体生长炉，而在大气压多晶合成炉和大气压晶体生长炉中实现晶体的多晶合成和单晶生长，大大降低所生长的晶体的成本，而且更加安全可靠；同时，所得磷化铟单晶中位错密度低，没有铟夹杂、空洞、孪晶等缺陷。
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公开(公告)号：CN110685013A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201911081896.X
申请日：2019-11-07
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种锑化物晶体生长装置及生长方法。本发明通过将高纯原料置于船形石英坩埚内，船形石英坩埚的一端的籽晶槽内装有籽晶，升温使高纯原料反应并熔化成锑化物熔体，熔体与籽晶接触后开始晶体生长，一次晶体生长之后，通过多次单晶区熔进行提纯，降温冷却后得到锑化物晶体。该生长方法工序简单、效率高，且得到的锑化物晶体结晶性能良好，无开裂，无气泡、夹杂等缺陷，单晶重复率较高，成晶率达到90％～100％。
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公开(公告)号：CN110629284A
公开(公告)日：2019-12-31
申请号：CN201911047773.4
申请日：2019-10-30
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种氮化镓晶体的生长方法，包括以下步骤：(1)在玻璃基板上沉积金属薄膜，然后高温退火，得到已沉积金属薄膜的玻璃基板；(2)将步骤(1)所得的已沉积金属薄膜的玻璃基板置于晶体生长炉内，在晶体生长炉内通入酸性气体腐蚀，然后通入吹扫气体吹扫；(3)吹扫结束后通入氨气和氯化镓气体，并在金属薄膜上沉积氮化镓晶体，晶体生长完成后，将已沉积氮化镓晶体和金属薄膜的玻璃基板置于腐蚀液中，将金属薄膜腐蚀，得到氮化镓晶体。本发明的生长方法制备得到的氮化镓晶体结晶性能良好，无多晶等缺陷；且该生长方法成本低，适合大规模产业化。
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公开(公告)号：CN106283176B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201610839770.4
申请日：2016-09-21
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种III‑V族半导体晶体的生长装置，包括：石英管(1)，所述石英管包括上部的圆柱等径区(1‑1)、中部的倒锥形扩肩区(1‑2)以及底部的圆柱籽晶区(1‑3)；设置于所述石英管内部的坩埚(2)，所述坩埚包括上部的圆柱等径区(2‑1)、中部的倒锥形扩肩区(2‑2)以及底部的锥形籽晶区(2‑3)；设置于所述石英管的圆柱等径区的上方内侧壁的石英支撑环(4)；设置于所述石英支撑环上的石英槽(3)，所述石英槽(3)的中心位置设置有开口。
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公开(公告)号：CN106495113A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610881001.0
申请日：2016-10-08
Applicant: 广东先导稀材股份有限公司
IPC: C01B25/08
CPC classification number: C01B25/08 , C01P2006/80
Abstract: 本发明提供一种高纯磷化锌的制备方法，属于化工原料生产领域，制备过程包括一次加热合成和二次加热挥发除杂。在通有流动惰性气体的环境下，通过一次加热合成得到粗磷化锌，再经过二次加热挥发除去未反应的锌和磷，得到高纯磷化锌。本发明同时设计了一种含磷尾气的净化吸收系统，以防止在工业生产过程中有磷化物排放到环境中，做到安全环保生产。本发明工艺流程短，所需设备简单，成本较低，适用于工业化生产磷化锌。
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