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公开(公告)号：CN100478780C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN1282902C
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：CN03150307.1
申请日：2003-07-24
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/038 , G03F7/16 , H01L21/027 , H01L21/306
CPC classification number: H01L27/105 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L27/10844 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543 , H01L28/10
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料可以增厚光刻胶图案并形成精细的中空图案。所述的光刻胶图案增厚材料包含：树脂；交联剂；和选自阳离子表面活性剂、两性表面活性剂、以及非离子型表面活性剂中的至少一种，其中非离子表面活性剂选自烷氧基化物表面活性剂、脂肪酸酯表面活性剂、酰胺表面活性剂、醇类表面活性剂和乙二胺表面活性剂。在本发明的用于形成光刻胶图案的工艺中，在形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面。本发明的用于制造半导体器件的工艺包括：在下层上形成光刻胶图案后，将增厚材料施加到图案的表面以增厚图案；以及通过利用图案刻蚀对下层制图的步骤。
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公开(公告)号：CN1637602A
公开(公告)日：2005-07-13
申请号：CN200410092179.4
申请日：2004-08-04
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/029 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: H01L27/11526 , G03F7/0035 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/0337 , H01L21/0338 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11543 , Y10S430/106 , Y10S430/114
Abstract: 本发明提供一种抗蚀剂图案增厚材料，其能够增厚抗蚀剂图案并形成微细的间隔图案，并超越构图期间使用的曝光的曝光限度。抗蚀剂图案增厚材料包括树脂和相转移催化剂。本发明也提供了形成抗蚀剂图案的工艺和制造半导体器件的工艺，其中适合地利用了本发明的抗蚀剂图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN1507010A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200310118674.3
申请日：2003-11-28
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/16
CPC classification number: H01L21/32139 , G03F7/40 , G11B5/17 , G11B5/3116 , G11B5/313 , G11B5/3163 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/76802 , H01L27/105 , H01L27/11526 , H01L27/11543
Abstract: 为了增厚待增厚的抗蚀剂图案，从而容易地形成超过传统曝光装置光源曝光极限的精细图案，通过对底层对象上抗蚀剂图案化；在待增厚的抗蚀剂图案上应用至少包含一种表面活性剂的表面活性剂合成物；以及在其上面应用至少包含树脂和一种表面活性剂的抗蚀剂图案增厚材料，一种工艺形成了待增厚抗蚀剂图案。因此，增厚了待增厚的抗蚀剂图案而形成了具有狭窄间距的精细抗蚀剂图案。
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公开(公告)号：CN1497670A
公开(公告)日：2004-05-19
申请号：CN03134679.0
申请日：2003-09-25
Applicant: 富士通株式会社
IPC: H01L21/027 , G03F7/26
CPC classification number: H01L28/10 , G03F7/0048 , G03F7/40 , G11B5/855 , H01L21/0273 , H01L21/31144 , H01L21/32139 , H01L27/105 , H01L27/10844 , H01L27/10894 , H01L27/11526 , H01L27/11541 , H01L27/11543
Abstract: 本发明提供一种光刻胶图案增厚材料等，此光刻胶图案增厚材料能将待增厚的光刻胶图案增厚，形成精细的中空图案，超过在图案化期间使用的曝光设备光源的曝光极限。该光刻胶图案增厚材料包括：树脂和表面活性剂。在本发明的光刻胶图案的形成工艺中，在形成了待增厚的光刻胶图案以后，刻胶图案增厚材料被涂覆到待增厚的光刻胶图案的表面上，由此形成光刻胶图案。本发明的半导体器件的制造工艺包括：在下层上形成待增厚的光刻胶图案以后，涂覆增厚材料到待增厚光刻胶图案的表面上，来将待增厚的光刻胶图案增厚并形成光刻胶图案的步骤，以及通过使用光刻胶图案蚀刻对下层图案化的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1421744A
公开(公告)日：2003-06-04
申请号：CN02152770.9
申请日：2002-11-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/26 , H01L21/027
Abstract: 抗蚀图增厚材料含有树脂、交联剂和具有环状结构的化合物或部分具有环状结构的树脂。抗蚀图包括在要增厚的抗蚀图上的表面层，在相同条件下，要增厚的抗蚀图与表面层的腐蚀率(nm/s)之比(要增厚的抗蚀图/表面层)为1.1或更大，或包括在要增厚的抗蚀图上的表面层。形成抗蚀图的工艺包括在形成要增厚的抗蚀图之后在表面涂覆抗蚀图增厚材料。半导体器件包括由抗蚀图形成的图形。半导体器件的制造工艺包括在底层上形成要增厚的抗蚀图之后，在图形的表面涂覆增厚材料来增厚，并通过采用图形作为掩模进行腐蚀以构图底层。
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公开(公告)号：CN103631102A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310262729.1
申请日：2013-06-27
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/42 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/422 , G03F7/40 , H01L21/0206 , H01L21/308 , H01L21/76802
Abstract: 本发明涉及用于光刻的清洗剂、抗蚀剂图案形成方法以及半导体器件制造方法。特别地，提供了用于光刻的清洗剂，其包含C6-C8直链烷二醇和水。
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公开(公告)号：CN101126895B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710008179.5
申请日：2007-01-26
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/00 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案形成工艺，其在图案化步骤中甚至能采用ArF准分子激光作曝光光源，能够增厚抗蚀图案(例如孔图案)而与其尺寸无关，并能高度精确地减小抗蚀空间图案的尺寸，同时避免改变抗蚀图案的形状，由此使这种工艺简单、廉价和有效，同时突破曝光设备的光源的曝光(分辨率)极限。本发明的抗蚀图案形成工艺包括：形成抗蚀图案；在抗蚀图案表面涂覆抗蚀图案增厚材料；加热抗蚀图案增厚材料以增厚抗蚀图案，随后显影；和加热已增厚的抗蚀图案。
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公开(公告)号：CN1821871B
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN200610005432.7
申请日：2006-01-20
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/09 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40
Abstract: 本发明提供一种抗蚀图案增厚材料，其能够利用ArF准分子激光；当被涂覆在例如线和空间图案形式的待增厚的抗蚀图案上时，其能够增厚待增厚的抗蚀图案，而与待增厚的抗蚀图案尺寸无关；以及其适用于形成微小的空间图案等，而突破曝光极限。本发明还提供一种抗蚀图案形成工艺以及一种半导体器件制造工艺，其中可以适当地利用本发明的抗蚀图案增厚材料。
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公开(公告)号：CN1975571B
公开(公告)日：2011-04-06
申请号：CN200610067649.0
申请日：2006-03-22
Applicant: 富士通株式会社
IPC: G03F7/004 , G03F7/26 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/40 , H01L21/0273 , H01L21/76816
Abstract: 本发明提供一种能使用ArF受激准分子激光的抗蚀图增厚材料；当将其涂覆在具有线图形或其它图形的抗蚀图诸如ArF抗蚀图上时，能够增厚抗蚀图而不管抗蚀图尺寸大小如何；其具有优秀的抗蚀性，并且适用于形成超出曝光极限的精细的空间图形或其它图形。本发明还提供一种适当利用本发明的抗蚀图增厚材料的抗蚀图形成工艺和制造半导体器件的方法。
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