公开(公告)号：CN102456730B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。

公开(公告)号：CN103367421A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310062374.1

申请日：2013-02-27

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  石黑哲郎 ,  宫岛丰生 ,  今西健治

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/06 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02505 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L29/7786 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、氮化物半导体晶体及其制造方法。所述半导体器件包括：形成在衬底之上的成核层；形成在成核层之上的缓冲层；形成在缓冲层之上的第一氮化物半导体层以及形成在第一氮化物半导体层之上的第二氮化物半导体层，其中在光致发光中黄光发射与带边发射之比为400％或更小，并且X射线摇摆曲线中的扭转值为1000角秒或更小。

公开(公告)号：CN103035702A

公开(公告)日：2013-04-10

申请号：CN201210269621.0

申请日：2012-07-30

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本直哉 ,  牧山刚三 ,  多木俊裕 ,  美浓浦优一 ,  尾崎史朗 ,  宫岛丰生

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/49 ,  H01L21/335 ,  H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/28 ,  H01L21/28581 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/42316 ,  H01L29/432 ,  H01L29/475 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/872 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种化合物半导体器件及其制造方法。一种化合物半导体器件，包括：化合物半导体层叠结构、形成在化合物半导体层叠结构上并且具有通孔的钝化膜和形成在钝化膜上以填塞通孔的栅电极。在栅电极中形成有不同的晶体取向之间的晶界，晶界的起点设置成与钝化膜的平坦表面上的通孔间隔开。

公开(公告)号：CN102456730A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110326799.X

申请日：2011-10-19

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 尾崎史朗 ,  金村雅仁 ,  中村哲一 ,  宫岛丰生 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  吉川俊英 ,  今西健治 ,  多木俊裕 ,  今田忠纮

IPC: H01L29/772 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/517 ,  H01L21/0228 ,  H01L23/291 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/518 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括：第一半导体层，形成在衬底上；第二半导体层，形成在所述第一半导体层上；源电极和漏电极，形成在所述第二半导体层上；绝缘膜，形成在所述第二半导体层上；栅电极，形成在所述绝缘膜上；以及保护膜，覆盖所述绝缘膜，所述保护膜是通过热CVD、热ALD或真空气相沉积形成的。利用本发明，在于栅电极与半导体层之间插入了绝缘膜、并且覆盖有绝缘保护膜的半导体器件中，能够维持足够程度的绝缘强度。