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公开(公告)号：CN111989556B
公开(公告)日：2022-05-10
申请号：CN201980021523.5
申请日：2019-08-30
Applicant: 富士电机株式会社
Inventor： 松并和宏
IPC: G01L9/00
Abstract: 本发明的压力传感器在隔膜破损而桥式电路发生了故障的情况下，尽早对破损的情况进行检测。压力传感器包括：设有隔膜的基板；包含设置于隔膜的4个电阻元件、施加有高压侧电压和低压侧电压并具有2个输出端子的桥式电路；分别检测桥式电路的第1输出端子中的第1输出和第2输出端子中的第2输出的检测部；以及基于检测部中的检测结果来检测桥式电路的故障的故障检测部。
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公开(公告)号：CN106441695A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610515625.0
申请日：2016-07-01
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供能够使输出特性的非线性降低的半导体物理量传感器装置。传感器部和特性校正电路的高电位侧与电源端子之间通过第一电源布线、第三电源布线连接。放大电路和基准电压电路的高电位侧与电源端子之间通过第二电源布线、第四电源布线连接。传感器部、放大电路、特性校正电路和基准电压电路的低电位侧连接到接地端子。在第三电源布线上连接有CR滤波器。在第四电源布线上连接有第一电阻。在输出端子与接地端子之间连接有第二电阻。放大电路为推挽输出型运算放大器。以抵消传感器部的输出特性的非线性的方式设定使放大电路的输出特性为相反特性的非线性的第一电阻的电阻值。
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公开(公告)号：CN111094925B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201980004057.X
申请日：2019-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 期望进一步减少由于温度特性引起的输出误差。提供一种传感器装置，所述传感器装置包括：感测电路，所述感测电路输出与检测到的物理量的大小相对应的感测信号；放大电路，所述放大电路对感测信号进行放大；以及切换部，所述切换部基于温度测定值是否超过阈值，以不连续的方式来切换感测电路的灵敏度和放大电路的偏移中的至少一个。
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公开(公告)号：CN107526387B
公开(公告)日：2021-03-02
申请号：CN201710361536.X
申请日：2017-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G05F1/618
Abstract: 本发明提供一种半导体物理量传感器装置，其能够维持正常工作时的电流能力，且能够抑制端子间短路时流动的电流。将以互补的方式连接第一、二输出元件(1、2)而成的输出电路(5)的连接点(6)与输出端子(103)连接。在第一输出元件(1)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第一开关元件(3)。在第二输出元件(2)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第二开关元件(4)。在输出端子(103)的电压Vout为比下限的钳位电压(电压Vref1)低的电压Vref0时，第一开关元件(3)截止。在输出端子(103)的电压Vout为比上限的钳位电压(电压Vref2)高的电压Vref3时，第二开关元件(4)截止。
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公开(公告)号：CN107527904A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710363938.3
申请日：2017-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
CPC classification number: H02H9/046 , H01L21/823418 , H01L23/528 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L27/0285 , H01L27/0629 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H02H3/202 , H02H11/003 , H03K3/356 , H03K19/00315 , H01L29/0615 , H01L23/481 , H01L27/0207
Abstract: 本发明提供一种半导体集成电路装置，其具有针对过电压及电压源的反向连接的保护功能。保护电路(1)具有以从外部电源端子(11)供给的电压的分压点(23)的电压为输入的PMOS(31)及PDMOS(32)、和以PDMOS的漏极输出电压为输入的PMOS(41)及PDMOS(42)。PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧，PMOS连接在PDMOS的外部电源端子侧。在施加过电压时，将分压点的电压钳位为齐纳二极管(22)的击穿电压而关断PDMOS，断开将过电压向作为保护对象的集成电路(5)供给的路径。在电压源被反向连接时，PMOS的寄生二极管被反向偏置，阻止电流向通过PMOS的寄生二极管的路径流动。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104299960A
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201410334884.4
申请日：2014-07-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76895 , H01L23/528 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a)，用金属膜(6)覆盖其表面，从而使金属膜(6)的表面为凹凸状，使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小，是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外，通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7)，从而在对准标记部，容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。
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公开(公告)号：CN112242167A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010446844.4
申请日：2020-05-25
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 本发明提供一种半导体装置以及传感器装置。其对修正用存储器的劣化进行检测。该半导体装置具备：修正用存储器，其存储有对修正对象进行修正的修正用数据；修正部，其使用从修正用存储器读取出的修正用数据，对传感器元件的检测值进行修正；诊断部，其使用从修正用存储器读取出的修正用数据，对修正用存储器进行诊断；以及控制部，其对从修正用存储器读取修正用数据时的读取条件进行控制，控制部使第一读取条件与第二读取条件不同，第一读取条件是读取用于修正的修正用数据时的读取条件，第二读取条件是读取用于诊断的修正用数据时的读取条件。
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公开(公告)号：CN111094925A
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：CN201980004057.X
申请日：2019-01-28
Applicant: 富士电机株式会社
Abstract: 期望进一步减少由于温度特性引起的输出误差。提供一种传感器装置，所述传感器装置包括：感测电路，所述感测电路输出与检测到的物理量的大小相对应的感测信号；放大电路，所述放大电路对感测信号进行放大；以及切换部，所述切换部基于温度测定值是否超过阈值，以不连续的方式来切换感测电路的灵敏度和放大电路的偏移中的至少一个。
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公开(公告)号：CN104299960B
公开(公告)日：2018-07-03
申请号：CN201410334884.4
申请日：2014-07-15
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: H01L23/544 , H01L21/02
CPC classification number: H01L23/544 , H01L21/76895 , H01L23/528 , H01L2223/5442 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种位置识别精度高且能够实现微细化的半导体装置和半导体装置的制造方法。通过在层间绝缘膜(4)形成多个第一开口部(5a)，用金属膜(6)覆盖其表面，从而使金属膜(6)的表面为凹凸状，使反射光散射。第一开口部(5a)的大小是与元件的接触孔相同程度的大小，是无法用图像识别装置识别的程度。金属膜(6)的大小是能够用图像识别装置识别的程度。另外，通过在金属膜(6)的端部上形成作为防反射膜发挥功能的TiN膜(7)，从而在对准标记部，容易散射光的位置(金属膜(6)的凹凸)与光不易反射的位置(TiN膜(7))邻接地存在。在层间绝缘膜(4)和TiN膜(7)上形成钝化膜(8)。设置于金属膜(6)的所有凹部(5)在形成于钝化膜(8)和TiN膜(7)的第二开口部(9)露出。
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公开(公告)号：CN107526387A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710361536.X
申请日：2017-05-22
Applicant: 富士电机株式会社
IPC: G05F1/618
Abstract: 本发明提供一种半导体物理量传感器装置，其能够维持正常工作时的电流能力，且能够抑制端子间短路时流动的电流。将以互补的方式连接第一、二输出元件(1、2)而成的输出电路(5)的连接点(6)与输出端子(103)连接。在第一输出元件(1)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第一开关元件(3)。在第二输出元件(2)与输出电路(5)的连接点(6)之间连接有第二开关元件(4)。在输出端子(103)的电压Vout为比下限的钳位电压(电压Vref1)低的电压Vref0时，第一开关元件(3)截止。在输出端子(103)的电压Vout为比上限的钳位电压(电压Vref2)高的电压Vref3时，第二开关元件(4)截止。
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