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公开(公告)号：CN109728202B
公开(公告)日：2020-07-24
申请号：CN201811551566.8
申请日：2018-12-19
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 本发明提供一种基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件。本发明基于金属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件，包括依次设置的阳极层、空穴传输层、钙钛矿发光层、电子传输层和柔性衬底；所述阳极层采用Au，所述空穴传输层采用Spiro‑OMeTAD，所述钙钛矿发光层采用Cs0.05FA0.8075MA0.1425Pb(I0.85Br0.15)3混合钙钛矿薄膜材料，所述电子传输层采用非晶非连续电子传输材料SnO2，所述柔性衬底采用ITO/PEN。本发明所属卤化物钙钛矿发光层的柔性红光电注入发光器件的制备方法简单易行、成本低廉，制备得到的柔性红光电注入发光器件有效解决了柔性钙钛矿器件的弯曲稳定性问题。
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公开(公告)号：CN109755388A
公开(公告)日：2019-05-14
申请号：CN201811616669.8
申请日：2018-12-28
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种基于有机/无机杂化钙钛矿材料同时实现易失和非易失的阻变存储器及其制备方法，属于半导体和微电子领域，从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为透明导电玻璃FTO，阻变层通过低温溶液旋涂法制得，顶电极为Ag。步骤为：首先，在FTO导电玻璃的导电面上滴加制备的钙钛矿溶液，并涂抹均匀，开启匀胶机进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯，使钙钛矿快速结晶；其次，通过退火处理在导电面上得到钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺、高真空或惰性环境，采用低温溶液旋涂工艺在干燥空气中进行，对设备要求简单，成本低；器件同时具有易失性和非易失性及其转变特征。
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公开(公告)号：CN104892822B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201510317184.9
申请日：2015-06-11
Applicant: 大连理工大学
IPC: C08F218/08 , C08F214/24 , C08F218/00 , C08F220/18 , C08F222/22 , C08F2/28 , C08F2/30
Abstract: 本发明提供一种抗菌型水性氟树脂，所述抗菌型水性氟树脂由重量配比如下的各组分通过乳液聚合方式制备而成：含氟单体5～15份；羧酸乙烯酯15～30份；叔碳酸乙烯酯5～15份；丙烯酸酯5～15份；双季氨盐表面活性剂和/或非离子乳化剂0.5～3.0份；水溶性引发剂0.1～0.5份；去离子水50～60份。本发明抗菌型水性氟树脂中抗菌剂分布均匀，抗菌效果佳，抗菌效果持久。采用本发明抗菌型水性氟树脂制备的乳胶薄膜对大肠杆菌、金黄色葡萄球菌的杀灭作用可达99.90％以上，具有突出的抗菌性能，在涂料涂层抗菌防腐等方面具有很好的应用前景。
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公开(公告)号：CN104311718B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410613819.5
申请日：2014-11-04
Applicant: 大连理工大学
IPC: C08F218/08 , C08F220/22 , C08F218/00 , C08F214/24 , C08F220/06 , C08F2/26 , C08F2/30 , C09D131/04
Abstract: 本发明提供一种高氟含量水性氟聚合物乳液及其制备方法，高氟含量水性氟聚合物乳液包括重量配比如下的各组分：三氟氯乙烯10.00～20.00份；含氟丙烯酸酯单体和/或含氟甲基丙烯酸酯单体5.00～20.00份；脂肪族羧酸乙烯基或烯丙基酯15.00～30.00份；直链含羧基烯酸0.50～3.00份；引发剂0.10～2.00份；乳化剂1.00～3.50份；缓冲剂0.05～2.00份；去离子水40.00～70.00份。本发明高氟含量水性氟聚合物乳液具有优异耐水性、突出的表面性能和优异的耐候性，在建材、织物、光纤、光伏电池涂层和薄膜型电子封装材料等方面具有广泛应用前景。
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公开(公告)号：CN103346073A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310293452.9
申请日：2013-07-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/205
Abstract: 本发明涉及半导体材料技术领域，公开了一种β－碳化硅薄膜的制备方法，以硅烷作为硅源，氢气作为硅源稀释气体和载气，以石墨作为衬底和碳源，采用热丝化学气相沉积法在石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，制备好的β－碳化硅薄膜在惰性气体下进行后续退火处理，进一步通过微机械剥离得到β－碳化硅薄膜。本发明提供了一种在石墨衬底上制备碳化硅薄膜的新方法，即在高导电导热的石墨衬底上制备β－碳化硅薄膜，减少了薄膜内部的晶格缺陷，大大提高了薄膜晶体质量，从而进一步提高碳化硅基电子（光电子）高功率器件的散热性能和使用寿命，通过微机械剥离等手段非常容易实现碳化硅薄膜材料与石墨衬底的剥离，且本发明工艺简单易行、成本低廉。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103035782A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201310000893.5
申请日：2013-01-05
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及硅太阳能电池的钝化技术领域，公开了一种太阳能电池表面低温钝化方法，将氧气O2或水蒸汽H2O与氧气O2的混合物作为反应源，加入调节钝化层折射率的反应物，再加入抑制纳米结构与发射极中掺杂物质扩散的反应物，完成反应源的配制；将已经制备好纳米结构的纳米表面硅太阳能电池样品放入高压反应釜中，向高压反应釜中通入已配制好的反应源，密封后加热，高浓度反应源弥散进入纳米表面硅太阳能电池表面纳米结构的缝隙中，热氧化形成的氧化硅钝化层完全覆盖于纳米表面硅表面，纳米结构与发射极完全被氧化硅钝化层包覆。本发明在较低的温度下即可完成氧化硅钝化层的制备，避免了高温对原型器件的破坏；反应源中方便加入掺杂剂，可调节钝化层折射率。
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公开(公告)号：CN101236906A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200810010103.0
申请日：2008-01-13
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L21/477
Abstract: 一种氮掺杂的ZnO的受主激活方法，属于半导体材料领域，特别涉及一种采用射频等离子体金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术作为氮掺杂ZnO后期退火技术。本发明的目的克服氮掺杂p型ZnO难以获得的缺点，提供一种利用射频等离子体退火技术，将氮掺杂的ZnO在氮的氧化物等离子体进行高温退火，从而获得高效稳定的p型ZnO掺杂方法。由于在气氛中形成高激活性的氮与氧，可以防止氮掺杂的ZnO中的氮逸出，同时也防止了ZnO中氧的脱附，又同时进行了氮掺杂ZnO中氮受主的激活，从而实现了p型ZnO的制备，进而可以制备出ZnO的pn结发光二极管器件。
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公开(公告)号：CN113224235A
公开(公告)日：2021-08-06
申请号：CN202110464306.2
申请日：2021-04-28
Applicant: 大连理工大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 一种具有超低阈值电压的双向选通器及其制备方法，双向选通器从下到上依次是底电极、阻变层、顶电极，底电极为导电玻璃FTO，即掺氟的SnO2薄膜；阻变层材料为(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3，阻变层材料通过低温溶液旋涂法制得；顶电极为Ag。步骤：首先，在FTO导电玻璃衬底的导电面上滴加(CsxFAyMA1‑x‑y)Pb(IzBr1‑z)3溶液，并涂抹均匀后进行旋涂，在旋涂结束前滴加反溶剂氯苯使钙钛矿快速结晶；其次，在90～110℃下退火处理20～40分钟，在导电面上得到卤素钙钛矿薄膜；最后，通过真空热蒸发法在钙钛矿薄膜上沉积顶电极。本发明不需要高温工艺，采用低温溶液旋涂工艺，一步成膜，对设备要求简单，成本比较低，可用于阻变阵列集成；双向选通器可以实现双向超低阈值电压(小于0.2V)，选通性能开关比大于104，可实现对于RRAM器件开关电压更广的匹配范围与选通能力。
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公开(公告)号：CN111705297B
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202010532605.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法，属于光电子器件领域。首先，对选取基底材料的表面进行清洁处理。其次，在高背景真空度下，将气化后的氧化剂引入真空蒸镀腔体，在洁净基底表面缓慢沉积PbS薄膜，获得颗粒适中、结构疏松、取向一致的微观结构。最后，在一定温度和压强条件下，载气携带碘蒸汽敏化处理S2所述PbS薄膜，得高性能晶圆级PbS光敏薄膜。本发明制备方法简单、制备成本低廉、重复性好，可实现晶圆级PbS光敏薄膜的制备，利于大规模商业化生产；制备PbS光敏薄膜光电探测率高，600K黑体室温峰值探测率>8×1010Jones；本发明制备PbS光敏薄膜表面光滑，晶圆级光敏面内相应不均匀性
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公开(公告)号：CN111705297A
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN202010532605.0
申请日：2020-06-12
Applicant: 大连理工大学
Abstract: 一种高性能晶圆级硫化铅近红外光敏薄膜及其制备方法，属于光电子器件领域。首先，对选取基底材料的表面进行清洁处理。其次，在高背景真空度下，将气化后的氧化剂引入真空蒸镀腔体，在洁净基底表面缓慢沉积PbS薄膜，获得颗粒适中、结构疏松、取向一致的微观结构。最后，在一定温度和压强条件下，载气携带碘蒸汽敏化处理S2所述PbS薄膜，得高性能晶圆级PbS光敏薄膜。本发明制备方法简单、制备成本低廉、重复性好，可实现晶圆级PbS光敏薄膜的制备，利于大规模商业化生产；制备PbS光敏薄膜光电探测率高，600K黑体室温峰值探测率>8×1010Jones；本发明制备PbS光敏薄膜表面光滑，晶圆级光敏面内相应不均匀性
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