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公开(公告)号：CN101944480A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010221979.7
申请日：2010-07-02
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01L21/205 , H01S5/343
CPC classification number: H01L21/0254 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/0262
Abstract: 本发明提供一种氮化物半导体芯片及其制造方法以及半导体器件。该氮化物半导体芯片由于改善的EL发射图案和改善的表面形态(平坦度)而提供增加的发光效能和提高的良率。该氮化物半导体激光器芯片(氮化物半导体芯片)包括：GaN基板，具有主生长面；以及形成在GaN基板的主生长面上的各氮化物半导体层。主生长面是相对于m面在a轴方向上具有偏角的面，并且各氮化物半导体层包括AlGaN下覆层。该下覆层形成为接触GaN基板的主生长面。
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公开(公告)号：CN101499620B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910007990.0
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/028 , H01L21/263 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN101499620A
公开(公告)日：2009-08-05
申请号：CN200910007990.0
申请日：2007-03-06
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/00 , H01S5/028 , H01L21/263 , H01L21/318
Abstract: 本发明提供：包含在发光部分形成的，并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体的涂膜的氮化物半导体发光器件；和制备所述氮化物半导体发光器件的方法。本发明还提供包含氮化物半导体层和栅极绝缘膜的氮化物半导体晶体管器件，所述栅极绝缘膜与所述氮化物半导体层接触并且包含氮化铝晶体或氧氮化铝晶体。
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公开(公告)号：CN101325310A
公开(公告)日：2008-12-17
申请号：CN200810125459.9
申请日：2008-06-13
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明公开了一种发光装置及其制造方法。该发光装置包括光吸收膜(5)，其形成在用在激光器装置中的典型地为激光器芯片(1)的激光器芯片的发光侧的端部表面的最外表面上，并且该光吸收膜吸收部分所发射的光。通过形成该光吸收膜(5)，抑制了由与所发射的光反应引起的污染物的附着和聚集。
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公开(公告)号：CN100440657C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200510003967.6
申请日：2005-01-05
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/3202 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0207 , H01S5/32341 , H01S2304/12
Abstract: 公开了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法，该发光器件包括：其至少部分表面由氮化物半导体构成的氮化物半导体基板；及叠置于氮化物半导体基板表面上的氮化物膜半导体生长层，其中在氮化物半导体基板表面上形成具有106cm-2或更小缺陷密度的低缺陷区域，并另外形成有呈现凹部形状的挖入区域，而且，在凹部的截面图中测量的凹部的侧面部分与其底面部分的延长线之间的角度即刻蚀角θ在75°≤θ≤140°的范围内。这防止了裂纹的产生，并减少自挖入区域的底部生长部分的蠕升生长，因而减小侧部生长部分的膜厚。这使得可以高合格率地制造出具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层的氮化物半导体激光器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101034727A
公开(公告)日：2007-09-12
申请号：CN200710085508.6
申请日：2007-03-07
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/0287 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/221 , H01S5/223 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2304/00
Abstract: 一种氮化物半导体发光器件包括形成在发光部分的氮化铝或氧氮化铝的第一涂膜和形成在第一涂膜上的氧化铝的第二涂膜。第二涂膜的厚度至少为80nm并且至多为1000nm。这里，第一涂膜的厚度优选至少为6nm并且至多为200nm。
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公开(公告)号：CN1945909A
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：CN200610142001.5
申请日：2006-10-08
Applicant: 夏普株式会社
CPC classification number: H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L33/44 , H01S5/0021 , H01S5/028 , H01S5/0282 , H01S5/34333
Abstract: 本发明提供了一种氮化物半导体发光器件及其制造方法。该氮化物半导体发光器件，包括：III－V族氮化物半导体层；设置在III－V族氮化物半导体层中的腔；以及在腔的端面上形成的端面涂覆膜；其中，端面涂敷膜具有在其面对腔的端面的一侧上的氧化铝层，设置在端面涂覆膜和腔的端面之间的由氮化铝形成的隔离层；以及隔离层具有1nm以上且20nm以下的厚度。
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公开(公告)号：CN1816952A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480018816.1
申请日：2004-06-18
Applicant: 夏普株式会社
IPC: H01S5/022
CPC classification number: H01S5/02272 , H01L24/45 , H01L33/62 , H01L2224/05114 , H01L2224/05117 , H01L2224/05124 , H01L2224/05138 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05157 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/0517 , H01L2224/05171 , H01L2224/05172 , H01L2224/05178 , H01L2224/05179 , H01L2224/0518 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05605 , H01L2224/05609 , H01L2224/05611 , H01L2224/05616 , H01L2224/05617 , H01L2224/05618 , H01L2224/0562 , H01L2224/05624 , H01L2224/05638 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05655 , H01L2224/45 , H01L2224/45144 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/00011 , H01L2924/00014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01047 , H01L2924/12041 , H01S5/02212 , H01S5/02476 , H01S5/2231 , H01S5/32341 , H01L2224/48091 , H01L2924/00 , H01L2924/01014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01021 , H01L2924/01057 , H01L2924/01039 , H01L2924/01058 , H01L2924/01059 , H01L2924/0106 , H01L2924/01062 , H01L2924/01063 , H01L2924/01065 , H01L2924/01052 , H01L2224/43 , H01L2924/01006
Abstract: 公开了一种具有出色可靠性和长寿命的氮化物半导体发光器件及制造这样的氮化物半导体发光器件的方法。氮化物半导体发光芯片安装在次底座(103)上，该芯片中，氮化物半导体层和第一电极(211)形成在导电衬底的前面上，第二电极(212)形成在导电衬底的背面上。安装有氮化物半导体发光芯片的次底座(103)安装在管座(105)上，由此形成氮化物半导体发光器件。
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公开(公告)号：CN1707891A
公开(公告)日：2005-12-14
申请号：CN200510076167.7
申请日：2005-06-08
Applicant: 夏普株式会社
Inventor： 神川刚
IPC: H01S5/343 , H01S5/323 , H01S5/22 , H01L21/205 , H01L33/00
CPC classification number: B82Y20/00 , H01S5/0201 , H01S5/0206 , H01S5/0207 , H01S5/0224 , H01S5/02272 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/2231 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01S2304/04 , H01S2304/12
Abstract: 提供了一种用于制造半导体元件的方法和利用该方法制造的半导体元件，该方法包括：第一步骤，在具有作为其至少一部分表面的氮化物半导体层的衬底上，形成至少包括一个凹陷部分的刻槽区域和作为非刻槽区域的脊部分，由此生成已处理衬底；以及第二步骤，布设一氮化物半导体分层结构部分，该部分至少包括在刻槽区域中和脊部分表面上的一种类型的氮化物半导体薄膜。在第二步骤中，使设置在接近刻槽区域的脊部分的区域上的氮化物半导体分层结构的厚度大于设置在半导体元件生成区上的氮化物半导体分层结构部分的厚度，由此在接近刻槽区域的脊部分的区域上形成第一伪脊部分。
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公开(公告)号：CN1697273A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200510070180.1
申请日：2005-05-10
Applicant: 夏普株式会社
Abstract: 本发明公开一种半导体器件及其制造方法。在具有形成于其上的作为凹陷部分的刻槽区域的已处理衬底上，布置氮化物半导体薄膜。填充所述凹陷部分的所述氮化物半导体薄膜占据的截面面积为所述凹陷部分的截面面积的0.8倍或更低。从而防止了裂纹的产生。而且，通过抑制由形成氮化物半导体薄膜的原材料原子和分子从隆脊表面上的顶面生长部分迁移或移动至刻槽区域而导致的氮化物半导体薄膜的形成的方法，形成了具有良好表面平坦度的氮化物半导体生长层，从而消除了电流泄漏通道和损坏。
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