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公开(公告)号：CN101299423A
公开(公告)日：2008-11-05
申请号：CN200810039208.9
申请日：2008-06-19
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L23/48 , H01L21/441 , H01L31/0224 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为非晶掺钨二氧化锡透明导电薄膜及其制备方法。本发明以二氧化锡和金属钨粉末经研磨混合、压片、烧结获得的块体材料为靶材；在普通玻璃衬底上利用脉冲等离子体沉积(PPD)技术，制备获得具有非晶结构的SnO2:W薄膜。所制备的薄膜具有电阻率低、载流子迁移率高、可见光范围透射率高、以及近红外范围透射率高等优良的光学和电学性能。本发明方法获得的薄膜在平板显示、光电传感器和太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN1962509A
公开(公告)日：2007-05-16
申请号：CN200610118921.3
申请日：2006-11-30
Applicant: 复旦大学
IPC: C03C17/22
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(ChannelSpark Ablation，CSA)制备p型掺锌硫化铜铝(CuAlS2:Zn)透明导电硫化物薄膜的方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺锌硫化铜铝化合物靶，在适当的氩气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，采用CSA方法制备CuAlS2:Zn薄膜。所制备的薄膜为p型半导体透明硫化物薄膜，同时具有高电导率、高透射率和高载流子迁移率等优良的光电特性。本发明方法获得的p型薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有广泛的应用前景。
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公开(公告)号：CN1738071A
公开(公告)日：2006-02-22
申请号：CN200510027788.6
申请日：2005-07-15
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L51/10 , H01L51/40 , H01L21/283
Abstract: 本发明是一种高功函数铂钨共掺氧化铟(In2O3∶Pt，W)/掺钨氧化铟(IWO)双层透明导电氧化物薄膜电极及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺钨金属铟镶嵌靶和铂+掺钨金属铟镶嵌靶，通过反应直流磁控溅射技术，在本发明的工作压强和氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备具有高功函数透明氧化物In2O3∶Pt，W/IWO薄膜电极。所制备的薄膜具有低电阻率、高透射率和高功函数等优良的光电特性。通过掺铂含量和In2O3∶Pt，W层厚度调制透明导电氧化物薄膜的功函数。本发明获得的高功函数透明导电氧化物薄膜电极在新型有机光电器件领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN103247758B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201310157318.6
申请日：2013-04-28
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明属于非易失性存储器件技术领域，具体为一种采用柔性纸基的可擦写薄膜阻变存储器存储单元。本发明以柔性可弯折的油墨彩印纸为基板，氧化锡薄膜作为阻变层，氧化钼薄膜作为氧存储层，具体结构组成依次为：油墨彩印纸基板，作为底电极的金属镍薄膜，氧化锡薄膜，氧化钼薄膜，作为顶电极的金属钼薄膜。本发明在低温条件下(~100℃)利用直流磁控溅射技术，在基板依次制备金属镍薄膜、氧化锡薄膜、氧化钼薄膜、金属钼薄膜。本发明制备的阻变存储单元具有良好的弯折耐久性等特性，在非易失性存储领域、柔性电子器件领域具有广阔的应用前景。
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公开(公告)号：CN103274435B
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201310191783.1
申请日：2013-05-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于晶体管制备技术领域，具体为一种氧化铝钛薄膜及其制备方法和应用。本发明采用溶胶凝胶法制备氧化铝钛薄膜。本发明以乙二醇单甲醚为溶剂，浓盐酸为添加剂，将Al(C4H9O)3、Ti(C4H9O)4溶解其中，形成澄清稳定的前驱体溶液；将前驱体溶液旋转涂覆于玻璃基板上，经预热处理及后续高温热处理得到氧化铝钛薄膜。本还涉及采用氧化铝钛作为栅介质层的薄膜晶体管的制备方法。以此作为栅介质层材料的IZO薄膜晶体管，开关电流比大于1×106，饱和迁移率大于1.1cm2/Vs，亚阈值摆幅小于1.5V/dec。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102163691A
公开(公告)日：2011-08-24
申请号：CN201010111967.9
申请日：2010-02-22
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于薄膜晶体管器件领域，涉及一种以聚甲基丙烯酸甲酯有机介质层与铟锌氧化物无机沟道层构成的混合型薄膜晶体管及其制备方法。本发明以玻璃为基板，用铟锌合金或铟锌氧化物靶材，在室温条件下利用磁控溅射技术，制备铟锌氧化物半导体薄膜作为沟道层。用有机物聚甲基丙烯酸甲酯，溶于丙酮，通过浸渍提拉法制备有机介质层。通过真空蒸发法制备栅、源和漏电极。制备的薄膜晶体管具有制备温度低、载流子迁移率高、沟道层与介质层可见光区平均透射率高等特性。本发明获得的薄膜晶体管结构和制备方法在平板显示、柔性显示和透明电子器件等领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN101262016B
公开(公告)日：2010-12-29
申请号：CN200810036559.4
申请日：2008-04-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C14/08 , C23C14/34 , C23C14/54
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电氧化物薄膜技术领域，具体为一种P型导电透明掺镍氧化铜薄膜及其制备方法。本发明以普通玻璃为基板，利用掺镍氧化铜(Cu1-xNixO)陶瓷靶，在基板温度为室温的条件下通过脉冲等离子体沉积技术(Pulsed Plasma Deposition，PPD)，在适当的氧气压、脉冲电流和脉冲电压的条件下制备获得具有非晶结构的P型导电透明Cu1-xNixO薄膜。所制备的薄膜具有高电导率、可见光范围内高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的P型导电透明氧化物薄膜在透明电子学和新型光电器件领域具有较好的应用前景。
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公开(公告)号：CN100386470C
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200510030773.5
申请日：2005-10-27
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明是一种采用新型渠道火花烧蚀法(Channel Spark Ablation，CSA)制备钙钛矿结构镧锶锰氧(La0.7Sr0.3MnO3，LSMO)薄膜的方法。本发明以LaAlO3(001)单晶基片为基板，在700-850℃的基板温度下通过渠道火花烧蚀技术，利用La0.7Sr0.3MnO3陶瓷靶在适当的氧气压、基板温度、脉冲电流和脉冲电压下，生长具有高度c轴取向性的La0.7Sr0.3MnO3薄膜。所制备的薄膜具有高于室温的居里温度，在室温下具有良好的电学性能和铁磁性能。本发明方法所获得的薄膜在自旋电子器件中具有良好的应用潜能。
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公开(公告)号：CN101079382A
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200710041159.8
申请日：2007-05-24
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/363 , H01L31/18 , C23C14/35 , C23C14/08
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 本发明属于透明导电薄膜技术领域，具体为近红外高透射率多晶透明导电氧化物薄膜及其制备方法。所述导电氧化物薄膜为掺杂氧化铟In2O3:M(M＝W，Mo)。本发明以普通玻璃为基板，利用铟金属掺钨或钼的镶嵌靶，在基板温度为300－350℃条件下通过反应直流磁控溅射技术，在适当的溅射压强、氧分压、溅射电流和溅射电压的条件下制备获得具有多晶结构的In2O3:M薄膜。所制备的薄膜具有低电阻率、高载流子迁移率、可见光范围高透射率、特别是近红外范围(700－2500nm)高透射率等优良的光电特性。本发明方法获得的薄膜在太阳能电池领域具有良好的应用前景。
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公开(公告)号：CN117357800A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311610079.5
申请日：2023-11-29
Applicant: 复旦大学附属华山医院
Abstract: 本发明提供了一种神经调控系统，包括：第一刺激器，具有至少一电极，被配置成对外周目标神经施加电刺激；侦测装置，与第一刺激器共同设置于同一肢体，以检测基于电刺激产生的外周目标神经传导时间；第二刺激器，具有至少一磁刺激线圈，被配置为对中枢神经施加磁刺激，侦测装置检测基于磁刺激产生的中枢运动传递时间；控制器，获得中枢运动传递时间与外周目标神经传导时间的时间差值，调控电刺激与磁刺激之间的时间差，令第一刺激器引发的第一反馈在时序上领先第二刺激器引发的第二反馈的时长等于时间差值。本发明能够通过匹配刺激外周目标神经和刺激大脑运动中枢的时间周期，实现改善大脑运动皮层对特定脊髓运动神经元的控制。
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