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公开(公告)号：CN100356547C
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200510105104.X
申请日：2005-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/16
Abstract: 一种采用对可制造方法有效的可重复的方式，在铜上无电镀敷CoWP合金的方法。在该方法中，通过醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液在所述铜上沉积钯(Pd)籽晶层。随后，施加络合溶液以去除在除了所述铜的表面上吸附的任何Pd离子。最后，将钴(Co)、钨(W)和磷(P)的镀液施加于所述铜上，以在所述Pd籽晶和铜上沉积一层CoWP。
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公开(公告)号：CN1292471C
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200310103454.3
申请日：2003-11-03
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L21/7684 , C25D5/18 , C25D7/123 , H01L21/2885 , H01L21/32115 , H01L21/32134 , H01L21/76879
Abstract: 本发明提供了一种在不使用化学机械抛光的情况下形成平坦的Cu互连的方法，即：控制铜互连结构的形状的方法，该方法具有以下步骤：使用第一镀覆方法在一镀液中以第一镀覆时间在铜籽晶层上镀覆具有预定最终形状的铜互连结构，其中第一镀覆时间小于镀覆全部最终形状所必需的总时间；以及在铜镀液中以第二时间段电处理镀覆的铜互连结构，第二时间段至少足够形成预定最终形状。
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公开(公告)号：CN1816890A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200480019233.0
申请日：2004-06-02
Applicant: 国际商业机器公司
Inventor： H·德利吉安尼 , P·安德里查科斯 , P·布赫瓦尔特 , J·科特 , C·雅内斯 , M·克里希南 , J·梅格莱因 , K·施泰因 , R·沃朗特 , J·托尔内洛 , J·伦德
IPC: H01H59/00
CPC classification number: H01H59/0009 , H01H2001/0052 , Y10T29/49156 , Y10T29/49165 , Y10T29/49204
Abstract: 本发明描述了一种具有贵金属接触的半导体微机电系统(MEMS)开关，贵金属接触用作铜电极的氧阻挡层。该MEMS开关完全集成在CMOS半导体制造线中。该集成技术、材料和工艺与铜芯片金属化工艺完全兼容以及典型地是低成本和低温工艺(低于400℃)。该MEMS开关包括：空腔内的可移动梁，所述可移动梁在其一端或两端固定到所述空腔的壁；嵌入所述可移动梁的第一电极；以及在所述空腔的壁中并面对所述第一电极的第二电极，其中所述第一和第二电极分别被贵金属接触覆盖。
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公开(公告)号：CN1794441A
公开(公告)日：2006-06-28
申请号：CN200510105104.X
申请日：2005-09-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/768 , H01L21/288 , C23C18/16
CPC classification number: H01L21/288 , C23C18/1241 , C23C18/1607 , C23C18/1608 , C23C18/1844 , C23C18/50 , H01L21/76849 , H01L21/76874 , H05K3/244 , H05K2203/0716 , H05K2203/072
Abstract: 一种采用对可制造方法有效的可重复的方式，在铜上无电镀敷CoWP合金的方法。在该方法中，通过醋酸钯、醋酸和氯化物的引晶水溶液在所述铜上沉积钯(Pd)籽晶层。随后，施加络合溶液以去除在除了所述铜的表面上吸附的任何Pd离子。最后，将钴(Co)、钨(W)和磷(P)的镀液施加于所述铜上，以在所述Pd籽晶和铜上沉积一层CoWP。
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