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公开(公告)号：CN107688278A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710659370.X
申请日：2017-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及负型抗蚀剂组合物及抗蚀图案形成方法。本发明提供了一种包含(A)甜菜碱型的锍化合物和(B)聚合物的负型抗蚀剂组合物。该抗蚀剂组合物对于在曝光步骤期间控制酸扩散是有效的，且在图案形成期间呈现出非常高的分辨率，并形成具有最小LER的图案。
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公开(公告)号：CN104460221A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410499354.5
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/26 , G03F1/0046 , G03F1/0076 , G03F1/32 , G03F1/38 , G03F1/50
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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公开(公告)号：CN102419510B
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN102040700B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010505496.X
申请日：2010-10-13
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C08F212/14 , C08F8/12 , G03F7/039
CPC classification number: G03F7/0392 , C08F8/12 , C08F212/14 , C08F212/32 , C08F220/18 , C08F2220/1825 , C08F2220/1833 , C08F2220/185 , G03F7/0382 , G03F7/0397 , C08F220/30 , C08F230/08
Abstract: 提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，在包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构的聚合物的去保护反应中，该方法能够在短时间段内使该聚合物脱去酰基同时保持其它结构，并且能够取出已脱去酰基的聚合物同时高度抑制已脱去酰基的聚合物被除了参与反应的聚合物之外的物质污染。更具体地，提供一种使受保护的聚合物去保护的方法，至少包括在有机溶剂中溶解所述受保护的聚合物和去保护试剂的步骤，所述受保护的聚合物至少包含具有用酰基保护的酚羟基的单元结构，所述去保护试剂选自由各自具有1.00以下的ClogP值的伯胺化合物或仲胺化合物，条件是在所述仲胺化合物中，耦合至氨基氮原子的两个碳原子的任一个都不是三代的。所述伯胺化合物或仲胺化合物各自优选由式HNR12-nR2n(1)表示。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101625524B
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN200910140187.4
申请日：2009-07-10
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0382 , Y10S430/114 , Y10S430/128
Abstract: 本发明是一种化学增幅型光阻组合物，其至少含有1种或2种以上的具有羧基且不含有共价键结于碱性中心即氮上的氢的胺化合物或氧化胺化合物，但排除胺及氧化胺的氮原子被包含于芳香环的环状结构的情形。由此，可提供一种化学增幅光阻材料等的光阻材料、及使用此材料的图案形成方法，该光阻材料在用于微加工的微影成像术且特别是使用KrF激光、ArF激光、F2激光、极短紫外线、电子射线、X射线等作为曝光光源的微影术中，可赋予高解像性，同时在基板界面也能赋予良好图案形状。
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公开(公告)号：CN102419510A
公开(公告)日：2012-04-18
申请号：CN201110214208.X
申请日：2011-07-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/78 , H01J2237/004 , H01J2237/31796
Abstract: 本发明提供一种层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜的被加工基板，所述被加工基板上至少依序层叠有电子束用光阻膜和有机导电性膜，所述被加工基板上具有导电性无机薄膜来作为表层，其特征在于：在所述被加工基板的被加工面，具有前述有机导电性膜与前述导电性无机薄膜一部分直接接触的区域。由此，提供一种被加工基板，其可有效率地进行去除静电，并且即便进行高电流密度的电子束照射，也可稳定地形成高精度光阻图案。
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公开(公告)号：CN102221783A
公开(公告)日：2011-10-19
申请号：CN201110122793.0
申请日：2011-02-16
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0395 , G03F7/0397
Abstract: 提供一种化学放大正性抗蚀剂组合物，该组合物包括具有其中键合的胺结构的聚合物PB与包括具有用酸不稳定保护基保护的酸性侧链的重复单元和在侧链上具有酸产生部分的重复单元的聚合物PA。
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公开(公告)号：CN101982808A
公开(公告)日：2011-03-02
申请号：CN201010552383.5
申请日：2010-05-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F7/039 , G03F7/00 , H01L21/027
CPC classification number: G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397
Abstract: 一种包含聚合物的化学放大型抗蚀剂组合物，所述聚合物包含具有足够极性以赋予聚合物粘附力的单元和在酸作用下变为碱溶性的酸不稳定单元。所述聚合物包含具有通式(1)的重复单元，其中R1为H、F、CH3或CF3，Rf为H、F、CF3或CF2CF3，A是二价的烃基，R2、R3、R4为烷基、烯基、氧代烷基、芳基、芳烷基或芳氧代烷基。包含芳环结构的重复单元的存在量为≥60mol％，而具有通式(1)的重复单元的存在量＜5mol％。
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公开(公告)号：CN101477307A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810154778.2
申请日：2008-06-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , G03F7/0392
Abstract: 光掩模坯料具有抗蚀膜，该抗蚀膜包含(A)基础树脂，(B)产酸剂，和(C)碱性化合物。该抗蚀膜进一步包含(D)聚合物，该聚合物包含具有侧链的重复单元，该侧链带有氟化烃基，该氟化烃基包含与羟基键合的碳原子和与该碳原子键合的邻近碳原子，该邻近碳原子总计至少有两个与其键合的氟原子。聚合物(D)的加入确保整个抗蚀膜的均匀显影，能形成具有高CD均匀性的抗蚀图案。
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