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公开(公告)号：CN114651358A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080077824.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/0568 , H01M4/38
Abstract: 一种电池，包括：正极，该正极具有金属卤化物和导电材料，其中该金属卤化物充当活性正极材料；多孔硅负极，该多孔硅负极具有含有孔的表面，该孔具有约0.5微米至约500微米的深度，并且该多孔硅负极包括在该表面上和在该孔中的至少一些中的金属；以及与该负极和该正极接触的电解质，其中该电解质包括腈部分。
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公开(公告)号：CN114651338A
公开(公告)日：2022-06-21
申请号：CN202080076404.2
申请日：2020-11-19
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了一种主动冷却结构(200，200a)，包括非超导体层(220)、超导体层(210)以及超导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列(240)。所述非超导体层可以包括多个非超导体迹线(222)。所述超导体层可以包括多个超导体迹线(212)。所述超级导体‑绝缘体‑正常金属(NIS)隧道结的阵列可以位于所述多个非超导体迹线与所述多个超导体迹线之间。
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公开(公告)号：CN114616685A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202080076619.4
申请日：2020-11-05
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L39/24 , C23C14/02 , C23C14/04 , C23C14/16 , C23C14/28 , C23C14/34 , C23C14/50 , C23C14/54 , C23C14/58 , C23C28/00
Abstract: 沉积系统包括沉积源和设置在沉积源的沉积路径内的扫描台。扫描台包括支撑平台和机械致动器，支撑平台配置成在其上支撑晶片，机械致动器耦接到支撑平台。机械致动器被配置成相对于沉积源平移支撑平台。沉积系统包括接近掩模，接近掩模设置在沉积源与扫描台之间的沉积源的沉积路径内，接近掩模限定缝隙。沉积系统包括与扫描台通信的控制器，该控制器被配置成控制机械致动器以相对于缝隙平移晶片，使得沉积角度保持基本上恒定。在操作中，接近掩模防止具有不与缝隙对准的轨迹的沉积源材料接触晶片。
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公开(公告)号：CN111213266A
公开(公告)日：2020-05-29
申请号：CN201880066818.X
申请日：2018-09-27
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 一种高容量和高性能的可再充电电池，其包含具有改善的表面粗糙度的阴极材料层。提供阴极材料层，其中阴极材料层的至少上部由纳米颗粒(即，颗粒尺寸小于0.1μm的颗粒)组成。在一些实施例中，阴极材料层的下部(或基部)由颗粒尺寸大于形成阴极材料层的上部的纳米颗粒的颗粒组成。在其它实施例中，阴极材料层的整体由纳米颗粒组成。在任一实施例中，介电材料的共形层可设置在阴极材料层的上部的最顶表面上。介电材料的共形层的存在可以进一步改善阴极材料层的平滑度。
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公开(公告)号：CN102834901B
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：CN201180005693.8
申请日：2011-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/304 , B28D5/00
CPC classification number: H01L31/075 , H01L21/02002 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/548
Abstract: 一种自半导体基板的锭剥落层的方法，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂；并且在该开裂处自该锭移除该层。一种自半导体基板的锭剥落层的系统，其包含在该半导体基板的锭上形成金属层，其中在该金属层中的拉伸应力被配置为造成该锭内的开裂，且其中该层被配置为在该开裂处自该锭移除。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102834934A
公开(公告)日：2012-12-19
申请号：CN201180005695.7
申请日：2011-02-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076
CPC classification number: H01L31/0304 , H01L31/0725 , H01L31/074 , H01L31/075 , H01L31/076 , H01L31/184 , H01L31/1892 , Y02E10/548
Abstract: 一种用于形成单结光伏电池的方法，其包括形成掺杂物层于半导体基板的表面上；扩散掺杂物层进入半导体基板以形成半导体基板的掺杂层；形成金属层于掺杂层上方，其中在金属层中的拉伸应力配置成在半导体基板中造成开裂；从半导体基板开裂处去除半导体层；以及使用半导体层形成单结光伏电池。一种单结光伏电池包括掺杂层，其包含扩散进入半导体基板的掺杂物；图案化导电层，其形成于掺杂层上；半导体层，其包含位于在相对于图案化导电层的掺杂层的表面上的掺杂层上的半导体基板；以及欧姆接触层，其形成于半导体层上。
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公开(公告)号：CN114651358B
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202080077824.2
申请日：2020-10-22
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M10/0568 , H01M4/38
Abstract: 一种电池，包括：正极，该正极具有金属卤化物和导电材料，其中该金属卤化物充当活性正极材料；多孔硅负极，该多孔硅负极具有含有孔的表面，该孔具有约0.5微米至约500微米的深度，并且该多孔硅负极包括在该表面上和在该孔中的至少一些中的金属；以及与该负极和该正极接触的电解质，其中该电解质包括腈部分。
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公开(公告)号：CN112400245B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN201980045409.6
申请日：2019-06-18
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01M4/88
Abstract: 提供了具有高容量的可再充电锂离子电池。锂离子电池包含阳极结构，该阳极结构具有整体构造并且包括非多孔区域和多孔区域，该多孔区域包括具有第一厚度和第一孔隙率的顶部多孔层(多孔区域1)和位于顶部多孔层下方并且与非多孔区域形成界面的底部多孔层(多孔区域2)。至少非多孔区域的上部和整个多孔区域由硅构成，并且底部多孔层具有大于第一厚度的第二厚度和大于第一孔隙率的第二孔隙率。
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公开(公告)号：CN111279467B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201880070106.5
申请日：2018-11-16
Applicant: 国际商业机器公司
IPC: H01L21/822
Abstract: 提供了一种半导体结构，其包含控制栅极偏压并具有增加的输出电压保持率和电压分辨率的非易失性电池。该半导体结构可以包括半导体衬底，该半导体衬底包括位于源极/漏极区域之间的至少一个沟道区域。栅极电介质材料位于半导体衬底的沟道区域上。电池堆叠位于栅极电介质材料上。该电池堆叠包括：位于栅极电介质材料上的阴极集电器，位于阴极集电器上的阴极材料，位于阴极材料上的第一离子扩散阻挡材料，位于第一离子扩散阻挡材料上的电解质，位于电解质上的第二离子扩散阻挡材料，位于第二离子扩散阻挡材料上的阳极区域和位于阳极区域上的阳极集电器。
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公开(公告)号：CN115298673A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202180022743.7
申请日：2021-03-10
Applicant: 国际商业机器公司
Abstract: 提供了通过永磁通量元件促进量子调谐的系统和技术。在不同实施例中，系统可以包括量子位器件。在各个方面，该系统可以进一步包括具有第一磁通量的永磁体，其中该量子位器件的工作频率是基于该第一磁通量的。在不同情况下，该系统可进一步包括具有调谐该第一磁通量的第二磁通量的电磁体。在各种情况下，永磁体可以包括纳米颗粒磁体。在不同实施例中，该纳米颗粒磁体可以包括嵌入在硅基质中的锰纳米颗粒。在各个方面，系统还可以包括在存在第二磁通量的情况下向纳米颗粒磁体施加电流、从而改变第一磁通量的强度的电极。
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