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公开(公告)号：CN101454881A
公开(公告)日：2009-06-10
申请号：CN200780019921.0
申请日：2007-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/3185 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在N2O气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步骤；和对氮氧化硅膜进行氮化处理的步骤。
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公开(公告)号：CN1308773C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200410037297.5
申请日：2004-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01J37/317 , H01J2237/3156
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置(1)，包括在真空室(2)内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台(3)、设置在真空室(2)顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构(6)、和设置在载置台(3)和电子束照射机构(6)之间的自电场发生装置(13)。该自电场发生装置(13)由多个与电子束照射机构(6)的照射窗(6b)一一对应地配置的带电板(13a)构成，该带电板(13a)为平板状，在与照射窗(6b)相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝(13b)，同时，还具有由导体构成的内部部件(13c)、由覆盖该内部部件(13c)的绝缘体构成的外部部件(13d)和将内部部件(13c)接地的导线(13e)。
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公开(公告)号：CN1550903A
公开(公告)日：2004-12-01
申请号：CN200410037297.5
申请日：2004-04-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
CPC classification number: H01J37/317 , H01J2237/3156
Abstract: 本发明提供一种表面处理装置，它可降低电子束能量，同时，可使结构简单化。表面处理装置1，包括在真空室2内部大致水平地放置半导体晶片W的载置台3、设置在真空室2顶部并且对半导体晶片W照射电子束的电子束照射机构6、和设置在载置台3和电子束照射机构6之间的自电场发生装置13。该自电场发生装置13由多个与电子束照射机构6的照射窗6b一一对应地配置的带电板13a构成，该带电板13a为平板状，在与照射窗6b相对的平面上具有通过电子束的5个狭缝13b，同时，还具有由导体构成的内部部件13c、由覆盖该内部部件13c的绝缘体构成的外部部件13d和将内部部件13c接地的导线13e。
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公开(公告)号：CN101156234B
公开(公告)日：2012-01-25
申请号：CN200680011056.0
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/28202 , H01J2237/3387 , H01L21/3185 , H01L21/3211 , H01L29/518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基板的氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，将含氮等离子体作用于基板表面的硅，从而进行氮化处理，使作为等离子体生成区域的等离子体电位(Vp)与上述基板的悬浮电位(Vf)的电位差(Vp-Vf)的上述基板附近的鞘电压(Vdc)控制在3.5[V]以下，而进行利用上述含氮等离子体的氮化处理。
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公开(公告)号：CN100576464C
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：CN200610085008.8
申请日：2006-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318
CPC classification number: H01L21/0217 , C23C8/36 , H01J37/32192 , H01L21/02247 , H01L21/02252 , H01L21/3185
Abstract: 本发明提供一种可以利用等离子体将硅直接氮化，形成质量优异的氮化膜的技术。本发明涉及一种等离子体处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，使含氮等离子体作用于被处理体表面上的硅，进行直接氮化处理，形成氮化硅膜，其特征在于，包括：在由所述含氮等离子体中的自由基成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第一步骤，和在由上述含氮等离子体中的离子成分引发的氮化反应成为支配的条件下进行等离子体处理的第二步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101156234A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200680011056.0
申请日：2006-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/28202 , H01J2237/3387 , H01L21/3185 , H01L21/3211 , H01L29/518 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种基板的氮化处理方法，在等离子体处理装置的处理室内，将含氮等离子体作用于基板表面的硅，从而进行氮化处理，使作为等离子体生成区域的等离子体电位(Vp)与上述基板的悬浮电位(Vf)的电位差(Vp－Vf)的上述基板附近的鞘电压(Vdc)控制在3.5[eV]以下，而进行利用上述含氮等离子体的氮化处理。
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公开(公告)号：CN1277294C
公开(公告)日：2006-09-27
申请号：CN200310116936.2
申请日：2003-12-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/3105 , H01L21/312 , C08L101/00
CPC classification number: H01L21/02137 , B05D1/005 , B05D3/068 , H01L21/02203 , H01L21/02282 , H01L21/02351 , H01L21/31058 , H01L21/3124
Abstract: 本发明的处理方法是在形成于基板上的有机材料膜的表面上涂布保护膜用的极性液体材料或形成保护膜用的无机材料膜的方法。该方法包括：在稀有气体气氛气下、由电子束照射装置向有机材料膜照射电子束来进行改性处理的工序；和，在进行了改性处理的有机材料膜的表面涂布极性液体材料或形成无机材料膜的工序。通过改性工序，可以在使有机材料膜固化的共时，向有机材料膜赋予与极性液体材料或无机材料膜的亲和性。
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公开(公告)号：CN1263097C
公开(公告)日：2006-07-05
申请号：CN200310123023.3
申请日：2003-12-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/30 , H01L21/3105
CPC classification number: H01L21/02351 , C23C16/56 , H01J37/317 , H01J2237/004 , H01J2237/3156 , H01L21/02126 , H01L21/02274 , H01L21/02282 , H01L21/2636 , H01L21/312 , H01L21/67069 , H01L21/67253
Abstract: 在现有的进行抗蚀剂膜和层间绝缘膜的成膜时，难以均匀地调整膜厚，例如如果使用旋转器涂布SOD膜，则如图9(a)所示，SOD膜的膜厚不均匀，这种状态原封不动保留。本发明的成膜方法如下：在从第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)向形成在晶片W上的SOD膜照射电子束B时，根据图6(a)所示的膜厚分布，如图6(b)所示在每个块中控制第一、第二、第三电子束管(43A、43B、43C)各自的输出，变更剂量量。
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公开(公告)号：CN107546096A
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201710485227.3
申请日：2017-06-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01J37/32 , H01L21/687
Abstract: 本发明提供一种能够得到具有所希望的膜厚均匀性的膜的等离子体成膜装置和使用它的基板载置台。等离子体成膜装置包括：用于收纳基板的腔室；用于在腔室内载置基板的基板载置台；对腔室内供给包含成膜气体的气体的气体供给机构；对腔室内进行排气的排气机构；和使腔室内生成等离子体的等离子体生成机构，基板载置台包括：比基板的直径小且具有载置面的载置台主体；配置在载置台主体的外侧的形成环状的调整部件，调整部件设置成可更换，并且作为调整部件准备多个在基板的外侧的位置具有各种台阶差的调整部件，能够使用从多个调整部件中根据等离子体处理的处理条件选择的调整部件。
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公开(公告)号：CN101454881B
公开(公告)日：2012-09-05
申请号：CN200780019921.0
申请日：2007-05-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/318 , H01L29/78
CPC classification number: H01L21/28202 , H01L21/3185 , H01L29/518
Abstract: 本发明提供绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法，该绝缘膜的形成方法包括对硅露出于其表面的被处理基板实施使上述硅氮化的氮化处理，在硅表面上形成氮化硅膜的步骤；在N2O气氛中对形成有氮化硅膜的被处理基板进行热处理，形成氮氧化硅膜的步骤；和对氮氧化硅膜进行氮化处理的步骤。
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