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公开(公告)号：CN104471106A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201380035584.X
申请日：2013-06-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/31 , H01L21/316
CPC classification number: C23C16/52 , C23C16/4412 , C23C16/4481 , C23C16/45512 , C23C16/45561 , C23C16/4482
Abstract: 在步骤1的升压步骤中，利用PCV(54)对原料容器(60)内供给运载气体，使原料容器(60)内上升至第一压力P1。在步骤2的降压步骤中，使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内下降至作为第二压力的压力P2。在步骤3的稳定化步骤中，一边将运载气体导入原料容器(60)内，一边使排气装置(35)工作，从原料气体供给管(71)经由排气旁通管(75)将原料气体废弃，使原料容器(60)内的原料气化的气化效率(k)稳定化。在步骤4的成膜步骤中，经由原料气体供给管(71)将原料气体供给到处理容器(1)内，利用CVD法使薄膜沉积在晶片(W)上。
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公开(公告)号：CN101939827B
公开(公告)日：2013-01-16
申请号：CN200880126474.3
申请日：2008-12-08
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/31 , C23C16/448
CPC classification number: H01L21/31645 , C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种液体原料气化器以及使用该液体原料气化器的成膜装置，在使液体原料的液滴通过通气性部件而气化时，能够使整个通气性部件的温度变得均匀，能够防止因气化不完全引起的网眼堵塞。液体原料气化器(300)具有：使液体原料成为液滴状并向气化空间(350)喷出的液体原料供给部(300A)；气化部(300B)；将来自液体原料供给部的液滴状的液体原料向气化部内导入的导入口(338)；配置在气化部内且由通气性部件(362)构成的雾气收集部(360)，该通气性部件由通过辐射热被加热的材料构成；辐射热加热器(370)，对通气性部件的整个外侧表面照射热射线，并通过该辐射热对通气性部件进行加热；送出口(340)，其将原料气体送出到外部，原料气体是通过使液滴状的液体原料通过被加热的通气性部件而气化生成的。
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公开(公告)号：CN101285178B
公开(公告)日：2011-12-14
申请号：CN200810086915.3
申请日：2008-03-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448
CPC classification number: C23C16/4486
Abstract: 本发明提供一种汽化器和半导体处理系统，其是用于从液体原料得到处理气体的汽化器，包括在喷注器的排出口下侧配置在容器内的具有中空的内部空间的下部热交换体。在排出口和下部热交换体之间规定雾状液体原料的助起动空间，在容器的内侧面和下部热交换体之间规定与助起动空间连接的环状空间。内部加热器配置在下部热交换体的内部空间中。内部加热器作成利用陶瓷密封编织有多个碳纤维束的碳线的结构。内部加热器加热通过环状空间的雾状液体原料生成处理气体。
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公开(公告)号：CN1754983A
公开(公告)日：2006-04-05
申请号：CN200510107962.8
申请日：2005-09-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/448 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4486 , H01L21/67017 , H01L21/67109
Abstract: 本发明涉及一种用于从气液混合的流体得到处理气体的气化器，具备：容器，规定上述气化器的处理空间；供给头，具有向上述容器内喷出上述流体的多个喷出口；加热通路，在所述喷出口的下侧、配置在所述容器内，所述加热通路对流通过程中的所述流体进行加热而生成所述处理气体；气体导出通路，与所述容器连接，从所述加热通路的下侧、在横方向上导出所述处理气体；雾积存部，在所述气体导出路的下侧、配置于所述容器中。
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公开(公告)号：CN1586001A
公开(公告)日：2005-02-23
申请号：CN03800067.9
申请日：2003-02-07
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/205 , G05D7/06 , F16K27/00 , F17D1/02 , B01J4/00 , C23C16/455 , H01L21/02
CPC classification number: C23C16/45557 , F17D1/04
Abstract: 在一个气体管路(13)上设置流体控制器(13g)，而且在气体管路(13)的流量控制器(13g)的上游设置压力控制系统区域(14)。设置有从气体管路(13)的上游沿着与气体管路(13)垂直的方向延伸的延长部(15)，使不同种类的处理气体(A)、(B)、(C)的供给源与延长部(15)连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107686985A
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201710655290.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时，提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括：分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61)；与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71)；置换气体流路(45)，其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置，对处理容器内供给置换气体；设置在置换气体流路(45、65)中，储存置换气体的储气部(46、66)；在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀(V2、V6)；和控制阀的开闭的控制部(100)。
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公开(公告)号：CN106661730A
公开(公告)日：2017-05-10
申请号：CN201580039064.5
申请日：2015-07-06
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 大仓成幸
IPC: C23C16/455 , H01L21/31
CPC classification number: C23C16/45544 , C23C16/34 , C23C16/4408 , C23C16/45527 , C23C16/45561 , C23C16/45587 , F16K11/22 , F16K27/003
Abstract: 本发明提供一种在交替多次向基板供给TiCl4气体和NH3气体进行成膜时，能够抑制阀装置(1)的冷却、并且增大N2气体流量，有助于提高处理能力的技术。在交替多次向晶片(W)供给TiCl4气体和NH3气体进行成膜时，在一种处理气体的供给与另一种处理气体的供给之间，将供给至处理容器(10)内的气氛置换用的N2气体预先加热。因此，能够抑制处理容器(10)的内壁或晶片(W)接触气体的部位的冷却、并且增大N2气体的流量，因而能够缩短气氛的置换所需要的时间，有助于处理能力的提高，并且能够抑制因阀装置(1)的冷却而造成的反应生成物的附着等不良情况的发生。
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公开(公告)号：CN1967776A
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200610146543.X
申请日：2006-11-15
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/20 , H01L21/28 , H01L21/31 , H01L21/3205 , H01L21/768 , C30B33/02 , F22B3/02 , F22D1/38
CPC classification number: F22B1/287 , F22B1/30 , H01L21/67109 , Y10S261/65
Abstract: 半导体处理系统，具有将水蒸气供给收容被处理基板的处理室内的气体供给系统。气体供给系统包含用于从纯水得到水蒸气的气体生成装置。气体生成装置包含第一气化部和第二气化部。第一气化部通过在利用载体气体喷雾纯水的同时进行加热，生成包含雾的一次水蒸气。第二气化部通过气化一次水蒸气中的雾，从第一次水蒸气生成处理用水蒸气。第二气化部包含由配置为在第一气化部和处理室之间横穿所述一次水蒸气的通路的、捕捉雾的网状结构体构成的薄膜。
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公开(公告)号：CN114391051A
公开(公告)日：2022-04-22
申请号：CN202080063295.0
申请日：2020-09-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/06 , C23C16/448 , C23C16/455
Abstract: 本发明为一种对处理装置供给原料气体的原料气体供给系统，所述原料气体是通过将固体原料气化来生成的，所述原料气体供给系统包括：将所述固体原料气化来生成所述原料气体的气化装置；送出机构，其从贮存有分散系的贮存容器向所述气化装置送出所述分散系，其中，所述分散系是在液体中分散所述固态原料而成的；和分离机构，其在所述气化装置内从所述分散系中分离出所述固体原料。
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公开(公告)号：CN107686985B
公开(公告)日：2020-04-07
申请号：CN201710655290.7
申请日：2017-08-03
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: C23C16/455 , C23C16/52
Abstract: 本发明在防止成膜时原料气体所需的流量增大的同时，提高用于置换处理容器(11)内的气氛的置换气体的流量。气体供给装置包括：分别对处理容器内供给原料气体、反应气体的原料气体流路(41)、反应气体流路(61)；与原料气体流路和反应气体流路分别连接的第一载气流路(51)和第二载气流路(71)；置换气体流路(45)，其经由与设置在第一载气流路和第二载气流路中的载气的供给控制装置不同的另外的供给控制装置，对处理容器内供给置换气体；设置在置换气体流路(45、65)中，储存置换气体的储气部(46、66)；在置换气体流路中设置于储气部的下游侧的阀(V2、V6)；和控制阀的开闭的控制部(100)。
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