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公开(公告)号：CN104826672A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201510274786.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B01L1/00
Abstract: 一种密封带式冷热冲击箱，涉及冷热冲击试验箱。它为了解决现有技术冲击过程中试样易碰撞或移位、密封性差、冲击效果差、控制精度差等问题。试样箱的四个侧壁的外表面、密封带的内外两侧、两个蓄热箱和两个蓄冷箱的外表面、以及四根转轴的侧面均设置有多条相间排列的凸起和凹槽，密封效果好。当光电接收器接收到光信号后，通过控制器来控制电机停止，开始制冷或制热，实现冷热冲击。本发明在冲击过程中不需移动试样，消除了碰撞移位等不利因素，采用控制器控制精确，成本低廉，结构简单，操作方便，冲击效率高，密封效果好，并且使用寿命也大大延长。本发明适用于对器件进行冷热冲击测试。
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公开(公告)号：CN102962599B
公开(公告)日：2015-06-03
申请号：CN201210472289.8
申请日：2012-11-20
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B23K35/26
Abstract: 电子封装用无铅钎料，它涉及一种电子封装用无铅钎料。本发明解决了现有高银钎料成本较高，低银钎料力学性能差的技术问题。电子封装用无铅钎料按照质量百分含量由Ag，Cu，Ni，Bi，Sb，Ti，其余为Sn组成。本发明通过钎料成分的设计和优化得到了性能优异，成本低廉的电子封装用无铅钎料。多种元素添加考虑其相互弥补作用，减小了某一元素在改善性能的同时所带来其他的不利影响，有效提升了钎料的综合性能。
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公开(公告)号：CN102148215A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201110023941.3
申请日：2011-01-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 提高CCGA器件软钎焊焊点可靠性的互连结构及实现方法，属于微电子封装技术领域。本发明为了解决现有面阵列封装器件可靠性普遍低于周边引脚封装器件以及高频率、高功率的大芯片面阵列封装器件可靠性低、使用寿命短的问题。所述互连结构中的Cu柱由制成一体的圆柱体和两个端头构成，每个端头呈以直线或圆弧线为母线的回转体状，圆柱体位于呈背对设置的两个端头之间且三者同轴，圆柱体与端头之间平滑过渡；钎焊圆角的高度小于端头的高度。先采用高熔点的焊锡膏，将Cu柱一端钎焊到芯片载体基板一侧的金属膜焊盘上、然后再采用较低熔点的焊锡膏，将Cu柱的另一端钎焊到印刷电路板一侧的金属膜焊盘上。本发明所述互连结构可靠性高、使用寿命长，可用于大芯片的封装。
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公开(公告)号：CN112372176B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN202011207113.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种具有高界面可靠性的多元无铅钎料及其制备方法和应用。具有高界面可靠性的多元无铅钎料，主要由按质量百分数计的如下组分组成：Ag 0.2％～1.5％、Zn 0.2％～1.5％、Sn 40％～44％和Bi 55％～58％。本发明的无铅钎料，在Sn‑Bi系无铅钎料Sn58Bi‑Ag中，加入了Zn元素，改变了原有Sn58Bi‑Ag的合金体系，使得到的多元无铅钎料能够提升对界面IMC层生长的抑制作用，从而增强接头的强度。
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公开(公告)号：CN112490133A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011504681.7
申请日：2020-12-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L21/48
Abstract: 本发明通过将泡沫铜作为骨架，锡合金作为填充材料，通过外加超声的作用，利用超声震动摩擦和超声空化效应产生热量，快速获得由原位生成的Cu3Sn与反应后剩余的泡沫铜复合而成的微焊点。泡沫铜可以减少铜原子的扩散距离，从而加快Cu3Sn的生成，并且可以使微焊点的厚度将不再受铜原子扩散速度影响，Cu3Sn与泡沫铜复合可以克服纯Cu3Sn的脆性，提高微焊点的导电、导热和综合力学性能。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112372176A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011207113.0
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种具有高界面可靠性的多元无铅钎料及其制备方法和应用。具有高界面可靠性的多元无铅钎料，主要由按质量百分数计的如下组分组成：Ag 0.2％～1.5％、Zn 0.2％～1.5％、Sn 40％～44％和Bi 55％～58％。本发明的无铅钎料，在Sn‑Bi系无铅钎料Sn58Bi‑Ag中，加入了Zn元素，改变了原有Sn58Bi‑Ag的合金体系，使得到的多元无铅钎料能够提升对界面IMC层生长的抑制作用，从而增强接头的强度。
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公开(公告)号：CN102148215B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN201110023941.3
申请日：2011-01-21
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L2224/11
Abstract: 提高CCGA器件软钎焊焊点可靠性的互连结构及实现方法，属于微电子封装技术领域。本发明为了解决现有面阵列封装器件可靠性普遍低于周边引脚封装器件以及高频率、高功率的大芯片面阵列封装器件可靠性低、使用寿命短的问题。所述互连结构中的Cu柱由制成一体的圆柱体和两个端头构成，每个端头呈以直线或圆弧线为母线的回转体状，圆柱体位于呈背对设置的两个端头之间且三者同轴，圆柱体与端头之间平滑过渡；钎焊圆角的高度小于端头的高度。先采用高熔点的焊锡膏，将Cu柱一端钎焊到芯片载体基板一侧的金属膜焊盘上、然后再采用较低熔点的焊锡膏，将Cu柱的另一端钎焊到印刷电路板一侧的金属膜焊盘上。本发明所述互连结构可靠性高、使用寿命长，可用于大芯片的封装。
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公开(公告)号：CN112372177B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN202011211060.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种高润湿性钎料及其制备方法。高润湿性钎料，由按质量百分比计的如下组分组成：Ag 0.2％～1％、Sb 0.8％～1.5％、Sn 41％～43％和余量Bi。本发明通过严格限定Sb的添加量，配合其余各元素的含量，能够保证钎料体系其他各方面性能不受影响，同时提高钎料铺展系数，改善其润湿性能。
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公开(公告)号：CN109664049B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910031246.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于电子封装领域的多尺度微纳米颗粒复合焊膏及其制备方法、应用工艺。所述新型复合焊膏由金属粉末与助焊剂混合而成。金属粉末由粒径30~70nm、3~7μm、15~25μm的Cu@Ag颗粒，粒径40~60nm的Ni@Ag颗粒，粒径1~2μm的Ag颗粒组成；助焊剂由溶剂异丙醇，活性剂硬脂酸，成膜剂混合松香和聚乙二醇，调节剂三乙醇胺，表面活性剂辛基酚聚氧乙稀醚组成。本发明复合焊膏中Cu@Ag颗粒的存在相对于纳米银焊膏成本降低，抗电迁移性能得到提升；Ag颗粒可以保护Cu@Ag核壳结构的完整性；在高频感应工艺条件下，Ni@Ag颗粒Ni的磁性使颗粒分布更均匀，提高致密度，提升导电导热性能。本发明成本低廉，工艺简单可控，效率高，解决了目前器件粘贴材料成本高昂，服役温度低，工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN107096988B
公开(公告)日：2019-05-03
申请号：CN201710330929.4
申请日：2017-05-11
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。
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