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公开(公告)号：CN110315161B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910619082.0
申请日：2019-07-10
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种高温封装用Cu3Sn/泡沫铜复合接头的制备方法。其特征是：将泡沫铜作为骨架，锡合金作为填充材料，按一定的比例制作复合焊片，通过焊接使其在产品（例如IGBT，LED，光伏组件）与基板之间形成可靠连接，快速获得由原位生成的IMC与反应后剩余的泡沫铜复合而成的微焊点。本发明中生成的复合接头与全化合物接头相比，具有更高的导电率、导热率，同时具有良好的力学性能、抗高温蠕变、抗电迁移的性能，成本低廉，可以满足大批量使用要求，可广泛应用于三代半导体封装。
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公开(公告)号：CN110666280A
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201911047291.9
申请日：2019-10-30
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明公开了一种微焊点的镀镍层界面反应及镍层的消耗规律的方法，涉及镀镍层技术领域；它的方法如下：将三种钎料在镍层上进行焊接，通过控制液态停留时间，等温时效时间，对镍层消耗量，界面IMC的厚度，以及时效后焊点的剪切性能进行测试，观察焊点的微观组织及剪切断口形貌，分析镀层消耗的机理，推导镀镍层消耗的规律，从而合理制定钎料的镍层厚度；本发明根据镍层的消耗规律，为不同钎料制定镀层厚度，提高焊点的可靠性；通过研究液态停留时间，等温时效时间对3种不同钎料的镀镍层消耗规律，以及界面IMC的生长速率，焊点时效后的剪切性能影响，预测焊点的镀镍层厚度消耗趋势，从而合理制定不同钎料相应的镀镍层厚度。
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公开(公告)号：CN109570814A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910031132.3
申请日：2019-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种添加微纳米颗粒的复合焊膏，本发明属于无铅复合钎料技术领域，具体涉及一种添加微纳米包覆颗粒增强的锡锑系复合焊膏及其制备方法。本发明主要解决目前高温钎料中Sn-Sb系钎料润湿性、导热性及力学性能较差，限制其应用推广的问题。该新型复合焊膏主要特点是相对于SnSb系焊膏润湿性好，力学性能优异。本发明钎料由1%~5%的Cu@Ag核壳颗粒和95%~99%的SnSb组成，是以Sn-Sb焊膏为基体，通过添加增强相Cu@Ag颗粒而实现。本发明方法：一、制备Cu@Ag核壳颗粒；二、制备助焊剂；三、将Cu@Ag核壳颗粒和Sn-Sb系焊膏通过机械混合的方式制备复合焊膏。本发明的复合焊膏细化了焊点的微观组织，极大提高了钎料的润湿性和剪切强度。本发明用于制备Sn-Sb系复合钎料，是一种符合现在电子工业发展趋势的复合钎料。
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公开(公告)号：CN104183689A
公开(公告)日：2014-12-03
申请号：CN201410465593.9
申请日：2014-09-12
Applicant: 哈尔滨理工大学
CPC classification number: H01L33/0095 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L2933/0008 , H01L2933/0066 , H05K1/02
Abstract: 一种用于LED倒装固晶的基板及利用其固晶制备LED的方法，涉及用于LED倒装固晶的基板及利用其固晶制备LED的方法。本发明解决现有用于LED倒装固晶的基板使用过程中会出现孔洞及断层的问题。基板由绝缘载体、导电金属层、反应金属层及反光金属层组成。利用其固晶制备LED的方法：将锡膏分别涂覆至间隙两侧，并放置LED芯片，加热至锡膏熔化，冷却至室温，得到利用一种用于LED倒装固晶的基板固晶制备的LED。本发明用于一种用于LED倒装固晶的基板及利用其固晶制备LED。
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公开(公告)号：CN102172805B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201110020418.5
申请日：2011-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种电子封装用低成本抗老化钎料及其制备方法，它涉及软钎料及其制备方法，本发明解决了现有的低含银量无铅钎料的含银量仍较高、添加元素种类多、冶金制备复杂、易产生固化裂纹及熔点较高的技术问题。本钎料由0.60％～0.79％的Ag、0.50％～0.90％的Cu、0.02％～0.20％的Ni、2.10％～4.00％的Bi和余量的Sn组成。制备方法：将锡、银、铜、镍和铋进行两次熔炼，得到钎料。本钎料熔点仅为205℃～219℃、润湿性和可焊性良好，成本比SAC305钎料降低30％～43％，该钎料的焊点强度、抗高温老化性能比SAC305和SAC0307提高。可用于电子组装、封装的手工焊、波峰焊和再流焊领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102172805A
公开(公告)日：2011-09-07
申请号：CN201110020418.5
申请日：2011-01-18
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种电子封装用低成本抗老化钎料及其制备方法，它涉及软钎料及其制备方法，本发明解决了现有的低含银量无铅钎料的含银量仍较高、添加元素种类多、冶金制备复杂、易产生固化裂纹及熔点较高的技术问题。本钎料由0.60％～0.79％的Ag、0.50％～0.90％的Cu、0.02％～0.20％的Ni、2.10％～4.00％的Bi和余量的Sn组成。制备方法：将锡、银、铜、镍和铋进行两次熔炼，得到钎料。本钎料熔点仅为205℃～219℃、润湿性和可焊性良好，成本比SAC305钎料降低30％～43％，该钎料的焊点强度、抗高温老化性能比SAC305和SAC0307提高。可用于电子组装、封装的手工焊、波峰焊和再流焊领域。
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公开(公告)号：CN100354066C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN200310107647.6
申请日：2003-10-29
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B23P5/00
Abstract: 化学气相沉积金刚石厚膜的焊接方法，它涉及化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的焊接工艺。本发明是这样实现的：首先将被焊工件装夹固定并在焊缝中添加钎料，沿焊缝的垂直方向施加的压力为1～2MPa，使之在压力下结晶并控制焊缝厚度，在真空度为3×10-3Pa的真空炉中加热，加热温度为900～920℃，并保温10～20min，然后缓慢冷却，冷却速度为9～12℃/min，到被焊工件降温至200℃时开始自然冷却至室温。本发明在焊接前不需要对金刚石表面进行金属化处理，可直接与金刚石焊接在一起，形成冶金连接；其中CVD金刚石膜与硬质合金焊缝的剪切强度τb＞200MPa，焊接的金刚石车刀其加工精度达到镜面程度，可达到目前为止的最高切削速度。
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公开(公告)号：CN112372177A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN202011211060.X
申请日：2020-11-03
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 哈尔滨焊接研究院有限公司
Abstract: 本发明涉及钎焊材料技术领域，尤其是涉及一种高润湿性钎料及其制备方法。高润湿性钎料，由按质量百分比计的如下组分组成：Ag 0.2％～1％、Sb 0.8％～1.5％、Sn 41％～43％和余量Bi。本发明通过严格限定Sb的添加量，配合其余各元素的含量，能够保证钎料体系其他各方面性能不受影响，同时提高钎料铺展系数，改善其润湿性能。
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公开(公告)号：CN110052735A
公开(公告)日：2019-07-26
申请号：CN201811398845.5
申请日：2018-11-22
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明涉及一种用于二级和三级封装的高导热低成本复合焊膏及其制备方法。其特征是：将市场上已有的Sn-Bi基钎料颗粒与高导热颗粒进行混合制备复合焊膏，通过焊接使其在产品（例如LED，光伏组件）与基板之间形成可靠连接。本发明中的高导热低成本复合焊膏，可以实现市售LED产品对应焊盘尺寸及微小尺寸的连接，与Sn-Bi基钎料相比，复合焊膏具有更高的热导率，同时兼具良好的机械性能，成本低廉，并满足大批量使用要求，可广泛应用于二级和三级封装领域中。
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公开(公告)号：CN107096988A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710330929.4
申请日：2017-05-11
Applicant: 哈尔滨理工大学 , 常州市武进区半导体照明应用技术研究院
CPC classification number: B23K20/023 , B23K13/01 , B23K28/02
Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。
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